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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RSS065N03FU6TB	-	RFQ	3042	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS065	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.5A（TA）	4V，10V	26mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	6.1 NC @ 5 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RB520SM-40T2R	0.3700	RFQ	92	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	RB520	肖特基		EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													40 V		550 mv @ 100 ma		10 µA @ 40 V	150°C （最大）	200mA	-
2SD1760TLP	0.3412	RFQ	9097	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1760		15 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																						50 V	3 a	1µA（ICBO）			NPN	1V @ 200mA，2a	82 @ 500mA，3v	90MHz
TDZTR22	0.1088	RFQ	6622	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±10％	150°C（TJ）	表面安装	2-SMD，平坦的铅	TDZTR22		500兆	TUMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		10 µA @ 16 V							22 v
SST6838T216	0.0487	RFQ	5647	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST6838		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																						40 V	200 ma	500NA（ICBO）			NPN	400mv @ 5mA，50mA	150 @ 10mA，5V	180MHz
dtc024xubtl	0.0488	RFQ	3225	Rohm半导体	DTC024X	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-85	DTC024		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	500NA			npn- +二极管	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	22 KOHMS
2SCR523UBTL	0.2100	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-85	2SCR523		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	350MHz
tfztr11b	0.0886	RFQ	7154	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	-55°C〜150°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅	TFZTR11		500兆	TUMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									11 V
IMB1AT110	0.1088	RFQ	8010	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SC-74，SOT-457	IMB1		300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	500NA			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	-	22KOHMS	22KOHMS
RQ3E120ATTB	0.7700	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3E120	MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	8mohm @ 12a，10v	2.5V @ 1mA	62 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	2W（TA）
umc2ntr	0.1107	RFQ	5421	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UMC2		150MW	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	30mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
R6535knzc8	-	RFQ	4720	Rohm半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6535	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-R6535KNZC8	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	35A（TC）	10V	115mohm @ 18.1a，10v	5V @ 1.21MA	72 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	102W（TC）
RDD020N60TL	0.6600	RFQ	2007	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RDD020	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2A（TA）	10V	-	-		±30V		-	20W（TC）
RB521SM-30T2R	0.3000	RFQ	24	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	RB521	肖特基		EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		470 mv @ 200 ma		30 µA @ 10 V	150°C （最大）	200mA	-
tfzvtr39b	0.3700	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±3％	150°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅	TFZVTR39		500兆	tumd2m	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		200 na @ 30 V							39 v	85欧姆
BZX84C3V6LFHT116	0.1600	RFQ	525	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±5.56％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		250兆	SSD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		5 µA @ 1 V							3.6 v	90欧姆
DTA123YE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA123		150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA123YE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
RB521CS-30T2R	0.4800	RFQ	13	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOD-923	RB521	肖特基		VMN2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		350 mv @ 10 mA		10 µA @ 10 V	150°C （最大）	100mA	-
DAN222WMTL	0.3100	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	Dan222	标准		EMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 NA @ 70 V	150°C （最大）
2SA2007E	2.6300	RFQ	397	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA2007		25 w	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																						60 V	12 a	10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 400mA，8a	320 @ 2a，2v	80MHz
RBR3MM60ATFTR	0.4400	RFQ	28	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	RBR3MM60	肖特基		PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		660 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	150°C （最大）	3a	-
RBR3L30BTE25	0.2311	RFQ	3834	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	do-214ac，SMA	RBR3L30	肖特基		PMD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		530 mv @ 3 a		80 µA @ 30 V	150°C （最大）	3a	-
RB706D-40FHT146	0.5900	RFQ	905	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RB706	肖特基		SMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对系列连接	40 V	30mA	370 mv @ 1 mA		1 µA @ 10 V	125°c （最大）
RFN20TB4SNZC9	2.2500	RFQ	992	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2完整包	RFN20	标准		TO-220NFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RFN20TB4SNZC9	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													430 v		1.55 V @ 20 A	30 ns	10 µA @ 430 V	150°C	20a	-
2SA2018E3TL	0.4800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SA2018		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																						12 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
EMB4T2R	0.1035	RFQ	3963	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	EMB4T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																						50V	100mA	-			2 PNP-）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
DTA014YMT2L	0.2400	RFQ	4048	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTA014		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																						50 V	70 MA	-			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
2SA1797T100P	0.6500	RFQ	24	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1797		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																						50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	350mv @ 50mA，1a	82 @ 500mA，2V	200MHz
SCS220AEC	-	RFQ	4758	Rohm半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	SCS220	SIC （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	360	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.55 V @ 20 A	0 ns	400 µA @ 600 V	175°c （最大）	20a	730pf @ 1V，1MHz
DTC143ZSATP	-	RFQ	3727	Rohm半导体	-	（TB）	过时的			通过洞	SC-72形成铅	DTC143		300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																						50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²