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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
DTA143EMT2L Rohm Semiconductor DTA143EMT2L 0.3900
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ECAD 511 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-723 DTA143 150毫W VMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300mV@500μA,10mA 30@10mA,5V 250兆赫 4.7欧姆 4.7欧姆
2SCR372PHZGT100Q Rohm Semiconductor 2SCR372PHZGT100Q 0.8000
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ECAD 8341 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 500毫W SOT-89 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 120V 700毫安 1μA(ICBO) NPN 300毫伏@50毫安,500毫安 120@100mA,5V 220兆赫
2SD2674TL Rohm Semiconductor 2SD2674TL 0.4300
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-96 2SD2674 1W TSMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 3,000 12V 1.5安 100nA(ICBO) NPN 200毫伏@25毫安、500毫安 270@200mA,2V 400兆赫
RBR3L30BTE25 Rohm Semiconductor RBR3L30BTE25 0.2311
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ECAD 3834 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 DO-214AC、SMA RBR3L30 肖特基 PMDS - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 530毫伏 @ 3安 30V时为80μA 150℃(最高) 3A -
R6515ENZC8 Rohm Semiconductor R6515ENZC8 -
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ECAD 2743 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 R6515 MOSFET(金属O化物) TO-3PF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 846-R6515ENZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 650伏 15A(温度) 10V 315毫欧@6.5A,10V 4V@430μA 40nC@10V ±20V 910pF@25V - 60W(温度)
EMD4T2R Rohm Semiconductor EMD4T2R 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 EMD4T2 150毫W 紧急救治6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100毫安 500纳安 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 300mV @ 500μA,10mA / 300mV @ 250μA,5mA 68@5mA,5V 250兆赫 47k欧姆、10k欧姆 47k欧姆
RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor RSH070P05GZETB 2.1700
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ECAD 10 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) RSH070 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 45V 7A(塔) 4V、10V 27毫欧@7A,10V 2.5V@1mA 5V时为47.6nC ±20V 4100pF@10V - 2W(塔)
DTC123YETL Rohm Semiconductor 故障码123YETL 0.4500
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-75、SOT-416 故障码123 150毫W 紧急救治3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@500μA,10mA 33@10mA,5V 250兆赫 2.2欧姆 10欧姆
FMG4AT148 Rohm Semiconductor FMG4AT148 0.5200
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ECAD 3 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-74A、SOT-753 FMG4 300毫W SMT5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 - 2 NPN - 预偏置(双) 300mV@1mA、10mA 100 @ 1mA,5V 250兆赫 10k欧姆 -
FMG8AT148 Rohm Semiconductor FMG8AT148 0.4600
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ECAD 8 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 SC-74A、SOT-753 FMG8 300毫W SMT5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 500纳安 2 NPN - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 250兆赫 4.7k欧姆 47k欧姆
2SD1468STPS Rohm Semiconductor 2SD1468STPS -
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ECAD 1704 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 SC-72 成型结构 300毫W SPT 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 5,000 15V 1A 500nA(ICBO) NPN 400毫伏@50毫安,500毫安 120@100mA,3V 150兆赫
BZX84B24VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B24VLYFHT116 0.4200
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±2.08% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 17V时为100nA 24V 70欧姆
RLZTE-1122B Rohm Semiconductor RLZTE-1122B -
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ECAD 6345 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 ±3% - 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 RLZTE-1122 500毫W LLDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 2,500人 17V时为200nA 21.2V 30欧姆
DTC123JUAT106 Rohm Semiconductor DTC123JUAT106 0.2600
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ECAD 5 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 SC-70、SOT-323 故障码123 200毫W UMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 250兆赫 2.2欧姆 47欧姆
RF103L2STE25 Rohm Semiconductor RF103L2STE25 0.4900
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ECAD 83 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 DO-214AC、SMA 射频103 标准 PMDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 920毫伏@1安 20纳秒 10μA@200V 150℃(最高) 1A -
2SB1424T100Q Rohm Semiconductor 2SB1424T100Q 0.1982
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ECAD 8589 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SB1424 500毫W MPT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) 国民党 500mV@100mA,2A 120@100mA,2V 240兆赫
2SD2391T100Q Rohm Semiconductor 2SD2391T100Q 0.7600
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ECAD 第548章 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SD2391 2W MPT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 2A 100nA(ICBO) NPN 350mV@50mA,1A 120@500mA,2V 210兆赫
DTB113ZSTP Rohm Semiconductor DTB113ZSTP -
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ECAD 4932 0.00000000 罗姆半导体 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 SC-72 成型结构 DTB113 300毫W SPT 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 500毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 56@50mA,5V 200兆赫 1欧姆 10欧姆
IMB3AT110 Rohm Semiconductor IMB3AT110 0.4700
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ECAD 9538 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-74、SOT-457 IMB3 300毫W SMT6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 - 2 PNP - 预偏置(双) 300mV@2.5mA、5mA 100 @ 1mA,5V 250兆赫 4.7k欧姆 -
DA204KT146 Rohm Semiconductor DA204KT146 0.4000
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ECAD 4466 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 DA204 标准 贴片3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 1对中央 20V 100毫安 1V@10mA 100nA@15V 150℃(最高)
MMST2222AT146 Rohm Semiconductor MMST2222AT146 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMST2222 200毫W SMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 100nA(ICBO) NPN 1V@50mA、500mA 100@150mA,10V 300兆赫
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB 0.4300
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ECAD 103 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN RQ3E100 MOSFET(金属O化物) 8-HSMT (3.2x3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 10A(塔) 4.5V、10V 10.4毫欧@10A、10V 2.5V@1mA 22nC@10V ±20V 1100pF@15V - 2W(塔)
DTD143ECHZGT116 Rohm Semiconductor DTD143ECHZGT116 0.2500
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 DTD143 200毫W 海温3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 500毫安 - NPN - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 47@50mA,5V 200兆赫 4.7欧姆 4.7欧姆
R6025ANZC8 Rohm Semiconductor R6025ANZC8 -
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ECAD 8515 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-3PF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 360 N沟道 600伏 25A(温度) 10V 150mOhm@12.5A,10V 4.5V@1mA 88nC@10V ±20V 3250pF@10V - 150W(温度)
2SC1741ASTPQ Rohm Semiconductor 2SC1741ASTPQ -
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ECAD 9542 0.00000000 罗姆半导体 - 切带 (CT) 过时的 150°C(太焦) 通孔 SC-72 成型结构 2SC1741A 300毫W SPT 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 500毫安 500nA(ICBO) NPN 400毫伏@15毫安,150毫安 120@100mA,3V 250兆赫
PTZTE2530A Rohm Semiconductor 云台2530A 0.5200
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 ±7% - 表面贴装 DO-214AC、SMA 云台2530 1W PMDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1,500人 10μA@23V 30V 18欧姆
RDN120N25FU6 Rohm Semiconductor RDN120N25FU6 -
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ECAD 1825年 0.00000000 罗姆半导体 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 RDN120 MOSFET(金属O化物) TO-220FN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 500 N沟道 250伏 12A(塔) 10V 210毫欧@6A,10V 4V@1mA 62nC@10V ±30V 10V时为1224pF - 40W(温度)
TFZVTR8.2B Rohm Semiconductor TFZVTR8.2B 0.3700
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ECAD 第561章 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 - -55℃~150℃ 表面贴装 2-SMD,写入 TFZVTR8.2 500毫W TUMD2M 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 5V时为500nA 8.2V 8欧姆
DTC144EEBHZGTL Rohm Semiconductor DTC144EEBHZGTL 0.0415
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ECAD 9937 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 SC-89、SOT-490 故障码144 150毫W EMT3F(SOT-416FL) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 100毫安 - NPN - 预偏置 300mV@500μA,10mA 68@5mA,5V 250兆赫 47欧姆 47欧姆
DTB113ECT116 Rohm Semiconductor DTB113ECT116 0.3700
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 DTB113 200毫W 海温3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 33@50mA,5V 200兆赫 1欧姆 1欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库