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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB521SM-30T2R | 0.3000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RB521 | 肖特基 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 470 mv @ 200 ma | 30 µA @ 10 V | 150°C (最大) | 200mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095BM-30FHTL | 1.6100 | ![]() | 5148 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB095 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 6a | 425 mv @ 3 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB541XNTR | 0.4700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | RB541 | 肖特基 | UMD6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3独立 | 30 V | 100mA | 530 mv @ 100 ma | 10 µA @ 10 V | 125°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB225T-60 | 1.7800 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB225 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | RB225T60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 630 MV @ 15 A | 600 µA @ 60 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTR16B | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTR16 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 12 V | 17.25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umg4ntr | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMG4 | 150MW | UMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | - | |||||||||||||||||||||||||||||
SH8MA3TB1 | 1.0100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8MA3 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | (7a ta),6a(ta) | 28mohm @ 7a,10v,50mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 1mA | 7.2nc @ 10V,10NC @ 10V | 300pf @ 15V,480pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60CT116 | - | ![]() | 8011 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BCW60 | SST3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 32 v | 200 ma | - | NPN | - | 260 @ 2mA,5v | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085T-90 | - | ![]() | 3513 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB085 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | RB085T90 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 5a | 830 mv @ 5 a | 150 µA @ 90 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD723YMT2L | 0.1027 | ![]() | 8425 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-723 | DTD723 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 140 @ 100mA,2V | 260 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | r6008fnjtl | 2.0962 | ![]() | 7503 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6008 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 8A(TC) | 10V | 950MOHM @ 4A,10V | 4V @ 1mA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 580 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123YMT2L | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC123 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0LYT116 | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520G-30T2R | - | ![]() | 3399 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-723 | RB520G-30 | 肖特基 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 450 mv @ 10 mA | 500 NA @ 10 V | 125°c (最大) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF101L4STFTE25 | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RF101 | 标准 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 25 ns | 10 µA @ 400 V | 150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX450N20 | 3.0300 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RCX450 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 200 v | 45A(TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a,10v | 5V @ 1mA | 80 NC @ 10 V | ±30V | 4200 PF @ 25 V | - | 2.23W(ta),40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMD3T2R | 0.3900 | ![]() | 6804 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMD3T2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 10KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMA4AT148 | 0.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | FMA4 | 300MW | SMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA(ICBO) | 2 PNP-) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ptztfte2512b | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 9 V | 12.75 v | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR523UBTL | 0.2100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-85 | 2SCR523 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8M70TB1 | - | ![]() | 6862 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8M70 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 250V | 3a,2.5a | 1.63OHM @ 1.5A,10V | 4V @ 1mA | 5.2nc @ 10V | 180pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5866TLQ | 0.4700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SC5866 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 120 @ 100mA,2V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dta123yetl | 0.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA123 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdzlvtr100 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZLV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr100 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 76 V | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2092TLQ | 0.1137 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SA2092 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2SA2092MG TLQ | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 1 a | 1µA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 120 @ 100mA,2V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZMT2L | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC113 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 33 @ 5mA,5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMST3906T146 | 0.3500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMST3906 | 300兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143Zefratl | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA143 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ10HN06TL | - | ![]() | 3100 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RSJ10 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 100A(TA) | 4V,10V | 4.2MOHM @ 50a,10v | 2.5V @ 1mA | 202 NC @ 10 V | ±20V | 11000 PF @ 10 V | - | 100W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6509knxc7g | 2.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6509 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6509knxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 9a(9a) | 10V | 585MOHM @ 2.8A,10V | 5V @ 230µA | 16.5 NC @ 10 V | ±20V | 540 pf @ 25 V | - | 48W(TC) |
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