电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 测试条件 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 集电极脉冲电流(Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KDZVTR3.0B | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | KDZV | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6.67% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | KDZVTR3.0 | 1W | PMDU | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1V时为100μA | 3.2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR583D3TL1 | 1.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 10W | TO-252 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | 50V | 7A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 400mV@150mA,3A | 180@1A,3V | 230兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSX1TR | 0.2767 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 | QSX1 | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 12V | 6A | 100nA(ICBO) | NPN | 200mV@60mA,3A | 270@500mA,2V | 250兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD543ZE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | DTD543 | 150毫W | 紧急救治3 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12V | 500毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 + 差分 | 300毫伏@5毫安、100毫安 | 140@100mA,2V | 260兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-403TTE61 | - | ![]() | 2868 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | RB520 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-RB520S-403TTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMX52T2R | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | EMX52 | 150毫W | 紧急救治6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 2 NPN(双) | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 120@1mA,6V | 350兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25T116 | 0.0878 | ![]() | 3843 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | - | - | BC807 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45V | 500毫安 | - | 国民党 | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 160@100mA,1V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZTE614.7B | - | ![]() | 8117 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | EDZTE614 | 150毫W | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1V时为2μA | 4.7V | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH9T2R | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | 有效MH9T2 | 150毫W | 紧急救治6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@250μA,5mA | 68@5mA,5V | 250兆赫 | 10k欧姆 | 47k欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ8NTR | 0.1049 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | UMZ8 | 150毫W | UMT6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V、12V | 150毫安、500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN、PNP | 400mV @ 5mA、50mA / 250mV @ 10mA、200mA | 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V | 180兆赫、260兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA27B | 0.0649 | ![]() | 8297 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车、AEC-Q101、CDZFH | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | ±2.49% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-923 | CDZFHT2 | 100毫W | 虚拟网络2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100nA@21V | 26.86V | 150欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMA2AT148 | 0.4700 | ![]() | 510 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | FMA2 | 300毫W | SMT5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 2 PNP - 预偏置(双) | 300mV@500μA,10mA | 68@5mA,5V | 250兆赫 | 47k欧姆 | 47k欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVFHT2R20B | 0.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2.18% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | EDZVFHT2 | 150毫W | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100nA@15V | 20V | 85欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ035P03TR | 0.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET(金属O化物) | TSMT6 (SC-95) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P沟道 | 30V | 3.5A(塔) | 4V、10V | 65毫欧@3.5A,10V | 2.5V@1mA | 9.2nC@5V | ±20V | 780pF@10V | - | 1.25W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFV8TG6SGC9 | 0.6674 | ![]() | 7491 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | RFV8TG6 | 标准 | TO-220ACFP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-RFV8TG6SGC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.8V@8A | 45纳秒 | 600V时为10μA | 150℃(最高) | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1326TV2Q | - | ![]() | 8352 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 切带 (CT) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SIP | 2SB1326 | 1W | 全方位车 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500人 | 20V | 5A | 500nA(ICBO) | 国民党 | 1V@100mA,4A | 120@500mA,2V | 120兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS60TS65HRC11 | 6.6200 | ![]() | 2818 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | RGS60 | 标准 | 223 W | TO-247N | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-RGS60TS65HRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30A,10欧姆,15V | 沟渠场站 | 650伏 | 56A | 90A | 2.1V@15V,30A | 660μJ(开),810μJ(关) | 36 纳克 | 28纳秒/104纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB886YT2R | - | ![]() | 7035 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-75-4、SOT-543 | RB886Y | 肖特基 | EMD4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 2 独立 | 15V | 10毫安(直流) | 350毫伏@1毫安 | 5V时为120μA | 125℃(最高) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168LAM150TFTR | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | RB168 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 150V时为2.5μA | 150℃(最高) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114WSATP | - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | SC-72 成型结构 | 故障码114 | 300毫W | SPT | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 24@10mA,5V | 250兆赫 | 10欧姆 | 4.7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088LAM-30TFTR | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | RB088 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 30V时为2.5μA | 150℃(最高) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB530VM-40FHTE-17 | 0.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | RB530 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 690 毫伏 @ 100 毫安 | 40V时为15μA | 150℃(最高) | 100毫安 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMB11T2R | 0.3900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | EMB11 | 150毫W | 紧急救治6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 2 PNP - 预偏置(双) | 300mV@500μA,10mA | 20@5mA,5V | 250兆赫 | 10k欧姆 | 10k欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZFHTE6133B | - | ![]() | 5280 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 经济特区 | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | -55℃~125℃ | 表面贴装 | EDZFHT | 100毫W | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-EDZFHTE6133BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144GUAT106 | 0.0536 | ![]() | 第1775章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 故障码144 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 68@5mA,5V | 250兆赫 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZGTE6133B | - | ![]() | 6683 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 经济特区 | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | -55℃~125℃ | 表面贴装 | EDZGT | 100毫W | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-EDZGTE6133BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA024EUBTL | 0.3000 | ![]() | 704 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-85 | DTA024 | 200毫W | UMT3F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 30毫安 | - | PNP - 预偏置 | 150mV@500μA,5mA | 60@5mA,10V | 250兆赫 | 22欧姆 | 22欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA4.7B | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车、AEC-Q101、CDZFH | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | ±2.15% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-923 | CDZFHT2 | 100毫W | 虚拟网络2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1V时为2μA | 4.65V | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB511VM-30TE-17 | 0.3100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | RB511 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 30V | 370毫伏@10毫安 | 10V时为7μA | 125℃(最高) | 100毫安 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMST918T146 | - | ![]() | 4207 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMST918 | 200毫W | SMT3 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 846-MMST918T146TR | 3,000 | 15分贝 | 15V | 50A | NPN | 20@3mA,1V | 600兆赫 | 6dB@60MHz |

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库