分立半导体产品(6960)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	类型	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前的	电压	电压隔离	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
DTA015TMT2L	0.0382	询价	1908年	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723		DTA015		150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																										50V	100毫安	500nA（ICBO）			PNP - 预偏置	250mV@250μA，5mA	100@5mA，10V	250兆赫	100欧姆
RB480Y-90FHT2R	-	询价	4725	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75-4、SOT-543		RB480	肖特基		EMD4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度															2 独立	90V	100毫安	690 毫伏 @ 100 毫安		90V时为5μA	150℃（最高）
SP8M4HZGTB	2.4400	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		SP8M4	MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道						30V	9A（塔）、7A（塔）		18毫欧@9A、10V、28毫欧@7A、10V	2.5V@1mA	15nC@5V，25nC@5V		1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V	-
VT6Z1T2R	0.5000	询价	15	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD		VT6Z1		150毫W	VMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																										20V	200毫安	100μA（ICBO）			NPN、PNP	300毫伏@10毫安，100毫安	120@1mA，2V	400兆赫
DTD523YETL	0.4800	询价	223	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416		DTD523		150毫W	紧急救治3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																										12V	500毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300毫伏@5毫安、100毫安	140@100mA，2V	260兆赫	2.2欧姆	10欧姆
QSZ2TR	0.5600	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5		QSZ2		1.25W	TSMT5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	3,000																										30V	1.5A	100nA（ICBO）			NPN、PNP（发射极连接）	350mV @ 50mA，1A / 370mV @ 50mA，1A	270@100mA，2V	300兆赫、280兆赫
BAT54AHYT116	0.4100	询价	78	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		电池组54	肖特基		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度															1对共阳极	30V	200毫安（直流）	800 毫伏 @ 100 毫安	50纳秒	2μA@25V	150℃
RB531VM-40TE-17	0.3400	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-90、SOD-323F		RB531	肖特基		UMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																40V		610 毫伏 @ 100 毫安		40V时为100μA	150℃（最高）	100毫安	-
2SD2607FU6	-	询价	3685	罗姆半导体	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				2W	TO-220FN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500																										100伏	8A	10μA（ICBO）			NPN-达林顿	1.5V@6mA，3A	1000 @ 2A，3V	40兆赫
RSX501LA-209HKTR	-	询价	5846	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128			肖特基		PMDT	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	846-RSX501LA-209HKTR	EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																20V		390毫伏 @ 3安		20V时为500μA	125℃	5A	-
UT6ME5TCR	0.6500	询价	2501	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-PowerUDFN			MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	HUML2020L8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				3,000	N 和 P 沟道						100V	2A（塔）、1A（塔）		207毫欧@2A、10V、840毫欧@1A、10V	2.5V@1mA	10V时为2.8nC，10V时为6.7nC		90pF@50V	标准
UDZWTE-177.5B	-	询价	4689	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-90、SOD-323F					UMD2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000
R6007ENX	2.4600	询价	136	罗姆半导体	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		R6007	MOSFET（金属O化物）		TO-220FM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			N沟道				600伏	7A（温度）	10V	620毫欧@2.4A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±20V	390pF@25V	-	40W（温度）
DTA115EEBTL	0.0536	询价	5348	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416		DTA115		150毫W	紧急救治3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	20毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	82@5mA，5V	250兆赫	100欧姆	100欧姆
BM63967S-VC	33.1500	询价	60	罗姆半导体	-	管子	的积极			通孔	25-PowerDIP模块（1.327英寸，33.70毫米）	IGBT	BM63967				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	天线塔			30A	600伏	1500Vrms
UDZLVTE-17130	0.3000	询价	913	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-	150℃	表面贴装	SC-90、SOD-323F		乌兹别克斯坦		200毫W	SOD-323FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																						102V时为200nA							130伏
2SAR340PT100P	0.6600	询价	3	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA		2SAR340		500毫W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000																										400V	100毫安	10μA（ICBO）			国民党	400mV@2mA、20mA	82@10mA，10V	-
EDZ8HRTE619.1B	-	询价	4113	罗姆半导体	经济特区	卷带式 (TR)	过时的	-	-55℃～125℃	表面贴装	SC-79、SOD-523		EDZ8HRT		100毫W	EMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-EDZ8HRTE619.1BTR	EAR99	8541.10.0050	3,000
2SAR533PT100	0.6200	询价	200	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA		2SAR533		2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																										50V	3A	1μA（ICBO）			国民党	400mV@50mA，1A	180@50mA，3V	300兆赫
DTC014YUBTL	0.3000	询价	5449	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-85		故障码014		200毫W	UMT3F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	70毫安	-			NPN - 预偏置	150mV@500μA，5mA	80@5mA，10V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
EMB10T2R	0.1084	询价	8	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666		EMB10		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	100毫安	500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
EMF24T2R	0.1035	询价	5362	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SOT-563、SOT-666		电磁场24		150毫W	紧急救治6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	100毫安、150毫安	500纳安			1个NPN预偏置，1个NPN	300mV @ 500μA、10mA / 400mV @ 5mA、50mA	30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V	250兆赫、180兆赫	10k欧姆	10k欧姆
R6020ENZC17	6.1700	询价	300	罗姆半导体	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包		R6020	MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6020ENZC17	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道				600伏	20A（温度）	10V	196毫欧@9.5A，10V	4V@1mA	60nC@10V	±20V	1400pF@25V	-	120W（温度）
DTB123EKT146	0.4500	询价	5	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		DTB123		200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	500毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	39@50mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
2SD1866TV2	-	询价	6271	罗姆半导体	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SIP				1W	全方位车	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人																										60V	2A	1μA（ICBO）			NPN-达林顿	1.5V@1mA，1A	1000 @ 1A，2V	-
US5K3TR	-	询价	1213	罗姆半导体	*	切带 (CT)	过时的						US5K3	-			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	US5K3CT	EAR99	8541.29.0095	3,000															-
RB548WMTL	0.2800	询价	5	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-89、SOT-490		RB548	肖特基		EMD3F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度															1对中央	30V	100毫安	450毫伏@10毫安		10V时为500nA	150℃（最高）
EDZ9HUTE613.9B	-	询价	4255	罗姆半导体	经济特区	卷带式 (TR)	过时的	-	-55℃～125℃	表面贴装	SC-79、SOD-523		EDZ9小屋		100毫W	EMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-EDZ9HUTE613.9BTR	EAR99	8541.10.0050	3,000
RF4P025ATTCR	0.9200	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerUDFN		RF4P025	MOSFET（金属O化物）		HUML2020L8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道				100伏	2.5A（塔）	4.5V、10V	260毫欧@2.5A，10V	2.5V@1mA	19.7nC@10V	±20V	590pF@50V	-	2W（塔）
TFZGTR33B	0.0886	询价	8117	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-	-55℃～150℃	表面贴装	2-SMD，写入		TFZGTR33		500毫W	TUMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																						200nA@25V							33V	65欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²