分立半导体产品(6960)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
R6535KNZC8	-	询价	4720	罗姆半导体	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	R6535	MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	846-R6535KNZC8	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	650伏	35A（温度）	10V	115毫欧@18.1A，10V	5V@1.21mA	72nC@10V	±20V	3000pF@25V	-	102W（温度）
2SCR293P5T100	0.3900	询价	5	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SCR293		500毫W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																							30V	1A	100nA（ICBO）			NPN	350mV@25mA、500mA	270@100mA，2V	320兆赫
DTC043ZMT2L	0.3100	询价	143	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	故障码043		150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																							50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	150mV@500μA，5mA	80@5mA，10V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
CDZFHT2RA6.8B	0.4100	询价	8	罗姆半导体	汽车、AEC-Q101、CDZFH	卷带式 (TR)	不适合新设计	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	SOD-923	CDZFHT2		100毫W	虚拟网络2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	8,000																			3.5V时为500nA							6.79V	40欧姆
SH8M51GZETB	1.7100	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SH8M51	MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道			100V	3A（塔）、2.5A（塔）		170毫欧@3A、10V、290毫欧@2.5A、10V	2.5V@1mA	5V时为8.5nC，5V时为12.5nC		610pF @ 25V, 1550pF @ 25V	-
EM5K5T2R	0.5200	询价	42	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	EM5K5	MOSFET（金属O化物）	150毫W	紧急救治5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000	2 个 N 沟道（双）			30V	300毫安		600毫欧@300毫安，4.5伏	-	-		-	-
RUR040N02TL	0.6800	询价	23	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	鲁尔040	MOSFET（金属O化物）		TSMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	35mOhm@4A，4.5V	1.3V@1mA	8nC@4.5V	±10V	680pF@10V	-	1W（塔）
R6535ENZC17	7.8500	询价	300	罗姆半导体	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	R6535	MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-R6535ENZC17	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	650伏	35A（温度）	10V	115毫欧@18.1A，10V	4V@1.21mA	110nC@10V	±20V	2600pF@25V	-	102W（温度）
DTD743XMT2L	0.1035	询价	7029	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SOT-723	DTD743		150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																							30V	200毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	140@100mA，2V	260兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RBR2VWM60ATTR	0.6100	询价	2	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	RBR2VWM	肖特基		PMDE	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													60V		650毫伏@2安		60V时为75μA	150℃	2A	-
RB530VM-30TE-17	0.3400	询价	53	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-90、SOD-323F	RB530	肖特基		UMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		450毫伏@10毫安		10V时为500nA	150℃（最高）	100毫安	-
云台TTE255.6B	0.6100	询价	5	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±6.25%	150°C（太焦）	表面贴装	DO-214AC、SMA			1W	PMDS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	1,500人																			1.5V时为20μA							5.95V	8欧姆
KDZVTFTR2.2B	0.4700	询价	806	罗姆半导体	汽车、AEC-Q101、KDZVTF	卷带式 (TR)	的积极	±5.68%	150°C（太焦）	表面贴装	SOD-123F	KDZVTFTR2.2		1W	PMDU	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			700mV时为200μA							2.32V
IMZ1AT108	0.3600	询价	15	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	IMZ1		300毫W	SMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN、PNP	400mV @ 5mA、50mA / 500mV @ 5mA、50mA	120@1mA，6V	180兆赫、140兆赫
RBR2MM30ATR	0.4500	询价	5	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	RBR2MM30	肖特基		PMDU	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		530毫伏@2安		30V时为50μA	150℃（最高）	2A	-
UDZVTE-176.2B	0.2700	询价	212	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-	-55℃～150℃	表面贴装	SC-90、SOD-323F	乌兹别克斯坦		200毫W	UMD2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			1μA@3V							6.2V	60欧姆
DTC014YEBTL	0.1900	询价	9	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-89、SOT-490	故障码014		150毫W	EMT3F（SOT-416FL）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	70毫安	-			NPN - 预偏置	150mV@500μA，5mA	80@5mA，10V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
IMN11T110	0.5000	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SC-74、SOT-457	IMN11	标准		SMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												2对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	70V时为100nA	150℃（最高）
SCT3080KRHRC15	15.6500	询价	450	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-247-4	SCT3080	MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L	下载		3（168小时）	REACH 不出行	846-SCT3080KRHRC15	EAR99	8541.29.0095	450			N沟道	1200伏	31A（温度）	18V	104mOhm@10A，18V	5.6V@5mA	60nC@18V	+22V、-4V	785 pF @ 800 V	-	165W
RB521S-303TTE61	-	询价	4654	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的					RB521				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-RB521S-303TTE61TR	EAR99	8541.10.0070	3,000
YFZVFHTR5.6B	0.4300	询价	3	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±2.5%	150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	YFZVFHTR5.6		500毫W	TUMD2M	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			2.5V时为5μA							5.59V	13欧姆
2SD1858TV2Q	-	询价	4432	罗姆半导体	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SIP			1W	全方位车	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																							32V	1A	500nA（ICBO）			NPN	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，3V	150兆赫
EDZFHTE6120B	-	询价	6001	罗姆半导体	经济特区	卷带式 (TR)	过时的	-	-55℃～125℃	表面贴装		EDZFHT		100毫W		下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-EDZFHTE6120BTR	EAR99	8541.10.0050	3,000
DTA125TKAT146	0.0561	询价	2584	罗姆半导体	DTA125T	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DTA125		200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@50μA，500μA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	200欧姆
RBR10T60ANZC9	1.2600	询价	980	罗姆半导体	-	切带 (CT)	的积极			通孔	TO-220-3全包	RBR10	肖特基		TO-220FN	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	50		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	60V	5A	650 毫伏 @ 5 安		60V时为200μA	150℃
KDZVTFTR12B	0.4800	询价	3	罗姆半导体	汽车、AEC-Q101、KDZVTF	卷带式 (TR)	的积极	±6.25%	150°C（太焦）	表面贴装	SOD-123F	KDZVTFTR12		1W	PMDU	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			9V时为10μA							12.75V
2SA2199T2LQ	-	询价	2290	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-923F	2SA2199		150毫W	VMN3	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	846-2SA2199T2LQTR			8,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，3V
RB085B-90GTL	-	询价	9420	罗姆半导体	*	卷带式 (TR)	过时的									-	符合ROHS3标准	1（无限制）			过时的	0000.00.0000	3,000
KDZVTFTR39A	0.4500	询价	1	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±5.13%	150°C（太焦）	表面贴装	SOD-123F	KDZVTFTR39		1W	PMDU	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																			10μA@30V							39伏
EDZFJTE6111B	-	询价	第1565章	罗姆半导体	经济特区	卷带式 (TR)	过时的	-	-55℃～125℃	表面贴装		EDZFJT		100毫W		下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		846-EDZFJTE6111BTR	EAR99	8541.10.0050	3,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²