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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 电流 -最大 | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EDZ9HUTE618.2B | - | ![]() | 9394 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | Edz9hut | 100兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-EDZ9HUTE618.2BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B15VLT116 | 0.2600 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 10 V | 15 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6009enx | 3.5500 | ![]() | 397 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6009 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 9A(TC) | 10V | 535MOHM @ 2.8A,10V | 4V @ 1mA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 430 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM450D12P4G102 | 1.0000 | ![]() | 6512 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 盒子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM450 | (SIC) | 1.45kW(TC) | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 846-BSM450D12P4G102 | 4 | 2 n通道 | 1200V | 447a(TC) | - | 4.8V @ 218.4mA | - | 44000pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN741VTE-17 | 0.1287 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | SC-90,SOD-323F | RN741 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | RN741VTE17 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 mA | 0.4pf @ 35V,1MHz | PIN-单 | 50V | 10欧姆 @ 10mA,100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dta114ymfhat2l | 0.2600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA114 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDX100N60FU6 | - | ![]() | 2763 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RDX100 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 10a(10a) | 10V | 650MOHM @ 5A,10V | 4V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4102U3T106R | 0.1126 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SC4102 | 200兆 | UMT3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-2SC4102U3T106RTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120 v | 50 mA | 500NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,1a | 390 @ 500mA,6v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF201L2SDDTE25 | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RF201 | 标准 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 870 mv @ 2 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA143 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB078RSM10STFTL1 | 1.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | RB078 | 肖特基 | TO-277A | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 5 a | 1.3 µA @ 100 V | 175°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521G-30T2R | - | ![]() | 6149 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-723 | RB521 | 肖特基 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 350 mv @ 10 mA | 10 µA @ 10 V | 125°c (最大) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RSS065N06FRATB | - | ![]() | 7929 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS065 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 6.5A(TA) | 4V,10V | 37mohm @ 6.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 16 NC @ 5 V | ±20V | 900 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT00TS65DGC11 | 5.8000 | ![]() | 385 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGT00 | 标准 | 277 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 54 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 85 a | 150 a | 2.1V @ 15V,50a | - | 94 NC | 42NS/137NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70T216 | - | ![]() | 3527 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SSD3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BAV70T216TR | 过时的 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 70 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030knxc7g | 6.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6030knxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 30a(TA) | 10V | 130MOHM @ 14.5A,10V | 5V @ 1mA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB228NS-30FHTL | 2.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | RB228 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 30a | 720 MV @ 15 A | 10 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1767T100Q | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD1767 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 80 V | 700 MA | 500NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 50mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ8.2TFHT106 | 0.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.37% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | UMZ8.2 | 200兆 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对普通阴极 | 500 na @ 5 v | 8.2 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT8J13TCR | 0.2165 | ![]() | 3914 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8J13 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 2.5a | 62MOHM @ 2.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 16nc @ 4.5V | 2000pf @ 6V | 逻辑级别门,1.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EUBTL | 0.0355 | ![]() | 9067 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA144E | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | DTA144 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DW7TL | 12.2500 | ![]() | 996 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | sicfet (碳化硅) | TO-263-7L | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 750 v | 31a(TJ) | 18V | 59mohm @ 17a,18v | 4.8V @ 8.89mA | 63 NC @ 18 V | +21V,-4V | 1460 pf @ 500 V | - | 93W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN3BGE2STL | 1.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN3B | 标准 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 980 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDX130N50 | 1.6372 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | ZDX130 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | ZDX130N50CT-ND | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 13A(TC) | 10V | 520MOHM @ 6.5A,10V | 4.5V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2180 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ptztfte2518b | 0.6100 | ![]() | 945 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.01% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 13 V | 19.15 v | 12欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB706UM-40TL | 0.3900 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | RB706 | 肖特基 | UMD3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 30mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 30 V | 125°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGPR10BM40FHTL | 0.9330 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜75°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RGPR10 | 标准 | 107 w | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300V,8A,100OHM,5V | - | 460 v | 20 a | 2.0V @ 5V,10a | - | 14 NC | 500NS/4µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VDZT2R15B | - | ![]() | 2108 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-723 | vdzt2 | 100兆 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 11 V | 14.7 v | 42欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115ECAT116 | 0.2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC115 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3L18BBGC16 | 7.6800 | ![]() | 7327 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3L18 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RX3L18BBGC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 240a(ta),180a (TC) | 4.5V,10V | 1.84MOHM @ 90A,10V | 2.5V @ 1mA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 11000 PF @ 30 V | - | 192W(TC) |
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