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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMG1T2R | 0.3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | EMG1T2 | 150MW | EMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1275TLP | 1.0500 | ![]() | 653 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SB1275 | 10 W | CPT3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 160 v | 1.5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 2V @ 100mA,1a | 82 @ 100mA,5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN20NS3STL | 2.9900 | ![]() | 868 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RFN20 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 350 v | 1.35 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 350 V | 150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023EUBTL | 0.0536 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA023E | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | DTA023 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100mA | pnp- +二极管 | 250mv @ 1mA,10mA | 20 @ 20mA,10v | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | r8002anjfrgtl | 2.7200 | ![]() | 7191 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R8002 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 2A(TC) | 10V | 4.3OHM @ 1A,10V | 5V @ 1mA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 250 pf @ 25 V | - | 62W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | YFZVFHTR6.8B | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.55% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | YFZVFHTR6.8 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 3.5 V | 6.66 v | 8欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZETL | 0.3500 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC143 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA114 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3541T2L | 0.4700 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | 2SK3541 | MOSFET (金属 o化物) | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 30 V | (100mA)(TA) | 2.5V,4V | 8ohm @ 10mA,4V | 1.5V @ 100µA | ±20V | 13 pf @ 5 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||
mtzjt-7211c | - | ![]() | 6204 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7211c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dta123yetl | 0.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA123 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E100BNTB | 0.4300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3E100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4.5V,10V | 10.4mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1100 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JUAT106 | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC123 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZGTR27B | 0.4800 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZGTR27 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMH15AT110 | 0.0954 | ![]() | 6754 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | IMH15 | 300MW | SMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 47kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B8V2LYT116 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.95% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 700 na @ 5 V | 8.2 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR513PFRAT100 | 0.4900 | ![]() | 999 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR513 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 1 a | 1µA(ICBO) | NPN | 350mv @ 25mA,500mA | 180 @ 50mA,2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5Y2FSTR | 0.6400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | QS5Y2 | 500MW | TSMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 3a | 1µA(ICBO) | NPN,PNP (发射器耦合) | 350mv @ 50mA,1a / 400mv @ 50mA,1a | 180 @ 50mA,3v | 320MHz,300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TCAT116 | 0.2800 | ![]() | 904 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC114 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR554PT100 | 0.2680 | ![]() | 7712 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SAR554 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1.5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 25mA,500mA | 120 @ 100mA,3v | 340MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZCAHZGT116 | 0.1900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC143 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFU01SM4ST2R | 0.4300 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RFU01 | 标准 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 450 v | 1.8 V @ 100 mA | 35 ns | 10 µA @ 450 V | 150°C | 100mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS355WTE-17 | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | 1SS355 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR5L60ADDTE25 | 0.8800 | ![]() | 718 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RBR5L60 | 肖特基 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 550 mv @ 5 a | 250 µA @ 60 V | 150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144TCAT116 | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA144 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR502E3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SCR502 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 500 MA | 200NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 10mA,200mA | 200 @ 100mA,2V | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSC002P03T316 | 0.3200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RSC002 | MOSFET (金属 o化物) | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 250mA(ta) | 4V,10V | 1.4OHM @ 250mA,10V | 2.5V @ 1mA | ±20V | 30 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144Eetl | 0.3500 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC144 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA124 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8KC6TCR | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QH8KC6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W(TA) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 5.5A(ta) | 30mohm @ 5.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 7.6nc @ 10V | 460pf @ 30V | - |
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