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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA143EMT2L | 0.3900 | ![]() | 511 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-723 | DTA143 | 150毫W | VMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 30@10mA,5V | 250兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR372PHZGT100Q | 0.8000 | ![]() | 8341 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 500毫W | SOT-89 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120V | 700毫安 | 1μA(ICBO) | NPN | 300毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,5V | 220兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2674TL | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-96 | 2SD2674 | 1W | TSMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 12V | 1.5安 | 100nA(ICBO) | NPN | 200毫伏@25毫安、500毫安 | 270@200mA,2V | 400兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L30BTE25 | 0.2311 | ![]() | 3834 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | RBR3L30 | 肖特基 | PMDS | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 530毫伏 @ 3安 | 30V时为80μA | 150℃(最高) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| R6515ENZC8 | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3全包 | R6515 | MOSFET(金属O化物) | TO-3PF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 846-R6515ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 650伏 | 15A(温度) | 10V | 315毫欧@6.5A,10V | 4V@430μA | 40nC@10V | ±20V | 910pF@25V | - | 60W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMD4T2R | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | EMD4T2 | 150毫W | 紧急救治6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) | 300mV @ 500μA,10mA / 300mV @ 250μA,5mA | 68@5mA,5V | 250兆赫 | 47k欧姆、10k欧姆 | 47k欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RSH070P05GZETB | 2.1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | RSH070 | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | P沟道 | 45V | 7A(塔) | 4V、10V | 27毫欧@7A,10V | 2.5V@1mA | 5V时为47.6nC | ±20V | 4100pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 故障码123YETL | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | 故障码123 | 150毫W | 紧急救治3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 33@10mA,5V | 250兆赫 | 2.2欧姆 | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG4AT148 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | FMG4 | 300毫W | SMT5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | - | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@1mA、10mA | 100 @ 1mA,5V | 250兆赫 | 10k欧姆 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG8AT148 | 0.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | FMG8 | 300毫W | SMT5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 250兆赫 | 4.7k欧姆 | 47k欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1468STPS | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | SC-72 成型结构 | 300毫W | SPT | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 15V | 1A | 500nA(ICBO) | NPN | 400毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,3V | 150兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B24VLYFHT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2.08% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 17V时为100nA | 24V | 70欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-1122B | - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±3% | - | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | RLZTE-1122 | 500毫W | LLDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 17V时为200nA | 21.2V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JUAT106 | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 故障码123 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 250兆赫 | 2.2欧姆 | 47欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF103L2STE25 | 0.4900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 射频103 | 标准 | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 920毫伏@1安 | 20纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1424T100Q | 0.1982 | ![]() | 8589 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SB1424 | 500毫W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 20V | 3A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500mV@100mA,2A | 120@100mA,2V | 240兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2391T100Q | 0.7600 | ![]() | 第548章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SD2391 | 2W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60V | 2A | 100nA(ICBO) | NPN | 350mV@50mA,1A | 120@500mA,2V | 210兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ZSTP | - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | SC-72 成型结构 | DTB113 | 300毫W | SPT | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50V | 500毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300毫伏@2.5毫安、50毫安 | 56@50mA,5V | 200兆赫 | 1欧姆 | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMB3AT110 | 0.4700 | ![]() | 9538 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | IMB3 | 300毫W | SMT6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | - | 2 PNP - 预偏置(双) | 300mV@2.5mA、5mA | 100 @ 1mA,5V | 250兆赫 | 4.7k欧姆 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DA204KT146 | 0.4000 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | DA204 | 标准 | 贴片3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 1对中央 | 20V | 100毫安 | 1V@10mA | 100nA@15V | 150℃(最高) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMST2222AT146 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMST2222 | 200毫W | SMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 1V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E100BNTB | 0.4300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | RQ3E100 | MOSFET(金属O化物) | 8-HSMT (3.2x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 30V | 10A(塔) | 4.5V、10V | 10.4毫欧@10A、10V | 2.5V@1mA | 22nC@10V | ±20V | 1100pF@15V | - | 2W(塔) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD143ECHZGT116 | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | DTD143 | 200毫W | 海温3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 500毫安 | - | NPN - 预偏置 | 300毫伏@2.5毫安、50毫安 | 47@50mA,5V | 200兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
| R6025ANZC8 | - | ![]() | 8515 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-3PF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N沟道 | 600伏 | 25A(温度) | 10V | 150mOhm@12.5A,10V | 4.5V@1mA | 88nC@10V | ±20V | 3250pF@10V | - | 150W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC1741ASTPQ | - | ![]() | 9542 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 切带 (CT) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | SC-72 成型结构 | 2SC1741A | 300毫W | SPT | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50V | 500毫安 | 500nA(ICBO) | NPN | 400毫伏@15毫安,150毫安 | 120@100mA,3V | 250兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 云台2530A | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | ±7% | - | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 云台2530 | 1W | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,500人 | 10μA@23V | 30V | 18欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDN120N25FU6 | - | ![]() | 1825年 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | RDN120 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FN | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N沟道 | 250伏 | 12A(塔) | 10V | 210毫欧@6A,10V | 4V@1mA | 62nC@10V | ±30V | 10V时为1224pF | - | 40W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZVTR8.2B | 0.3700 | ![]() | 第561章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | -55℃~150℃ | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | TFZVTR8.2 | 500毫W | TUMD2M | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5V时为500nA | 8.2V | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144EEBHZGTL | 0.0415 | ![]() | 9937 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SC-89、SOT-490 | 故障码144 | 150毫W | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100毫安 | - | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 68@5mA,5V | 250兆赫 | 47欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ECT116 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | DTB113 | 200毫W | 海温3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 500毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300毫伏@2.5毫安、50毫安 | 33@50mA,5V | 200兆赫 | 1欧姆 | 1欧姆 |

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