RFQ
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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
kdztr2.7b	0.1836	RFQ	5623	Rohm半导体	KDZ	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±7％	-	表面安装	SOD-123F	kdztr2.7		1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			200 µA @ 1 V							2.7 v
2SCR502U3T106	0.4200	RFQ	70	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SCR502		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	500 MA	200NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，200mA	200 @ 100mA，2V	360MHz
KDZLVTFTR120	0.4500	RFQ	723	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	150°C	表面安装	SOD-123F	KDZLVTFTR120		1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			5 µA @ 91 V							120 v
RB205T-60NZC9	2.6200	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包	RB205	肖特基		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RB205T-60NZC9	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	15a	580 mv @ 7.5 a		600 µA @ 60 V	150°C
mtzjt-7222b	-	RFQ	3058	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7222b	Ear99	8541.10.0050	5,000																			200 na @ 17 V							22 v	30欧姆
UDZSTE-176.2B	0.4000	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	Udzste		200兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			1 µA @ 3 V							6.2 v	60欧姆
RUR040N02HZGTL	0.8000	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RUR040	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	35MOHM @ 4A，4.5V	1.3V @ 1mA	8 NC @ 4.5 V	±10V	680 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
RR255LA-400TR	-	RFQ	1251	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-RR255LA-400TR	Ear99	8541.10.0080	3,000
RBR2LAM60ATR	0.5300	RFQ	9429	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	RBR2LAM60	肖特基		PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		650 mv @ 2 a		75 µA @ 60 V	150°C （最大）	2a	-
RSX068MP2STR	0.5100	RFQ	4355	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F		肖特基		SOD-123FL	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		890 mv @ 2 a		100 na @ 200 V	175°C	2a	-
SH8M24TB1	1.6800	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M24	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			45V	4.5a，3.5a		46mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	9.6nc @ 5V		550pf @ 10V	-
DTC123TCAT116	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	2.2 kohms
BZX84B12VLT116	0.2600	RFQ	779	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±1.66％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		250兆	SSD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
RB098BM-40FNSTL	1.1000	RFQ	9231	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		肖特基		TO-252	-		3（168））					2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	3a	770 mv @ 3 a		1.5 µA @ 40 V	175°C
CDZVT2R24B	0.2400	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.21％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	CDZVT2		100兆	VMN2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																			100 na @ 19 V							24 V	120欧姆
SCT3160KLGC11	10.4900	RFQ	623	Rohm半导体	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3160	sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	1200 v	17a（TC）	18V	208MOHM @ 5A，18V	5.6V @ 2.5mA	42 NC @ 18 V	+22V，-4V	398 PF @ 800 V	-	103W（TC）
RR255M-400TR	0.2940	RFQ	5287	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOD-123	RR255	标准		PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		980 mv @ 700 mA		1 µA @ 400 V	150°C （最大）	700mA	-
RB521AS-30T2R	-	RFQ	4518	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	2-SMD，没有铅	RB521	肖特基		VML2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		500 mV @ 200 ma		30 µA @ 10 V	150°C （最大）	200mA	-
RP1E050RPTR	0.9000	RFQ	95	Rohm半导体	*	（CT）	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000
R5013ANXFU6	-	RFQ	8121	Rohm半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	500 v	13A（TA）	10V	380MOHM @ 6.5A，10V	4.5V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BSM600C12P3G201	1.0000	RFQ	7927	Rohm半导体	-	托盘	积极的		175°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM600	sicfet （碳化硅）		模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4			n通道	1200 v	600A（TC）	-	-	5.6V @ 182mA		+22V，-4V	28000 PF @ 10 V	-	2460W（TC）
2SAR554PFRAT100	0.4200	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR554		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																							80 V	1.5 a	1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 25mA，500mA	120 @ 100mA，3v	340MHz
SP8K1FRATB	1.3400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K1	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	5A（5A）		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V		230pf @ 10V	-
SCT3040KW7TL	38.8000	RFQ	8346	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT3040	sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	1200 v	56A（TC）		52Mohm @ 20a，18v	5.6V @ 10mA	107 NC @ 18 V	+22V，-4V	1337 PF @ 800 V	-	267W
PDZVTFTR10B	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101，PDZVTF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	PDZVTFTR10		1 w	PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			10 µA @ 7 V							10.6 v	6欧姆
RCD075N20TL	0.6045	RFQ	4169	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD075	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	200 v	7.5A（TC）	10V	325MOHM @ 3.75A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	755 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
SP8K31HZGTB	1.4900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K31	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SP8K31HZGTBTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	3.5A（ta）		120MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	5.2nc @ 5V		250pf @ 10V	-
SCS315AHGC9	8.2400	RFQ	412	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	SCS315	SIC （碳化硅）		TO-220ACP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v			0 ns	75 µA @ 650 V	175°c （最大）	15a	750pf @ 1V，1MHz
R6014YND3TL1	2.9100	RFQ	7545	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6014	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载		（1 （无限）					2,500			n通道	600 v	14A（TC）	10V，12V	260MOHM @ 5A，12V	6V @ 1.4mA	20 nc @ 10 V	±30V	890 pf @ 100 V	-	132W（TC）
RRR030P03HZGTL	0.6300	RFQ	15	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RRR030	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	3A（3A）	4V，10V	75MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 1mA	5.2 NC @ 5 V	±20V	480 pf @ 10 V	-	700MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²