SIC
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6960）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524knxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6524 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6524KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24A（24A） 10V 185mohm @ 11.3a，10v 5V @ 750µA 45 NC @ 10 V ±20V 1850 pf @ 25 V - 74W（TC）
RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS090P03HZGTB 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRS090 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 15.4mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 30 NC @ 5 V ±20V 3000 pf @ 10 V - 2W（TA）
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2280KeHRC11 15.1500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT2280 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT2280KEHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 14A（TC） 18V 364mohm @ 4a，18v 4V @ 1.4mA 36 NC @ 400 V +22V，-6V 667 PF @ 800 V - 108W（TC）
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW80 标准 214 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW80TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V，40a 110 NC 42NS/148NS
RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor RQ3G110ATTB 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3G110 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V （11a）（ta），35a（tc） 4.5V，10V 12.4mohm @ 11a，10v 2.5V @ 1mA 46 NC @ 10 V ±20V 2750 pf @ 20 V - 2W（TA）
R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor R6511knd3tl1 2.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6511 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 11A（TC） 10V 400MOHM @ 3.8A，10V 5V @ 320µA 22 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 124W（TC）
SCS220AGC17 Rohm Semiconductor SCS220AGC17 7.5200
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS220AGC17 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°C 20a 730pf @ 1V，1MHz
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS138 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 2.5V，10V 680MOHM @ 400mA，10V 2V @ 10µA ±20V 47 pf @ 30 V - 200mw（ta）
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RS3E MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 8.5MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 2mA 83 NC @ 10 V ±20V 3730 PF @ 15 V - 1.4W（TA）
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002ENHTB1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） R6002 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 1.7A（TA） 10V 3.4ohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 6.5 NC @ 10 V ±20V 65 pf @ 25 V - 2W（TA）
RB088T100NZC9 Rohm Semiconductor RB088T100NZC9 2.4100
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB088 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB088T100NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 10a 870 mv @ 5 a 5 µA @ 100 V 150°C
RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor RS6G120BGTB1 3.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS6G MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RS6G120BGTB1DKR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 120a（ta） 4.5V，10V 1.34MOHM @ 90A，10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 V ±20V 4240 pf @ 20 V - 104W（ta）
RQ3E100BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB1 1.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E100 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a（10A），21a （TC） 4.5V，10V 10.4mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 15 V - 2W（TA），15W（TC）
RXL035N03TCR Rohm Semiconductor RXL035N03TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RXL035 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3.5A（ta） 4V，10V 50mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 V ±20V 180 pf @ 10 V - 910MW（TA）
RQ3E070BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB1 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E070 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V （7A）（TA），15a （TC） 4.5V，10V 27mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 8.9 NC @ 10 V ±20V 410 pf @ 15 V - 2W（TA），13W（tc）
RGW40TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65GVC11 5.4100
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW40 标准 61 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW40TK65GVC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 27 a 80 a 1.9V @ 15V，20A （330µJ）（在300µJ上） 59 NC 33NS/76NS
RGTH60TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC13 5.2100
RFQ
 ECAD 8180 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGTH60 标准 194 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGTH60TS65GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 58 a 120 a 2.1V @ 15V，30a - 58 NC 27NS/105NS
RGW40TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65DGVC11 6.3500
RFQ
 ECAD 3728 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3PFM，SC-93-3 RGW40 标准 61 w to-3pfm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW40TK65DGVC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 92 ns 沟渠场停止 650 v 27 a 80 a 1.9V @ 15V，20A - 59 NC 33NS/76NS
RXH090N03TB1 Rohm Semiconductor RXH090N03TB1 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RXH090 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 17mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 6.8 NC @ 5 V ±20V 440 pf @ 10 V - 2W（TA）
RXH100N03TB1 Rohm Semiconductor RXH100N03TB1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RXH100 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 13mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 11 NC @ 5 V ±20V 800 pf @ 10 V - 2W（TA）
UT6J3TCR1 Rohm Semiconductor UT6J3TCR1 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerudfn UT6J3 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN2020-8D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3A（3A） 85MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 8.5nc @ 4.5V 2000pf @ 10V -
UFZVTE-174.7B Rohm Semiconductor UFZVTE-174.7B 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2.78％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F 500兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 V 4.7 v 25欧姆
RB068VWM-40TFTR Rohm Semiconductor RB068VM-40TFTR 0.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RB068 肖特基 PMDE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 790 mv @ 2 a 500 NA @ 40 V 175°C 2a -
RB168VWM100TFTR Rohm Semiconductor RB168VWM100TFTR 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RB168 肖特基 PMDE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 1 a 300 NA @ 100 V 175°C 1a -
RB068VWM150TFTR Rohm Semiconductor RB068VM150TFTR 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RB068 肖特基 PMDE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 960 mv @ 2 a 1 µA @ 150 V 175°C 2a -
SCT4062KEC11 Rohm Semiconductor SCT4062KEC11 15.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT4062 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT4062KEC11 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 1200 v 26a（TC） 18V 81mohm @ 12a，18v 4.8V @ 6.45mA 64 NC @ 18 V +21V，-4V 1498 PF @ 800 V - 115W
RB068VWM-30TFTR Rohm Semiconductor RB068VM-30TFTR 0.5800
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RB068 肖特基 PMDE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 750 mv @ 2 a 600 NA @ 30 V 175°C 2a -
UMH25NTN Rohm Semiconductor UMH25NTN 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMH25 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3017ALGC11 116.8400
RFQ
 ECAD 3059 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT3017 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT3017ALGC11 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 118a（TC） 18V 22.1mohm @ 47a，18v 5.6V @ 23.5mA 172 NC @ 18 V +22V，-4V 2884 pf @ 500 V - 427W
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65EHRC11 9.6400
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGS00 标准 326 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGS00TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，10ohm，15V 113 ns 沟渠场停止 650 v 88 a 150 a 2.1V @ 15V，50a - 58 NC 36NS/115NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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