电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UFZVFHTE-174.3B | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±3.16% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVFHTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088BM150TL | - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB088 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 880 mv @ 5 a | 15 µA @ 150 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E045BNTCR | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RQ6E045 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.5A(TJ) | 4.5V,10V | 30mohm @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 8.4 NC @ 10 V | ±20V | 330 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-40FHTE61 | - | ![]() | 4291 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB520 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB520S-40FHTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4081T106Q | 0.3600 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SC4081 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMA3T2R | 0.0801 | ![]() | 6851 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | EMA3T2 | 150MW | EMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA(ICBO) | 2(PNP- 预偏(双重)() | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR375P5T100Q | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR375 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 v | 1.5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 80mA,800mA | 120 @ 200ma,5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B11VLFHT116 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±1.82% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-726.2A | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt726.2a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR10NS30AFHTL | 0.5979 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 550 mv @ 5 a | 100 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160A30T-32 | - | ![]() | 3454 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-41 mini,轴向 | RB160 | 肖特基 | MSR | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 480 mv @ 1 a | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FML9T148 | 0.2350 | ![]() | 7983 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | FML9T148 | 200兆 | SMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 1.5 a | 100NA(ICBO) | NPN +二极管(隔离) | 200mv @ 25mA,500mA | 270 @ 200ma,2V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C11VLFHT116 | 0.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5.45% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB706D-40T146 | 0.5300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RB706 | 肖特基 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 15mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dta114eubhzgtl | 0.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTA114 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-116.2B | - | ![]() | 2618 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | - | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tt8j3tr | 0.6300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8J3 | - | 1.25W | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 2.5a | 84mohm @ 2.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 4.8NC @ 5V | 460pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMF7T2R | - | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMF7 | 150MW | EMT6 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-EMF7T2RTR | 8,000 | 50V,12V | 100mA,500mA | 500NA,100NA(ICBO) | 1 NPN预先偏见,1 NPN | 300mv @ 500µA,10mA / 250mv @ 10mA,200ma | 20 @ 20mA,5v / 270 @ 10mA,2V | 250MHz,320MHz | 2.2kohms | 2.2kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030enx | 5.8900 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 130MOHM @ 14.5A,10V | 4V @ 1mA | 85 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR523V1T2L | - | ![]() | 7013 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030knz1c9 | - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 130MOHM @ 14.5A,10V | 5V @ 1mA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 25 V | - | 305W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65GC11 | 5.4600 | ![]() | 152 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGW80 | 标准 | 214 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,40a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 78 a | 160 a | 1.9V @ 15V,40a | (760µJ)(在720µJ上) | 110 NC | 44NS/143NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095B-60TL | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB095B-60 | 肖特基 | CPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3a | 580 mv @ 3 a | 300 µA @ 60 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM400D12P2G003 | 2.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 模块 | BSM400 | (SIC) | 2450W(TC) | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BSM400D12P2G003 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 400A(TC) | - | 4V @ 85mA | - | 38000pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B15VLYFHT116 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 10 V | 15 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 1016 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA144 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E080GNTB | 0.5300 | ![]() | 3876 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3E080 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8a(8a) | 4.5V,10V | 16.7MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 1mA | 5.8 NC @ 10 V | ±20V | 295 pf @ 15 V | - | 2W(TA),15W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1733TLR | - | ![]() | 5727 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SD1733 | 10 W | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 80 V | 1 a | 1µA(ICBO) | NPN | 400mv @ 20mA,500mA | 180 @ 500mA,3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E150BNTB | 0.6600 | ![]() | 5410 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3E150 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 15A(TA) | 4.5V,10V | 5.3MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZGTR39B | 0.0886 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZGTR39 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 30 V | 39 v | 85欧姆 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库