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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RX3G07CGNC16 | 2.4700 | ![]() | 602 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3G07 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RX3G07CGNC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 70A(TC) | 4.7MOHM @ 70A,10V | 2.5V @ 500µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 2410 pf @ 20 V | - | 78W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF2001T4S | 1.7500 | ![]() | 169 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RF2001 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.6 V @ 20 A | 30 ns | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 20a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521G-40FHT2R | - | ![]() | 5117 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-723 | RB521 | 肖特基 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 610 MV @ 100 mA | 100 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 100mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD150N06TL | 0.5924 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD150 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 15A(TA) | 4V,10V | 40mohm @ 15a,10v | 3V @ 1mA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 930 PF @ 10 V | - | 20W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M8TB | - | ![]() | 7833 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M8 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 6a,4.5a | 30mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 1mA | 7.2nc @ 5V | 520pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3904T93 | - | ![]() | 3774 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 2N3904 | 625兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7727C | - | ![]() | 7118 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-7727 | 500兆 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZFHTE615.1B | - | ![]() | 7213 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | EDZFHT | 100兆 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-Edzfhte615.1btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C27VLT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±7.04% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 19 V | 27 V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-173.6B | 0.3900 | ![]() | 3971 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±3.4% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzvfhte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DAN235UT106 | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 125°C(TJ) | SC-70,SOT-323 | Dan235 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 150兆 | 1.2pf @ 6V,1MHz | 标准-1对公共阴极 | 35V | 900MOHM @ 2mA,100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1579U3T106S | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SA1579 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-2SA1579U3T106STR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120 v | 50 mA | 500NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 1mA,10mA | 180 @ 2mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ27NFHT106 | 0.4500 | ![]() | 7335 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.4% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | UMZ27 | 200兆 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 100 na @ 21 V | 27 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-1727B | 0.3100 | ![]() | 9870 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.54% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVFHTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ5.1NFHT106 | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5.19% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | UMZ5.1 | 200兆 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 2 µA @ 1.5 V | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124ECAHZGT116 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA124 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P130SPFRATL | 1.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3P130 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 100 v | 13A(TA) | 4V,10V | 200mohm @ 6.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2400 PF @ 25 V | - | 20W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR563F3TR | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-udfn裸露的垫子 | 1 w | HUML2020L3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 50 V | 6 a | 1µA(ICBO) | NPN | 350mv @ 150mA,3a | 180 @ 500mA,3v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR523MT2L | 0.3500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | 2SAR523 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZSTE-174.7B | 0.4000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzste | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E240BNTB | 0.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | RS1E | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 24A(24A) | 4.5V,10V | 3.2MOHM @ 24A,10V | 2.5V @ 1mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 3900 PF @ 15 V | - | (3W)(30W)(30W)TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN10T2D | 1.4200 | ![]() | 194 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RFN10 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 980 mv @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX301LAM30TR | 0.4500 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RSX301 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 420 mv @ 3 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63377S-VA | 30.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.134英寸,28.80mm) | IGBT | BM63377 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63377S-VA | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 30 a | 600 v | 1500vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6003KND3TL1 | 1.6800 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | R6003 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 3A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 1A,10V | 5.5V @ 1mA | 8 nc @ 10 V | ±20V | 185 pf @ 25 V | - | 44W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB048RSM15STFTL1 | 1.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 880 mv @ 8 a | 3.7 µA @ 150 V | 175°C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ20BM100AFHTL | 2.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ20 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 690 mv @ 10 A | 200 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH25NTN | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMH25 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1576UBTLR | 0.2300 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-85 | 2SA1576 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA044EEBTL | 0.1900 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA044 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 |
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