分立半导体产品(6960)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	类型	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	当前的	电压	电压隔离	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
SCS212AGC17	5.9100	询价	189	罗姆半导体	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2				SiC（碳化硅）肖特基		TO-220ACFP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-SCS212AGC17	EAR99	8541.10.0080	1,000		无恢复T>500mA(Io)																	650伏		1.55V@12A	0纳秒	600V时为240μA	175℃	12A	438pF@1V、1MHz
RQ5L030SNTL	0.6800	询价	9	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96		RQ5L030		MOSFET（金属O化物）		TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道					60V	3A（塔）	4V、10V	85毫欧@3A，10V	2.5V@1mA	5nC@5V	±20V	380pF@10V	-	700毫W（塔）
GDZ8EPT2R14	-	询价	3714	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的											-	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-GDZ8EPT2R14TR	EAR99	8541.10.0050	8,000
RSS090P03MB3TB1	-	询价	2149	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-RSS090P03MB3TB1TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人			P沟道					30V	9A（塔）	4V、10V	14毫欧@9A，10V	2.5V@1mA	39nC@5V	±20V	4000pF@10V	-	2W（塔）
EDZ9HKTE615.6B	-	询价	6844	罗姆半导体	经济特区	卷带式 (TR)	过时的	-	-55℃～125℃	表面贴装	SC-79、SOD-523		EDZ9HKT			100毫W	EMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-EDZ9HKTE615.6BTR	EAR99	8541.10.0050	3,000
RB238T-30NZC9	2.0100	询价	988	罗姆半导体	-	管子	的积极			通孔	TO-220-3全包		RB238		肖特基		TO-220FN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	50		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																1对共轴线	30V	40A	750毫伏@20安		12μA@30V	150℃
RBQ10BGE65ATL	1.4500	询价	171	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		RBQ10		肖特基		TO-252GE	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	2,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																1对共轴线	65V	10A	690 毫伏 @ 5 安		65V时为70μA	150℃
KDZTFTR5.6B	0.1996	询价	5600	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	-	-	表面贴装	SOD-123F		KDZTFTR5.6			1W	PMDU	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																							1.5V时为20μA													5.6V
RBR5L60ATE25	0.3972	询价	3265	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	DO-214AC、SMA		RBR5L60		肖特基		PMDS	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	60V		550毫伏@5安		60V时为250μA	150℃（最高）	5A	-
2SA1774EBTLS	0.0683	询价	2250	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	SC-89、SOT-490		2SA1774			150毫W	EMT3F（SOT-416FL）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																												50V	150毫安						100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@5毫安，50毫安	120@1mA，6V	140兆赫
RB088BGE-40TL	1.6100	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		RB088		肖特基		TO-252GE	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	2,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																1对共轴线	40V	5A	770 毫伏 @ 5 安		40V时为3μA	150℃
RB098BM100FHTL	1.0800	询价	1	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		RB098		肖特基		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	2,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																1对共轴线	100伏	6A	770 毫伏 @ 3 安	11.4纳秒	100V时为3μA	150℃（最高）
RTQ025P02HZGTR	0.7400	询价	164	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6		RTQ025		MOSFET（金属O化物）		TSMT6 (SC-95)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道					20V	2.5A（塔）	2.5V、4.5V	100mOhm@2.5A，4.5V	2V@1mA	6.4nC@4.5V	±12V	580pF@10V	-	950毫W（塔）
RGTH80TS65DGC13	6.5100	询价	第1273章	罗姆半导体	-	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		RGTH80	标准		234W	TO-247G	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-RGTH80TS65DGC13	EAR99	8541.29.0095	600				400V、40A、10欧姆、15V																		236纳秒					沟渠场站	650伏	70A	160A	2.1V@15V，40A	-	79nC	34纳秒/120纳秒
云台TTE252.7B	0.4800	询价	1	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±7.41%	150°C（太焦）	表面贴装	DO-214AC、SMA					1W	PMDS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	1,500人																							1V时为200μA													2.9V	15欧姆
RB088LAM-40TR	0.5100	询价	3	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128		RB088		肖特基		PMDTM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	40V		710 毫伏 @ 5 安		40V时为3.6μA	150℃	5A	-
RLZTE-115.6A	-	询价	7172	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	±3%	-	表面贴装	DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80					500毫W	LLDS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	2,500人																							2.5V时为5μA													5.6V	13欧姆
RBE05SM20AGJT2R	-	询价	8317	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-79、SOD-523				肖特基		EMD2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-RBE05SM20AGJT2RTR	EAR99	8541.10.0070	8,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	20V		530 毫伏 @ 500 毫安		150μA@20V	125℃	500毫安	-
RFN1LAM7STFTR	0.6000	询价	6	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128		RFN1LAM7		标准		PMDTM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	700伏		1.5V@800mA	80纳秒	700V时为1μA	150℃（最高）	800毫安	-
SCS220AGC17	7.5200	询价	4999	罗姆半导体	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2				SiC（碳化硅）肖特基		TO-220ACFP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-SCS220AGC17	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	650伏		1.55V@20A	0纳秒	600V时为400μA	175℃	20A	730pF @ 1V、1MHz
R6530KNXC7G	6.6700	询价	第894章	罗姆半导体	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		R6530		MOSFET（金属O化物）		TO-220FM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6530KNXC7G	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					650伏	30A（塔）	10V	140毫欧@14.5A，10V	5V@960μA	56nC@10V	±20V	2350pF@25V	-	86W（温度）
RP1E075RPTR	-	询价	5780	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入		RP1E075		MOSFET（金属O化物）		MPT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			P沟道					30V	7.5A（塔）	4V、10V	21毫欧@7.5A，10V	2.5V@1mA	21nC@5V	±20V	1900pF@10V	-	2W（塔）
TDZTR30B	-	询价	9560	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-55℃～150℃	表面贴装	2-SMD，写入		TDZTR30			500毫W	TUMD2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																							10μA@21V													30V
BM63564S-VA	25.1200	询价	39	罗姆半导体	-	管子	的积极			通孔	25-PowerDIP模块（1.134"，28.80mm）	IGBT	BM63564					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	天线塔				15A	600伏	1500Vrms
PDZVTR5.1A	0.4500	询价	100	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	±5.88%	150°C（太焦）	表面贴装	SOD-128		PDZVTR5.1			1W	PMDTM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																							1V时为20μA													5.1V	8欧姆
QS8M11TCR	0.9000	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-	表面贴装	8-SMD，写入		QS8M11		-	-	台积电8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道							30V	3.5A		-	-	-		-	-
BAV199HMFHT116	0.2600	询价	3	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		巴夫199		标准		固态硬盘3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)																1对中央	80V	215毫安（直流）	1.25V@150mA	3微秒	5nA@75V	150℃（最高）
RBQ10NS100ATL	1.9000	询价	970	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		RBQ10		肖特基		LPDS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																1对共轴线	100伏	10A	770 毫伏 @ 5 安		100V时为80μA	150℃
RGS50TSX2GC11	8.1700	询价	174	罗姆半导体	-	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		RGS50	标准		395 W	TO-247N	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-RGS50TSX2GC11	EAR99	8541.29.0095	30				600V，25A，10欧姆，15V																							沟渠场站	1200伏	50A	75A	2.1V@15V，25A	1.4mJ（开），1.65mJ（关）	67 纳克	37纳秒/140纳秒
BZX84C36VLYFHT116	0.3800	询价	2	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±5.56%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					250毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																							100nA@25V													36V	90欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²