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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 集电极脉冲电流(Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SB1561T100Q | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SB1561 | 2W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60V | 2A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 350mV@50mA,1A | 120@500mA,2V | 200兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4036KEC11 | 22.6700 | ![]() | 第419章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | SCT4036 | SiCFET(碳化硅) | TO-247N | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-SCT4036KEC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 43A(温度) | 18V | 47毫欧@21A,18V | 4.8V@11.1mA | 91nC@18V | +21V,-4V | 800V时为2335pF | - | 176W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EEBTL | 0.0488 | ![]() | 4102 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | DTA114 | 150毫W | 紧急救治3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 50毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 20@5mA,5V | 250兆赫 | 10欧姆 | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMG4NTR | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | UMG4 | 150毫W | UMT5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | - | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@1mA、10mA | 100 @ 1mA,5V | 250兆赫 | 10k欧姆 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH4NFHATN | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | UMH4 | 150毫W | UMT6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500nA(ICBO) | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@1mA、10mA | 100 @ 1mA,5V | 250兆赫 | 10k欧姆 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2088T106Q | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 2SA2088 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60V | 500毫安 | 1μA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@10毫安,100毫安 | 120@50mA,2V | 400兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR553PT100 | 0.5800 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SCR553 | 2W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50V | 2A | 1μA(ICBO) | NPN | 350mV@35mA、700mA | 180@50mA,2V | 360兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1275TLP | 1.0500 | ![]() | 第653章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 2SB1275 | 10W | CPT3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500人 | 160伏 | 1.5安 | 1μA(ICBO) | 国民党 | 2V@100mA,1A | 82@100mA,5V | 50兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | DTA143 | 200毫W | SMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 30@10mA,5V | 250兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR502EBTL | 0.3000 | ![]() | 8349 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-89、SOT-490 | 2SAR502 | 150毫W | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 500毫安 | 200nA(ICBO) | 国民党 | 400毫伏@10毫安、200毫安 | 200@100mA,2V | 520兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTV80TK65DGVC11 | 7.1000 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-3PFM、SC-93-3 | RGTV80 | 标准 | 85W | TO-3PFM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-RGTV80TK65DGVC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、40A、10欧姆、15V | 101纳秒 | 沟渠场站 | 650伏 | 39A | 160A | 1.9V@15V,40A | 1.02mJ(开),710μJ(关) | 81nC | 39纳秒/113纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400CMT2R | 0.2500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | 1SS400 | 标准 | VMN2M | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 80V | 1.2V@100mA | 4纳秒 | 80V时为100nA | 150℃ | 100毫安 | 3pF@500mV,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1132T100Q | 0.1730 | ![]() | 7700 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SB1132 | 2W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 32V | 1A | 500nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,3V | 150兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1241TV2Q | - | ![]() | 8606 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 切带 (CT) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SIP | 2SB1241 | 1W | 全方位车 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500人 | 80V | 1A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 400毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,3V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2704KT146 | 0.3800 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 2SD2704 | 200毫W | SMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20V | 300毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 100毫伏@3毫安,30毫安 | 820@4ma,2V | 35兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB743EMT2L | 0.1035 | ![]() | 5216 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SOT-723 | DTB743 | 150毫W | VMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30V | 200毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300毫伏@2.5毫安、50毫安 | 115@100mA,2V | 260兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR523MT2L | 0.3500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-723 | 2SCR523 | 150毫W | VMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 120@1mA,6V | 350兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZCAT116 | 0.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 故障码143 | 200毫W | 海温3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 250兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1862TV2P | - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SIP | 2SD1862 | 1W | 全方位车 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 846-2SD1862TV2PTR | 2,500人 | 32V | 2A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 400mV@5mA、50mA | 120@2mA,1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1664T100Q | 0.1694 | ![]() | 6906 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SD1664 | 2W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 32V | 1A | 500nA(ICBO) | NPN | 400毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,3V | 150兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080KLHRC11 | 26.6700 | ![]() | 第878章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 的积极 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | SCT3080 | SiCFET(碳化硅) | TO-247N | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 31A(温度) | 18V | 104mOhm@10A,18V | 5.6V@5mA | 60nC@18V | +22V、-4V | 785 pF @ 800 V | - | 165W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ10HN06TL | - | ![]() | 3100 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | RSJ10 | MOSFET(金属O化物) | LPTS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 60V | 100A(塔) | 4V、10V | 4.2毫欧@50A,10V | 2.5V@1mA | 202nC@10V | ±20V | 11000pF@10V | - | 100W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB550EAFHTR | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-23-5薄型、TSOT-23-5 | RB550 | 肖特基 | TSMD5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 30V | 700毫安 | 490 毫伏 @ 700 毫安 | 10.7纳秒 | 30V时为50μA | 150℃(最高) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BU3T106 | 0.3500 | ![]() | 1306 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BC847 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 200@2mA,5V | 200兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST2222AHZGT116 | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 不锈钢2222 | 200毫W | 海温3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 1V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023JEBTL | 0.1900 | ![]() | 第580章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-89、SOT-490 | DTA023 | 150毫W | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | - | PNP - 预偏置 | 150mV@500μA,5mA | 80@5mA,10V | 250兆赫 | 2.2欧姆 | 47欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3838KT146N | 0.3600 | ![]() | 508 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 2SC3838 | 200毫W | SMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 11伏 | 50毫安 | 500nA(ICBO) | NPN | 500mV@5mA、10mA | 56@5mA,10V | 3.2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1326TV2R | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 切带 (CT) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SIP | 2SB1326 | 1W | 全方位车 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500人 | 20V | 5A | 500nA(ICBO) | 国民党 | 1V@100mA,4A | 180@500mA,2V | 120兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YFZVFHTR6.8B | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2.55% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | YFZVFHTR6.8 | 500毫W | TUMD2M | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2μA@3.5V | 6.66V | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB481YSPT2R | - | ![]() | 5684 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-75-4、SOT-543 | 肖特基 | EMD4 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-RB481YSPT2RTR | 过时的 | 8,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 2 独立 | 30V | 100毫安 | 430 毫伏 @ 100 毫安 | 10V时为30μA | 125℃(最高) |

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