电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RSD050N06TL | 0.2999 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD050 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 5A(5A) | 4V,10V | 109MOHM @ 5A,10V | 3V @ 1mA | 8 nc @ 10 V | ±20V | 290 pf @ 10 V | - | 15W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVTE-1762 | 0.3000 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzlvte | 200兆 | SOD-323FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 47 V | 62 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC143 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pdzvtftr2.0b | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,PDZVTF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTFTR2.0 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 500 mV | 2.12 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE2536B | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | - | 表面安装 | do-214ac,SMA | PTZTE2536 | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 27 V | 39.2 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J13TR | 0.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QS8J13 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 5.5a | 22mohm @ 5.5a,4.5V | 1V @ 1mA | 60nc @ 4.5V | 6300pf @ 6V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6047KNZ4C13 | 14.2000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6047 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6047KNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 47A(TC) | 10V | 72MOHM @ 25.8A,10V | 5V @ 1mA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 4300 PF @ 25 V | - | 481W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C18VLFHT116 | 0.1600 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.41% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 13 V | 17.95 v | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
R6015knzc8 | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6015 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5A,10V | 5V @ 1mA | 27.5 NC @ 10 V | ±20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E130MNTB1 | 0.5072 | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3E130 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 13A(TA) | 4.5V,10V | 8.1MOHM @ 13A,10V | 2.5V @ 1mA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 840 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2195T100 | 0.3969 | ![]() | 7876 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD2195 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 100 v | 2 a | 10µA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 1mA,1a | 1000 @ 1A,2V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B10VLT116 | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR293PT100 | 0.1856 | ![]() | 7739 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR293 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 25mA,500mA | 270 @ 100mA,2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR10NS40ATL | 1.4300 | ![]() | 909 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 5a | 620 MV @ 5 A | 120 µA @ 40 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS63AHZGT116 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BSS63 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 10mA,100mA | 30 @ 25mA,1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB500SM-30FHT2R | 0.2000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RB500 | 肖特基 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 450 mv @ 10 mA | 500 NA @ 10 V | 150°C (最大) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA24B | 0.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,CDZFH | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2.21% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-923 | CDZFHT2 | 100兆 | VMN2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 19 V | 24.25 v | 120欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR40NS60ATL | 2.0200 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR40 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 20a | 600 mv @ 20 a | 800 µA @ 60 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZGJTE615.6B | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | EDZGJT | 100兆 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-Edzgjte615.6btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ2W18000L | - | ![]() | 7208 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-DZ2W18000LTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mp6k13tcr | - | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MP6K13 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 6a | 31mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 1mA | 5NC @ 5V | 350pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0LT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3050TL | - | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SK3050 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 2A(TA) | 10V | 5.5OHM @ 1A,10V | 4V @ 1mA | 25.6 NC @ 10 V | ±30V | 280 pf @ 10 V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUC002N05T116 | 0.3200 | ![]() | 672 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RUC002 | MOSFET (金属 o化物) | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 50 V | 200ma(ta) | 1.2V,4.5V | 2.2OHM @ 200mA,4.5V | 1V @ 1mA | ±8V | 25 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN20TF6SFH | 1.3065 | ![]() | 7976 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFN20 | 标准 | TO-220NFM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 20 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TKAT146 | 0.2600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC114 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095BM-90TL | 0.7320 | ![]() | 8756 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB095 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 3a | 750 mv @ 3 a | 150 µA @ 90 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdzvtftr24b | 0.4700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,KDZVTF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±7.5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTFTR24 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 19 V | 25.8 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143XEFRATL | 0.2800 | ![]() | 6638 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA143 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3G500GNTL | 1.6100 | ![]() | 5179 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3G500 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 4.9mohm @ 50a,10v | 2.5V @ 1mA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 22800 PF @ 20 V | - | 35W(TC) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库