分立半导体产品(6960)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
BCW72T116	0.1088	询价	1405	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW72			海温3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																			45V	100毫安	-			NPN	-	200@2mA，5V	-
SCT2450KEGC11	11.8600	询价	6721	罗姆半导体	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-247-3	SCT2450	SiCFET（碳化硅）		TO-247N	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-SCT2450KEGC11	EAR99	8541.29.0095	450		N沟道	1200伏	10A（温度）	18V	585毫欧@3A，18V	4V@900μA	27nC@18V	+22V、-6V	800V时为463pF	-	85W（温度）
DTC023YEBTL	0.1900	询价	5315	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-89、SOT-490	故障码023		150毫W	EMT3F（SOT-416FL）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	100毫安	-			NPN - 预偏置	150mV@500μA，5mA	35@5mA，10V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
DTC123EKAT146	0.2600	询价	42	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	故障码123		200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	20@20mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
DTA114EUAT106	0.2600	询价	18	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SC-70、SOT-323	DTA114		200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	50毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
RQ5E040RPTL	0.6500	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	RQ5E040	MOSFET（金属O化物）		TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	4A（塔）	4V、10V	45mOhm@4A，10V	2.5V@1mA	10.5nC@5V	±20V	1000pF@10V	-	700毫W（塔）
IMB3AT110	0.4700	询价	9538	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	IMB3		300毫W	SMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																			50V	100毫安	-			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@2.5mA、5mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
EMD62T2R	0.4700	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	EMD62		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																			50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	150mV@500μA，5mA	80@5mA，10V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
R6011KNX	1.9600	询价	第420章	罗姆半导体	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	R6011	MOSFET（金属O化物）		TO-220FM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	390毫欧@3.8A，10V	5V@1mA	22nC@10V	±20V	740pF@25V	-	53W（温度）
DTB143EKT146	0.4000	询价	5	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DTB143		200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	500毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	47@50mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
UFZVFHTE-178.2B	0.3100	询价	2	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±2.67%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-90、SOD-323F	超滤ZVFHTE		500毫W	UMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000															5V时为500nA							8.2V	8欧姆
2SD2674TL	0.4300	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	2SD2674		1W	TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	3,000																			12V	1.5安	100nA（ICBO）			NPN	200毫伏@25毫安、500毫安	270@200mA，2V	400兆赫
2SD2607FU6	-	询价	3685	罗姆半导体	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			2W	TO-220FN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500																			100伏	8A	10μA（ICBO）			NPN-达林顿	1.5V@6mA，3A	1000 @ 2A，3V	40兆赫
2SB1184TLQ	0.3795	询价	9833	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SB1184		1W	CPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																			60V	3A	1μA（ICBO）			国民党	1V@200mA，2A	120@500mA，3V	70兆赫
R5016ANJTL	2.9591	询价	9089	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	R5016	MOSFET（金属O化物）		LPTS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	16A（塔）	10V	270毫欧@8A，10V	4.5V@1mA	50nC@10V	±30V	1800pF@25V	-	100W（温度）
EMZ8T2R	0.1383	询价	9251	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	EMZ8T2		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																			50V、12V	150毫安、500毫安	100nA（ICBO）			NPN、PNP	400mV @ 5mA、50mA / 250mV @ 10mA、200mA	120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V	180兆赫、260兆赫
RCX081N20	1.1200	询价	173	罗姆半导体	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	RCX081	MOSFET（金属O化物）		TO-220FM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	200V	8A（温度）	10V	770毫欧@4A，10V	5.25V@1mA	10V时为8.5nC	±30V	330pF@25V	-	2.23W（Ta）、40W（Tc）
EMD6FHAT2R	0.0630	询价	7217	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SOT-563、SOT-666	EMD6FHAT2		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																			50V	100毫安	500nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
DTB543XMT2L	0.1134	询价	9534	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	DTB543		150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																			12V	500毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300毫伏@5毫安、100毫安	140@100mA，2V	260兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RBR5RSM40BTL1	1.0600	询价	3	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-277，3-PowerDFN		肖特基		TO-277A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	530 毫伏 @ 5 安	40V时为120μA	150℃	5A	-
2SB1561T100Q	0.7000	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SB1561		2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																			60V	2A	100nA（ICBO）			国民党	350mV@50mA，1A	120@500mA，2V	200兆赫
DTB113ZSTP	-	询价	4932	罗姆半导体	-	胶带和盒子 (TB)	过时的			通孔	SC-72 成型结构	DTB113		300毫W	SPT	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,000																			50V	500毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	56@50mA，5V	200兆赫	1欧姆	10欧姆
BZX84B24VLT116	-	询价	3617	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	±2.08%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BZX84		250毫W	固态硬盘3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000															17V时为100nA							24V	70欧姆
DTC144EETL	0.3500	询价	80	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码144		150毫W	紧急救治3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	68@5mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
R6015ANZC8	-	询价	7402	罗姆半导体	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	360		N沟道	600伏	15A（温度）	10V	300毫欧@7.5A，10V	4.15V@1mA	50nC@10V	±30V	1700pF@25V	-	110W（温度）
RHU002N06T106	0.4200	询价	56	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	RHU002	MOSFET（金属O化物）		UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	200mA（塔）	4V、10V	2.4欧姆@200mA，10V	-	4.4nC@10V	±20V	15pF@10V	-	200毫W（塔）
2SB1236TV2R	-	询价	1906年	罗姆半导体	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SIP			1W	全方位车	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																			120V	1.5安	1μA（ICBO）			国民党	2V@100mA，1A	180@100mA，5V	50兆赫
CDZFHT2RA12B	0.3900	询价	6	罗姆半导体	汽车、AEC-Q101、CDZFH	卷带式 (TR)	不适合新设计	±2.09%	150°C（太焦）	表面贴装	SOD-923	CDZFHT2		100毫W	虚拟网络2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	8,000															9V时为100nA							11.99V	30欧姆
EMH9T2R	0.4300	询价	5	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	有效MH9T2		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																			50V	100毫安	500纳安			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	68@5mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
DTA114EU3T106	0.2000	询价	6	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	DTA114		200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				100毫安	-			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²