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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
tt8m3tr	0.1839	RFQ	6932	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8M3	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			20V	2.5a，2.4a		72MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	3.6nc @ 4.5V		260pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
SCT4013DRC15	42.4300	RFQ	881	Rohm半导体	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4013	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4013DRC15	Ear99	8541.29.0095	450			n通道	750 v	105A（TC）	18V	16.9mohm @ 58a，18v	4.8V @ 30.8mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pf @ 500 V	-	312W
kdzvtr8.2b	0.3900	RFQ	45	Rohm半导体	KDZV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	150°C	表面安装	SOD-123F	kdzvtr8.2		1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			20 µA @ 5 V							8.75 v
DTC014YMT2L	0.2400	RFQ	79	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTC014		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																							50 V	70 MA	-			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
RB095T-90	0.7613	RFQ	4435	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计			通过洞	TO-220-3完整包	RB095	肖特基		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	90 v	3a	750 mv @ 3 a		150 µA @ 90 V	150°C （最大）
DTA143ZEBTL	0.2600	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490	DTA143		150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
RB088BGE-40TL	1.6100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RB088	肖特基		TO-252GE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	5a	770 mv @ 5 a		3 µA @ 40 V	150°C
RBR2LAM60BTFTR	0.4400	RFQ	288	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	RBR2LAM60	肖特基		PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V				150 µA @ 60 V	150°C （最大）	2a	-
RB495DT146	0.5400	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RB495	肖特基		SMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	25 v	200mA	500 mV @ 200 ma		70 µA @ 25 V	125°c （最大）
Udzwte-172.4b	-	RFQ	6274	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-90，SOD-323F				UMD2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
R6524ENZC8	-	RFQ	1704年	Rohm半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6524	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6524ENZC8	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	24A（TC）	10V	185mohm @ 11.3a，10v	4V @ 750µA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	74W（TC）
RD3U060CNTL1	1.5600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3U060	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	250 v	6A（TC）	10V	530MOHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	840 pf @ 25 V	-	52W（TC）
DTB743XMT2L	0.1134	RFQ	4339	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOT-723	DTB743		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																							30 V	200 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
RFN5BM6SFHTL	1.0300	RFQ	77	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFN5B	标准		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.55 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
EDZTE6124B	-	RFQ	7010	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	EDZTE6124		150兆	EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			100 na @ 19 V							24 V	120欧姆
UM6K33NTN	0.3800	RFQ	887	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UM6K33	MOSFET （金属 o化物）	120MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			50V	200mA		2.2OHM @ 200mA，4.5V	1V @ 1mA	-		25pf @ 10V	逻辑级别门，1.2V驱动器
KDZVTR20B	0.3900	RFQ	3	Rohm半导体	KDZV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	150°C	表面安装	SOD-123F	KDZVTR20		1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			10 µA @ 15 V							21.2 v
PTZTE258.2B	0.2014	RFQ	7812	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±6％	-	表面安装	do-214ac，SMA	PTZTE258.2		1 w	PMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500																			20 µA @ 5 V							8.7 v	4欧姆
RSD201N10TL	-	RFQ	2012	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD201	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	20A（TC）	4V，10V	46mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
VDZT2R22B	-	RFQ	1972	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-723	vdzt2		100兆	VMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																			100 na @ 17 V							22 v	100欧姆
2SD1768STPQ	-	RFQ	4813	Rohm半导体	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅			300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																							80 V	1 a	1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 20mA，500mA	120 @ 500mA，3v	100MHz
Udzwte-179.1b	-	RFQ	1519年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-90，SOD-323F				UMD2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
BAV99GT116	-	RFQ	6765	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV99	标准		SSD3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BAV99GT116TR	过时的		3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	75 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
MTZJT-7227C	-	RFQ	6217	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MTZJT7227C	Ear99	8541.10.0050	5,000																			200 na @ 21 V							27 V	45欧姆
2SC5060TV2M	-	RFQ	7452	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SIP			1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																							90 v	1 a	10µA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，500mA	1000 @ 500mA，3V	80MHz
DTC144VCAT116	0.3500	RFQ	79	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC144		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	10 kohms
RB886Y9HKT2R	-	RFQ	3406	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75-4，SOT-543		肖特基		EMD4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RB886Y9HKT2RTR	过时的		8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2独立	15 v	10mA（DC）	350 mv @ 1 mA		120 µA @ 5 V	125°c （最大）
R6024ENXC7G	5.5800	RFQ	980	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6024	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6024ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	24A（24A）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	74W（TC）
DTA124EEBTL	0.2600	RFQ	781	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA124		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	30 ma	500NA			pnp-预先偏见	300MV @ 500NA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
RBR1L60ATE25	0.2049	RFQ	9074	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	do-214ac，SMA	RBR1L60	肖特基		PMD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		530 MV @ 1 A		75 µA @ 60 V	150°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²