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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RR2LAM4STFTR | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-128 | RR2LAM4 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMB51T2R | 0.4700 | ![]() | 4371 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMB51 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 30mA | 500NA | 2 PNP-) | 150MV @ 500µA,5mA | 60 @ 5mA,10v | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DAN217T146 | 0.3300 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | Dan217 | 标准 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 NA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR572D3TL1 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SAR572 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30 V | 5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 100mA,2a | 200 @ 500mA,3V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdzlvtftr91 | 0.4500 | ![]() | 4181 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtftr91 | 1 w | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 69 V | 91 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB551ASA-30FHT2RB | 0.4200 | ![]() | 1419 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | 肖特基 | DFN1006-2W | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 470 mv @ 500 mA | 100 µA @ 20 V | 125°C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZKAT146 | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA143 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
SP8K1TB | 0.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K1 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 5a | 51MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 1mA | 5.5nc @ 5V | 230pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6025JNZ4C13 | 9.5100 | ![]() | 597 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6025 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 15V | 182MOHM @ 12.5A,15V | 7V @ 4.5mA | 57 NC @ 15 V | ±30V | 1900 pf @ 100 V | - | 306W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
SP8K5TB | - | ![]() | 4828 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K5 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JU3T106 | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA123 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3065T100 | 0.7600 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SK3065 | MOSFET (金属 o化物) | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 2A(TA) | 2.5V,4V | 320MOHM @ 1A,4V | 1.5V @ 1mA | ±20V | 160 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SR154-400TE25 | - | ![]() | 2352 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1SR154-400 | 标准 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
SP8J5TB | 1.5669 | ![]() | 3256 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8J5 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 7a | 28mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 25nc @ 5V | 2600pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6M2TR | 0.6700 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | US6M2 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V,20V | 1.5a,1a | 240MOHM @ 1.5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 2.2nc @ 4.5V | 80pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
R6020NZM12C8 | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6020 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 846-R6020NZM12C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a,10V | 4V @ 1mA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1400 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHU003N03T106 | 0.0964 | ![]() | 8166 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | Rhu003 | MOSFET (金属 o化物) | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 300mA(TA) | 4V,10V | 1.2OHM @ 300mA,10V | - | ±20V | 20 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||||
SP8M6TB | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M6 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 5a,3.5a | 51MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.9nc @ 5V | 230pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068mm-60Tr | 0.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RB068 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 765 mv @ 2 a | 1.5 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW156HMFHT116 | 0.0659 | ![]() | 3140 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAW156 | 标准 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBS2MM40BTR | 0.1139 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBS2MM40 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 410 mv @ 2 a | 500 µA @ 20 V | 125°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | uml6ntr | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UML6 | 120兆 | UMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN +二极管(隔离) | 250mv @ 10mA,200mA | 270 @ 10mA,2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US5K3TR | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | (CT) | 过时的 | US5K3 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | US5K3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3541T2L | 0.4700 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | 2SK3541 | MOSFET (金属 o化物) | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 30 V | (100mA)(TA) | 2.5V,4V | 8ohm @ 10mA,4V | 1.5V @ 100µA | ±20V | 13 pf @ 5 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX205LAM30TR | 0.4700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RSX205 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 490 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E050ATTCL | 0.6900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5E050 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 5A(5A) | 4.5V,10V | 26mohm @ 5a,10v | 2.5V @ 1mA | 19.4 NC @ 10 V | ±20V | 880 pf @ 15 V | - | 760MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR572D3TL1 | 0.8500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SCR572 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30 V | 5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 400mv @ 100mA,2a | 200 @ 500mA,3V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-175.1B | 0.3100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.55% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVFHTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1.5 V | 5.1 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB050LA-40TFTR | - | ![]() | 8907 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | RB050 | 肖特基 | PMDT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 846-RB050LA-40TFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5Y1TR | 0.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | QS5Y1 | 1.25W | TSMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30V | 3a | 1µA(ICBO) | NPN,PNP (发射器耦合) | 400mv @ 50mA,1a | 200 @ 500mA,2V | 300MHz,270MHz |
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