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| 参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 测试条件 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SCT2080KeHRC11 | 39.8900 | ![]() | 9310 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT2080 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SCT2080KeHRC11Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 40a(TC) | 18V | 117mohm @ 10a,18v | 4V @ 4.4mA | 106 NC @ 18 V | +22V,-6V | 2080 pf @ 800 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DB4X501K0R | - | ![]() | 4170 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-DB4X501K0RTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR1LAM30ATR | 0.4700 | ![]() | 380 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBR1LAM30 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 480 mv @ 1 a | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR340PT100Q | 0.6600 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SAR340 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 400 v | 100 ma | 10µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 2mA,20mA | 82 @ 10mA,10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B22VLYFHT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.82% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 15 V | 22 v | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH00TK65GC11 | 6.8200 | ![]() | 405 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3PFM,SC-93-3 | rgth00 | 标准 | 72 w | to-3pfm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 35 a | 200 a | 2.1V @ 15V,50a | - | 94 NC | 39NS/143NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTDG14GPT100 | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-243AA | DTDG14 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 a | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 400mv @ 5mA,500mA | 300 @ 500mA,2V | 80 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS208AGC | - | ![]() | 6141 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS208 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 8 A | 0 ns | 160 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 8a | 291pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST2907AHZGT116 | 0.2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST2907 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 600 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2654TLW | 0.4800 | ![]() | 308 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SD2654 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 300NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 1200 @ 1mA,5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMB3FHAT2R | 0.3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMB3FHAT2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA(ICBO) | 2 PNP-) | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pdzvtr6.8b | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.21% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR6.8 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 3.5 V | 7.25 v | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088NS150FHTL | 1.3100 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB088 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 880 mv @ 5 a | 10.7 ns | 15 µA @ 150 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| mtzjt-722.7b | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt722.7b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.7 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B7V5LYT116 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR2MM30ATFTR | 0.3900 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBR2MM30 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 530 mv @ 2 a | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020YNZ4C13 | 6.5700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6020 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-R6020YNZ4C13 | 30 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V,12V | 185mohm @ 6a,12v | 6V @ 1.65mA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1200 pf @ 100 V | - | 182W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA043ZEBTL | 0.1900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA043 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114TMT2L | 0.0615 | ![]() | 2429 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA114T | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA114 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RSS100N03FU6TB | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 13mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 14 NC @ 5 V | 20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2144STPW | - | ![]() | 4535 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 2SD2144 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 20 v | 500 MA | 500NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 20mA,500mA | 1200 @ 10mA,3v | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTZJT-774.7B | - | ![]() | 7094 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RT1C060UNTR | 0.2213 | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RT1C060 | MOSFET (金属 o化物) | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6a(6a) | 1.5V,4.5V | 28mohm @ 6a,4.5V | 1V @ 1mA | 11 NC @ 4.5 V | ±10V | 870 pf @ 10 V | - | 650MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA16B | 0.0649 | ![]() | 3838 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,CDZFH | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2.04% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-923 | CDZFHT2 | 100兆 | VMN2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 12 V | 16.18 v | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZVTR16A | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5.56% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR16 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 12 V | 16.2 v | 12欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| mtzjt-773.9b | - | ![]() | 7388 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB461FT106 | 0.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | RB461 | 肖特基 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 490 mv @ 700 mA | 200 µA @ 20 V | 125°c (最大) | 700mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH37NTN | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMH37 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20V | 400mA | 500NA(ICBO) | 2 NPN- 预偏(双重) | 100mv @ 3mA,30mA | 820 @ 10mA,5V | 35MHz | 10KOHMS | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63763S-VA | 20.5800 | ![]() | 9096 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.134英寸,28.80mm) | IGBT | BM63763 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 1500vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-1718B | 0.3000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65欧姆 |

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