分立半导体产品(6960)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SK2715TL	-	询价	第2259章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2715	MOSFET（金属O化物）		CPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	500V	2A（塔）	10V	4欧姆@1A，10V	4V@1mA		±30V	280pF@10V	-	20W（温度）
2SD2675TL	0.5200	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	2SD2675		500毫W	TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							30V	1A	100nA（ICBO）			NPN	350mV@25mA、500mA	270@100mA，2V	320兆赫
RBR20BGE40ATL	2.1800	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RBR20	肖特基		TO-252GE	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	2,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	40V	20A	550毫伏@10安		40V时为360μA	150℃
2SB1184TLQ	0.3795	询价	9833	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SB1184		1W	CPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																							60V	3A	1μA（ICBO）			国民党	1V@200mA，2A	120@500mA，3V	70兆赫
UMB1NTN	0.0848	询价	5871	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMB1		150毫W	UMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	-	22k欧姆	22k欧姆
SP8M5TB	-	询价	8928	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SP8M5	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道			30V	6A、7A		30mOhm@6A，10V	2.5V@1mA	7.2nC@5V		520pF@10V	逻辑电平门
RSH125N03TB1	0.7215	询价	1324	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	RSH125	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	30V	12.5A（塔）	4V、10V	9.1毫欧@12.5A，10V	2.5V@1mA	28nC@5V	±20V	1670pF@10V	-	2W（塔）
RB481YFHT2R	-	询价	7738	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75-4、SOT-543		肖特基		EMD4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-RB481YFHT2RTR	过时的		8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												2 独立	30V	100毫安	430 毫伏 @ 100 毫安		10V时为30μA	125℃（最高）
2SD1864TV2R	-	询价	3502	罗姆半导体	-	切带 (CT)	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SIP	2SD1864		1W	全方位车	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																							50V	3A	1μA（ICBO）			NPN	1V@200mA，2A	180@500mA，3V	90兆赫
2SB1308T100P	-	询价	4385	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SB1308		2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																							20V	3A	500nA（ICBO）			国民党	450mV@150mA，1.5A	82@500mA，2V	120兆赫
2SA1759T100P	-	询价	4664	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SA1759		2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000																							400V	100毫安	10μA（ICBO）			国民党	500mV@2mA、20mA	82@10mA，10V	12兆赫兹
RSS065N03TB	0.5072	询价	3745	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	RSS065	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	30V	6.5A（塔）	4V、10V	26毫欧@6.5A，10V	2.5V@1mA	6.1nC@5V	±20V	430pF@10V	-	2W（塔）
TT8U2TCR	-	询价	3621	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TT8U2	MOSFET（金属O化物）		8-TSST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	20V	2.4A（塔）	1.5V、4.5V	105毫欧@2.4A，4.5V	1V@1mA	6.7nC@4.5V	±10V	850pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.25W（塔）
RDN150N20FU6	-	询价	9865	罗姆半导体	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	RDN150	MOSFET（金属O化物）		TO-220FN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			N沟道	200V	15A（塔）	10V	160毫欧@7.5A，10V	4V@1mA	64nC@10V	±30V	10V时为1224pF	-	40W（温度）
DTC114TSATP	-	询价	9284	罗姆半导体	-	胶带和盒子 (TB)	过时的			通孔	SC-72 成型结构	故障码114		300毫W	SPT	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,000																							50V	100毫安	500nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	10欧姆
UMZ33KFHTL	0.3500	询价	2	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	±2.49%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	UMZ33		200毫W	UMD4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000	2 独立																		100nA@25V							32.97V
RB168LAM100TFTR	0.4500	询价	1	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	RB168	肖特基		PMDTM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													100伏				100V时为400nA	150℃（最高）	1A	-
SCT3030KLHRC11	77.0900	询价	第714章	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SCT3030	SiCFET（碳化硅）		TO-247N	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	1200伏	72A（温度）	18V	39毫欧@27A，18V	5.6V@13.3mA	131nC@18V	+22V、-4V	800V时为2222pF	-	339W
DTC043XMT2L	0.2700	询价	7	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	故障码043		150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																							50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	150mV@500μA，5mA	35@5mA，10V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
DTA115GUAT106	0.0463	询价	第1776章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	DTA115		200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	82@5mA，5V	250兆赫		100欧姆
RDN050N20FU6	-	询价	4676	罗姆半导体	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	RDN050	MOSFET（金属O化物）		TO-220FN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			N沟道	200V	5A（塔）	10V	720毫欧@2.5A，10V	4V@1mA	18.6nC@10V	±30V	10V时为292pF	-	30W（温度）
2SC2412KT146R	0.2300	询价	76	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2412		200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN	400mV@5mA、50mA	180@1mA，6V	180兆赫
2SA2092TLR	-	询价	9378	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96			500毫W	TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							60V	1A	1μA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	180@100mA，2V	300兆赫
2SC5916TLQ	-	询价	3531	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	2SC5916		500毫W	TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							30V	2A	1μA（ICBO）			NPN	400mV@100mA，1A	120@100mA，2V	250兆赫
SSTA28T116	0.4800	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	海温异常28		200毫W	海温3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							80V	300毫安	500纳安			NPN-达林顿	1.5V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	200兆赫
2SAR553PT100	0.6200	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SAR553		2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																							50V	2A	1μA（ICBO）			国民党	400mV@35mA、700mA	180@50mA，2V	320兆赫
EMB4T2R	0.1035	询价	3963	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	EMB4T2		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安	-			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
QS5U16TR	0.2360	询价	1975年	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	QS5U16	MOSFET（金属O化物）		TSMT5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	30V	2A（塔）	2.5V、4.5V	100mOhm@2A，4.5V	1.5V@1mA	3.9nC@4.5V	±12V	175pF@10V	肖特基分散（隔离）	900毫W（塔）
RF071MM2STFTR	0.4800	询价	第893章	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	RF071	标准		PMDU	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													200V		850 毫伏 @ 700 毫安	25纳秒	10μA@200V	150℃（最高）	700毫安	-
云台TTE256.2B	0.6100	询价	第870章	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±6.06%	150°C（太焦）	表面贴装	DO-214AC、SMA			1W	PMDS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	1,500人																			3V时为20μA							6.6V	6欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²