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6960）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 当前的 电压 电压 -隔离 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
RB218T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB218T-30NZC9 1.5400
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB218 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 20a 720 MV @ 10 A 5 µA @ 30 V 150°C
RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor RS1G201ATTB1 2.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1G MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 20A（20A），78a tc（78a tc） 5.2MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±20V 6890 pf @ 20 V - （3W）（40W）（40W）TC）
KDZVTR47A Rohm Semiconductor KDZVTR47A 0.4700
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6.38％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F KDZVTR47 1 w PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 36 V 47 V
PDZVTR2.2B Rohm Semiconductor pdzvtr2.2b 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 PDZV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5.68％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-128 pdzvtr2.2 1 w PMDTM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 700 mV 2.2 v 20欧姆
RBQ15BGE45ATL Rohm Semiconductor RBQ15BGE45ATL 1.8200
RFQ
 ECAD 562 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RBQ15 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 15a 590 MV @ 7.5 A 140 µA @ 45 V 150°C
RFC02MM2STR Rohm Semiconductor RFC02MM2STR 0.4700
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F RFC02 标准 PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 200 v 750 mv @ 100 ma 35 ns 1 µA @ 200 V 150°C 200mA -
BM63575S-VA Rohm Semiconductor BM63575S-VA 28.6300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 25-PowerDip 模块（1.134英寸，28.80mm） IGBT BM63575 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BM63575S-VA Ear99 8542.39.0001 60 3相逆变器 20 a 600 v 1500vrms
RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor RFV8BGE6STL 1.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RFV8BGE6 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.8 V @ 8 A 45 ns 10 µA @ 600 V 150°C 8a -
PDZVTR3.0B Rohm Semiconductor pdzvtr3.0b 0.4000
RFQ
 ECAD 817 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6.67％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-128 pdzvtr3.0 1 w PMDTM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 µA @ 1 V 3 V 15欧姆
RTF016N05FRATL Rohm Semiconductor RTF016N05FRATL 0.6900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RTF016 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 1.6a（ta） 190MOHM @ 1.6A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.3 NC @ 4.5 V ±12V 150 pf @ 10 V - 800MW
BM63377S-VA Rohm Semiconductor BM63377S-VA 30.6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 25-PowerDip 模块（1.134英寸，28.80mm） IGBT BM63377 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BM63377S-VA Ear99 8542.39.0001 60 3相逆变器 30 a 600 v 1500vrms
BM63574S-VC Rohm Semiconductor BM63574S-VC 24.6300
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 25-PowerDip 模块（1.327英寸，33.70mm） IGBT BM63574 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BM63574S-VC Ear99 8542.39.0001 60 3相逆变器 15 a 600 v 1500vrms
KDZLVTR68 Rohm Semiconductor kdzlvtr68 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 KDZLV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5.88％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F kdzlvtr68 1 w PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 52 V 68 v 230欧姆
RBR40NS60ATL Rohm Semiconductor RBR40NS60ATL 2.0200
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RBR40 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 20a 600 mv @ 20 a 800 µA @ 60 V 150°C
RBS2LAM40BTR Rohm Semiconductor RBS2LAM40BTR 0.1360
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 RBS2LAM40 肖特基 PMDT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RBS2LAM40BCT Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 410 mv @ 2 a 500 µA @ 20 V 125°C 2a -
RBS5LAM40ATR Rohm Semiconductor RBS5LAM40ATR 0.4700
RFQ
 ECAD 610 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 RBS5LAM40 肖特基 PMDT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 490 mv @ 5 a 800 µA @ 20 V 125°C 5a -
RBR20BM40ATL Rohm Semiconductor RBR20BM40ATL 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RBR20 肖特基 TO-252 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 10a 550 mv @ 10 a 360 µA @ 40 V 150°C
RFV5BM6STL Rohm Semiconductor RFV5BM6STL 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RFV5BM6 标准 TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.8 V @ 5 A 40 ns 10 µA @ 600 V 150°C 5a -
RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor RD3L08BGNTL 2.6600
RFQ
 ECAD 7127 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3L08 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 80A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 80A，10V 2.5V @ 100µA 71 NC @ 10 V ±20V 3620 PF @ 30 V - 119W（TC）
RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor rj1g12bgntll 4.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RJ1G12 MOSFET （金属 o化物） lptl 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 120A（TC） 4.5V，10V 1.86mohm @ 50a，10v 2.5V @ 2mA 165 NC @ 10 V ±20V 12500 PF @ 20 V - 178W（TC）
RQ5A020ZPTL Rohm Semiconductor RQ5A020ZPTL 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5A020 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 105MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 6.5 NC @ 4.5 V ±10V 770 pf @ 6 V - 700MW（TA）
RQ5E040TNTL Rohm Semiconductor RQ5E040TNTL 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5E040 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 2.5V，4.5V 48mohm @ 4A，4.5V 1.5V @ 1mA 8.3 NC @ 4.5 V ±12V 475 PF @ 10 V - 700MW（TA）
RQ5H025TNTL Rohm Semiconductor RQ5H025TNTL 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5H025 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 45 v 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 130mohm @ 2.5a，4.5V 1.5V @ 1mA 3.2 NC @ 4.5 V ±12V 250 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor RQ5L030SNTL 0.6800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5L030 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 3A（3A） 4V，10V 85mohm @ 3a，10v 2.5V @ 1mA 5 nc @ 5 V ±20V 380 pf @ 10 V - 700MW（TA）
RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor RQ5L035GNTCL 0.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5L035 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 3.5A（ta） 4.5V，10V 50mohm @ 3.5A，10V 2.7V @ 50µA 7.3 NC @ 10 V ±20V 375 pf @ 30 V - 700MW（TA）
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor RQ6A050ZPTR 0.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6A050 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 5A（5A） 1.5V，4.5V 26mohm @ 5A，4.5V 1V @ 1mA 35 NC @ 4.5 V ±10V 2850 pf @ 6 V - 950MW（TA）
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor RQ6E040XNTCR 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6E040 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 4V，10V 50MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 V ±20V 180 pf @ 10 V - 950MW（TA）
RQ6E045SNTR Rohm Semiconductor RQ6E045SNTR 0.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6E045 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4.5A（ta） 4V，10V 38mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 9.5 NC @ 5 V ±20V 520 pf @ 10 V - 950MW（TA）
RS1E350GNTB Rohm Semiconductor RS1E350GNTB 2.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 35A（ta），80a tc） 4.5V，10V 1.7MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 1mA 68 NC @ 10 V ±20V 4060 pf @ 15 V - （3W）（TA）
RS1L180GNTB Rohm Semiconductor RS1L180GNTB 2.6500
RFQ
 ECAD 4979 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1L MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 18A（18A），68A tc（68a）） 4.5V，10V 5.6mohm @ 18a，10v 2.5V @ 100µA 63 NC @ 10 V ±20V 3230 pf @ 30 V - （3W）（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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