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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC143ZCAHZGT116 | 0.1900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC143 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFU01SM4ST2R | 0.4300 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RFU01 | 标准 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 450 v | 1.8 V @ 100 mA | 35 ns | 10 µA @ 450 V | 150°C | 100mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS355WTE-17 | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | 1SS355 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR5L60ADDTE25 | 0.8800 | ![]() | 718 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RBR5L60 | 肖特基 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 550 mv @ 5 a | 250 µA @ 60 V | 150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144TCAT116 | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA144 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR502E3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SCR502 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 500 MA | 200NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 10mA,200mA | 200 @ 100mA,2V | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSC002P03T316 | 0.3200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RSC002 | MOSFET (金属 o化物) | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 250mA(ta) | 4V,10V | 1.4OHM @ 250mA,10V | 2.5V @ 1mA | ±20V | 30 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144Eetl | 0.3500 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC144 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA124 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8KC6TCR | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QH8KC6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W(TA) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 5.5A(ta) | 30mohm @ 5.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 7.6nc @ 10V | 460pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-727.5A | - | ![]() | 7077 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT727.5A | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | yfzvfhtr3.0b | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±3.37% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | yfzvfhtr3.0 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 µA @ 1 V | 3.12 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJU003N03T106 | 0.4700 | ![]() | 176 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | RJU003 | MOSFET (金属 o化物) | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 300mA(TA) | 2.5V,4.5V | 1.1OHM @ 300mA,4.5V | 1.5V @ 1mA | ±12V | 24 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JUBHZGTL | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTA123 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN2L6STE25 | 0.2901 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RFN2L6 | 标准 | PMD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 1.5 A | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ800N06TL | 2.0801 | ![]() | 2576 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RSJ800 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 80a(ta) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3LAM30ATR | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-128 | RBR3LAM30 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 580 mv @ 3 a | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B13VLT116 | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2.3% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1326TV2R | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 3-SIP | 2SB1326 | 1 w | ATV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 20 v | 5 a | 500NA(ICBO) | PNP | 1V @ 100mA,4a | 180 @ 500mA,2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SR139-400T-32 | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-41 mini,轴向 | 1SR139 | 标准 | MSR | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZGTR13B | 0.0886 | ![]() | 6655 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZGTR13 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 10 V | 13 V | 14欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC2640F0R | - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-23-6 | DMC2640 | 300MW | mini6-g4-b | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-DMC2640F0RTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 250mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,10v | - | 4.7kohms | 10KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF201LAM4STR | 0.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RF201 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1.5 A | 30 ns | 1 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB715UMFHTL | 0.4200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | RB715 | 肖特基 | UMD3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 30mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848BWT106 | 0.3900 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC848 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZT8EPT2R14 | - | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-GDZT8EPT2R14TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRS090P03TB1 | - | ![]() | 1552 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9a(9a) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1705TL | 0.2120 | ![]() | 6634 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SB1705 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 3 a | 100NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 30mA,1.5a | 270 @ 500mA,2V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA044EMT2L | 0.2400 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA044 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 30 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EMFHAT2L | 0.0668 | ![]() | 9367 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-723 | DTA124 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS |
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