SIC
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6960）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RF1601T2DNZC9 Rohm Semiconductor RF1601T2DNZC9 1.7200
RFQ
 ECAD 966 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RF1601 标准 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RF1601T2DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 16a 930 MV @ 8 A 30 ns 10 µA @ 200 V 150°C
DTC123JU3T106 Rohm Semiconductor DTC123JU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 DTC123 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
SCT2160KEC Rohm Semiconductor SCT2160KEC -
RFQ
 ECAD 1614年 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT2160 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SCT2160KECU Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 22a（TC） 18V 208MOHM @ 7A，18V 4V @ 2.5mA 62 NC @ 18 V +22V，-6V 1200 PF @ 800 V - 165W（TC）
DTD523YETL Rohm Semiconductor dtd523yetl 0.4800
RFQ
 ECAD 223 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTD523 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 5mA，100mA 140 @ 100mA，2V 260 MHz 2.2 kohms 10 kohms
DTB123YCT116 Rohm Semiconductor DTB123YCT116 0.3700
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTB123 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA，50mA 56 @ 50mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2SCR514RTL Rohm Semiconductor 2SCR514RTL 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 2SCR514 1 w TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 80 V 700 MA 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 15mA，300mA 120 @ 100mA，3v 320MHz
2SD2118TLR Rohm Semiconductor 2SD2118TLR 0.3412
RFQ
 ECAD 2487 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SD2118 10 W CPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 20 v 5 a 500NA（ICBO） NPN 1V @ 100mA，4a 180 @ 500mA，2V 150MHz
SP8M6TB Rohm Semiconductor SP8M6TB -
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
RB168VWM150TR Rohm Semiconductor RB168VWM150TR 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RB168 肖特基 PMDE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB168VWM150TRDKR Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 890 mv @ 1 a 1 µA @ 150 V 175°C 1a -
RBQ20BM45ATL Rohm Semiconductor RBQ20BM45ATL 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RBQ20 肖特基 TO-252 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 10a 590 mv @ 10 A 200 µA @ 45 V 150°C
RU1L002SNTL Rohm Semiconductor RU1L002SNTL 0.4000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-85 RU1L002 MOSFET （金属 o化物） UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 250mA（ta） 2.5V，10V 2.4OHM @ 250mA，10V 2.3V @ 1mA ±20V 15 pf @ 25 V - 200mw（ta）
MTZJT-7739C Rohm Semiconductor mtzjt-7739c -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 500兆 MSD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 30 V 39 v 85欧姆
EM6K6T2R Rohm Semiconductor EM6K6T2R 0.5000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6K6 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 300mA 1欧姆 @ 300mA，4V 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 逻辑级别门
EDZVFHT2R20B Rohm Semiconductor EDZVFHT2R20B 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2.18％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-79，SOD-523 EDZVFHT2 150兆 EMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 15 V 20 v 85欧姆
RF101L2SDDTE25 Rohm Semiconductor RF101L2SDDTE25 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 do-214ac，SMA RF101 标准 PMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 870 mv @ 1 a 10 µA @ 200 V 150°C （最大） 1a -
RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT40NS65DGTL 2.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB RGT40 标准 161 w LPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400V，20a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V，20A - 40 NC 22NS/75NS
DTC124XEFRATL Rohm Semiconductor DTC124XEFRATL 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC124 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 100 ma - npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
UMD5NTR Rohm Semiconductor UMD5NTR 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMD5 150MW，120MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5v / 30 @ 10mA，5V 250MHz 47KOHM，4.7KOHM 47KOHM，10KOHM
2SD2704KT146 Rohm Semiconductor 2SD2704KT146 0.3800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SD2704 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA（ICBO） NPN 100mv @ 3mA，30mA 820 @ 4mA，2V 35MHz
2SAR513RHZGTL Rohm Semiconductor 2SAR513RHZGTL 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 500兆 TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 1 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 25mA，500mA 180 @ 50mA，2V 400MHz
RQ5E035BNTCL Rohm Semiconductor RQ5E035BNTCL 0.4900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5E035 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.5A（ta） 4.5V，10V 37MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 6 NC @ 10 V ±20V 250 pf @ 15 V - 1W（ta）
RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor RX3P12BATC16 6.8300
RFQ
 ECAD 1682年 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 RX3P12 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） 846-RX3P12BATC16 50 P通道 100 v 120a（ta） 6V，10V 12.3mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 385 NC @ 10 V ±20V 16600 PF @ 50 V - 201W（TC）
EMD9T2R Rohm Semiconductor EMD9T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMD9T2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 68 @ 5mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
SCS306AHGC9 Rohm Semiconductor SCS306AHGC9 3.9100
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SCS306 SIC （碳化硅） TO-220ACP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 6 A 0 ns 30 µA @ 650 V 175°c （最大） 6a 300pf @ 1V，1MHz
RSF014N03TL Rohm Semiconductor RSF014N03TL 0.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 RSF014 MOSFET （金属 o化物） Tumt3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 1.4a（ta） 4V，10V 240MOHM @ 1.4A，10V 2.5V @ 1mA 2 NC @ 5 V 20V 70 pf @ 10 V - 800MW（TA）
CDZVT2R7.5B Rohm Semiconductor CDZVT2R7.5B 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 150°C 表面安装 2-SMD，平坦的铅 CDZVT2 100兆 VMN2M 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 4 V 7.5 v 30欧姆
RRH100P03GZETB Rohm Semiconductor RRH100P03GZETB 1.6800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRH100 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 P通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 12.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 68 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 10 V - 650MW（TA）
2SD2211T100R Rohm Semiconductor 2SD2211T100R 0.3833
RFQ
 ECAD 5938 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SD2211 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 160 v 1.5 a 1µA（ICBO） NPN 2V @ 100mA，1a 180 @ 100mA，5V 80MHz
RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor RD3S075CNTL1 1.9200
RFQ
 ECAD 1429 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3S075 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 190 v 7.5A（TC） 4V，10V 336mohm @ 3.8A，10V 2.5V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 52W（TC）
RBR1LAM60ATFTR Rohm Semiconductor RBR1LAM60ATFTR 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 RBR1LAM60 肖特基 PMDTM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 75 µA @ 60 V 150°C （最大） 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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