分立半导体产品(6960)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
EDZFJTE6111B	-	询价	第1565章	罗姆半导体	经济特区	卷带式 (TR)	过时的	-	-55℃～125℃	表面贴装		EDZFJT		100毫W		下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-EDZFJTE6111BTR	EAR99	8541.10.0050	3,000
YDZVFHTR6.2	0.3600	询价	1	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	±9.68%	150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	YDZVFHTR6.2		500毫W	TUMD2M	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			10μA@3V							6.2V
2SCR514PT100	0.5500	询价	第393章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SCR514		2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																							80V	700毫安	1μA（ICBO）			NPN	300毫伏@15毫安，300毫安	120@100mA，3V	320兆赫
MP6M11TCR	-	询价	9922	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	MP6M11	MOSFET（金属O化物）	2W	MPT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N 和 P 沟道			30V	3.5A		98毫欧@3.5A，10V	2.5V@1mA	1.9nC@5V		85pF@10V	逻辑电平门
DTC114TUAT106	0.2600	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SC-70、SOT-323	故障码114		200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	10欧姆
SCS304APC9	2.6600	询价	898	罗姆半导体	-	管子	不适合新设计			通孔	TO-220-2	SCS304	SiC（碳化硅）肖特基			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)													650伏		1.5V@4A	0纳秒	650V时为20μA	175℃（最高）	4A	200pF@1V、1MHz
PDZVTR4.3B	0.4500	询价	4	罗姆半导体	PDZV	卷带式 (TR)	的积极	±5.49%	150°C（太焦）	表面贴装	SOD-128	PDZVTR4.3		1W	PMDTM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			1V时为20μA							4.55V	15欧姆
R6025FNZ1C9	-	询价	4757	罗姆半导体	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	R6025	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	600伏	25A（温度）	10V	180毫欧@12.5A，10V	5V@1mA	85nC@10V	±30V	3500pF@25V	-	150W（温度）
DTC143ZETL	0.3500	询价	77	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码143		150毫W	紧急救治3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
有效MH2T2R	0.3900	询价	88	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	有效市场假说2T2		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安	500纳安			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	68@5mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RQ5E025SPTL	0.6300	询价	126	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	RQ5E025	MOSFET（金属O化物）		TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	30V	2.5A（塔）	4V、10V	98毫欧@2.5A，10V	2.5V@1mA	5.4nC@5V	±20V	460pF@10V	-	700毫W（塔）
2SC5663T2L	0.5300	询价	46	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SC5663		150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																							12V	500毫安	100nA（ICBO）			NPN	250mV@10mA、200mA	270@10mA，2V	320兆赫
RFN20NS6SFHTL	1.5000	询价	990	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	RFN20	标准		LPDS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏		1.55V@20A	60纳秒	600V时为10μA	150℃（最高）	20A	322pF @ 0V、1MHz
RSX501LA-20TR	-	询价	2398	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	RSX501	肖特基		PMDT	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													20V		390毫伏 @ 3安		20V时为500μA	125℃（最高）	5A	-
RLZTE-1120A	-	询价	第1353章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	±3%	-	表面贴装	DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80	RLZTE-1120		500毫W	LLDS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	2,500人																			15V时为200nA							19.1V	28欧姆
BZX84C12VLYT116	0.4200	询价	第302章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	±5.42%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			250毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			8V时为100nA							12V	25欧姆
EDZTE612.0B	-	询价	2316	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的									-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000
2SD1862TV2Q	-	询价	8737	罗姆半导体	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SIP			1W	全方位车	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																							32V	2A	1μA（ICBO）			NPN	800mV@200mA，2A	120@500mA，3V	100兆赫兹
DTC143ZUAT106	0.2600	询价	89	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SC-70、SOT-323	故障码143		200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
UMB8NTR	0.0848	询价	3905	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	UMB8		150毫W	UMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	-			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
2SAR544RTL	0.6500	询价	6916	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	2SAR544		1W	TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	3,000																							80V	2.5安	1μA（ICBO）			国民党	400mV@50mA，1A	120@100mA，3V	280兆赫
RB715WTL	0.4100	询价	26	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RB715	肖特基		EMD3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对共轴线	40V	30毫安	370毫伏@1毫安		1μA@10V	125℃（最高）
DTC015EMT2L	0.2500	询价	15	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	故障码015		150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																							50V	20毫安	-			NPN - 预偏置	100mV@500μA，5mA	80@5mA，10V	250兆赫	100欧姆	100欧姆
UMZ22KFHTL	0.3500	询价	2	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	±2.11%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	UMZ22		200毫W	UMD4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000	2 独立																		17V时为100nA							22.01V
RBR2MM40ATR	0.4500	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	RBR2MM40	肖特基		PMDU	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V		620 毫伏 @ 2 安		40V时为50μA	150℃（最高）	2A	-
SP8M3HZGTB	1.5600	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SP8M3	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道			30V	5A（塔）、4.5A（塔）		51mOhm@5A、10V、56mOhm@4.5A、10V	2.5V@1mA	5V时为3.9nC，5V时为8.5nC		230pF@10V，850pF@10V	-
2SD1863TV2R	-	询价	9190	罗姆半导体	-	切带 (CT)	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SIP	2SD1863		1W	全方位车	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																							80V	1A	1μA（ICBO）			NPN	400毫伏@20毫安、500毫安	180@500mA，3V	100兆赫兹
DTA143ZU3T106	0.2000	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	DTA143		200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																								100毫安	-			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
BSS138BKAHZGT116	0.5100	询价	9	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSS138	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	60V	400mA（塔）	2.5V、10V	680毫欧@400mA，10V	2V@10μA		±20V	47pF@30V	-	350毫W（塔）
RFUH5TF6SC9	1.3400	询价	第874章	罗姆半导体	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2全包	RFUH5	标准		TO-220ACFP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-RFUH5TF6SC9	EAR99	8541.10.0080	50		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏		2.8V@5A	25纳秒	600V时为10μA	150℃	5A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²