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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RCX511N25	3.1700	RFQ	450	Rohm半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RCX511		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		250 v	51A（TC）	10V	65mohm @ 25.5A，10V	5V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	2.23W（ta），40W（TC）
TFZGTR30B	0.0886	RFQ	4105	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	-55°C〜150°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅	TFZGTR30			500兆	TUMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				200 na @ 23 V													30 V	55欧姆
RS1E240GNTB	0.9600	RFQ	22	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	24A（24A）	4.5V，10V	3.3MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	3W（TA），27.4W（TC）
SH8M13GZETB	0.4645	RFQ	8959	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M13		-	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				30V	6a，7a		29mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	18NC @ 5V		1200pf @ 10V	-
CDZVT2R3.9B	0.2700	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	150°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅	CDZVT2			100兆	VMN2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				5 µA @ 1 V													3.9 v	100欧姆
SP8M6FU6TB	-	RFQ	5999	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M6		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				30V	5a，3.5a		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	3.9nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
RP1E090XNTCR	-	RFQ	8243	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RP1E090		MOSFET （金属 o化物）		MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		30 V	9a（9a）	4V，10V	17mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	6.8 NC @ 5 V	±20V	440 pf @ 10 V	-	2W（TA）
SP8J2TB	1.3800	RFQ	1	Rohm半导体	*	（CT）	积极的					SP8J2		-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500													-
RTQ035N03TR	0.6500	RFQ	659	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RTQ035		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	54mohm @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.4 NC @ 4.5 V	±12V	285 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
RCD075N20TL	0.6045	RFQ	4169	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD075		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		200 v	7.5A（TC）	10V	325MOHM @ 3.75A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	755 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
DTC123JE3HZGTL	0.4100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC123			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
RGT00TS65DGC11	5.8000	RFQ	385	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGT00	标准		277 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，10ohm，15V															54 ns					沟渠场停止	650 v	85 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	-	94 NC	42NS/137NS
2SK2713	-	RFQ	3673	Rohm半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK27		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		450 v	5A（5A）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA		±30V	600 pf @ 10 V	-	30W（TC）
BAV70T216	-	RFQ	3527	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70		标准		SSD3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BAV70T216TR	过时的		3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	70 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 70 V	150°C （最大）
DTA143ZE3HZGTL	0.4100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA143			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
BZX84C10VLYFHT116	0.3800	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				200 na @ 7 V													10 v	20欧姆
DTA114ECAT116	0.1049	RFQ	2230	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	50 mA						500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
R6030knxc7g	6.6700	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6030		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6030knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	30a（TA）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
RB228NS-30FHTL	2.0600	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	RB228		肖特基		LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	30 V	30a	720 MV @ 15 A		10 µA @ 30 V	150°C （最大）
Udzvte-172.4b	0.2700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	Udzvte			200兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																																	2.4 v
RS3L045GNGZETB	0.8600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RS3L		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		60 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 4.5A，10V	2.7V @ 50µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	285 pf @ 30 V	-	2W（TA）
UDZWTE-176.2B	-	RFQ	5168	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-90，SOD-323F					UMD2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
Udzwte-1711b	-	RFQ	5727	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-90，SOD-323F					UMD2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
RB886YGT2R	-	RFQ	5903	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75-4，SOT-543			肖特基		EMD4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RB886YGT2RTR	过时的		8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													2独立	15 v	10mA（DC）	350 mv @ 1 mA		120 µA @ 5 V	125°c （最大）
2SD1767T100Q	0.6700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1767			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																									80 V	700 MA						500NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	120MHz
UMZ8.2TFHT106	0.5700	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.37％	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	UMZ8.2			200兆	UMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1对普通阴极																			500 na @ 5 v													8.2 v	30欧姆
UFZVTE-175.6B	0.3900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.5％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				500兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				5 µA @ 2.5 V													5.6 v	13欧姆
RB510SM-30FHT2R	0.2100	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SC-79，SOD-523	RB510		肖特基		EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														30 V		460 mv @ 10 mA		300 na @ 10 V	150°C （最大）	100mA	-
TT8J13TCR	0.2165	RFQ	3914	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8J13		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）				12V	2.5a		62MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	16nc @ 4.5V		2000pf @ 6V	逻辑级别门，1.5V
2SC4081U3T106Q	0.2400	RFQ	184	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4081			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	150 ma						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²