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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SB1561T100Q Rohm Semiconductor 2SB1561T100Q 0.7000
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SB1561 2W MPT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 2A 100nA(ICBO) 国民党 350mV@50mA,1A 120@500mA,2V 200兆赫
SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEC11 22.6700
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ECAD 第419章 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-247-3 SCT4036 SiCFET(碳化硅) TO-247N 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 846-SCT4036KEC11 EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 1200伏 43A(温度) 18V 47毫欧@21A,18V 4.8V@11.1mA 91nC@18V +21V,-4V 800V时为2335pF - 176W
DTA114EEBTL Rohm Semiconductor DTA114EEBTL 0.0488
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ECAD 4102 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-75、SOT-416 DTA114 150毫W 紧急救治3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 50毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300mV@500μA,10mA 20@5mA,5V 250兆赫 10欧姆 10欧姆
UMG4NTR Rohm Semiconductor UMG4NTR 0.4700
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 UMG4 150毫W UMT5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 - 2 NPN - 预偏置(双) 300mV@1mA、10mA 100 @ 1mA,5V 250兆赫 10k欧姆 -
UMH4NFHATN Rohm Semiconductor UMH4NFHATN 0.4800
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ECAD 5 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 UMH4 150毫W UMT6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500nA(ICBO) 2 NPN - 预偏置(双) 300mV@1mA、10mA 100 @ 1mA,5V 250兆赫 10k欧姆 -
2SA2088T106Q Rohm Semiconductor 2SA2088T106Q 0.3800
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ECAD 3 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 2SA2088 200毫W UMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 500毫安 1μA(ICBO) 国民党 500毫伏@10毫安,100毫安 120@50mA,2V 400兆赫
2SCR553PT100 Rohm Semiconductor 2SCR553PT100 0.5800
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ECAD 83 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SCR553 2W MPT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 350mV@35mA、700mA 180@50mA,2V 360兆赫
2SB1275TLP Rohm Semiconductor 2SB1275TLP 1.0500
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ECAD 第653章 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 2SB1275 10W CPT3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 2,500人 160伏 1.5安 1μA(ICBO) 国民党 2V@100mA,1A 82@100mA,5V 50兆赫
DTA143EKAT146 Rohm Semiconductor DTA143EKAT146 0.2700
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ECAD 40 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 DTA143 200毫W SMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300mV@500μA,10mA 30@10mA,5V 250兆赫 4.7欧姆 4.7欧姆
2SAR502EBTL Rohm Semiconductor 2SAR502EBTL 0.3000
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ECAD 8349 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-89、SOT-490 2SAR502 150毫W EMT3F(SOT-416FL) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500毫安 200nA(ICBO) 国民党 400毫伏@10毫安、200毫安 200@100mA,2V 520兆赫
RGTV80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 7.1000
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ECAD 450 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-3PFM、SC-93-3 RGTV80 标准 85W TO-3PFM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 846-RGTV80TK65DGVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V、40A、10欧姆、15V 101纳秒 沟渠场站 650伏 39A 160A 1.9V@15V,40A 1.02mJ(开),710μJ(关) 81nC 39纳秒/113纳秒
1SS400CMT2R Rohm Semiconductor 1SS400CMT2R 0.2500
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ECAD 23 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD,写入 1SS400 标准 VMN2M 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 8,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 80V 1.2V@100mA 4纳秒 80V时为100nA 150℃ 100毫安 3pF@500mV,1MHz
2SB1132T100Q Rohm Semiconductor 2SB1132T100Q 0.1730
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ECAD 7700 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SB1132 2W MPT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 32V 1A 500nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 120@100mA,3V 150兆赫
2SB1241TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1241TV2Q -
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ECAD 8606 0.00000000 罗姆半导体 - 切带 (CT) 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SIP 2SB1241 1W 全方位车 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 2,500人 80V 1A 1μA(ICBO) 国民党 400毫伏@50毫安,500毫安 120@100mA,3V 100兆赫兹
2SD2704KT146 Rohm Semiconductor 2SD2704KT146 0.3800
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ECAD 51 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2SD2704 200毫W SMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300毫安 100nA(ICBO) NPN 100毫伏@3毫安,30毫安 820@4ma,2V 35兆赫
DTB743EMT2L Rohm Semiconductor DTB743EMT2L 0.1035
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ECAD 5216 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 SOT-723 DTB743 150毫W VMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 8,000 30V 200毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 115@100mA,2V 260兆赫 4.7欧姆 4.7欧姆
2SCR523MT2L Rohm Semiconductor 2SCR523MT2L 0.3500
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ECAD 15 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-723 2SCR523 150毫W VMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) NPN 300毫伏@5毫安,50毫安 120@1mA,6V 350兆赫
DTC143ZCAT116 Rohm Semiconductor DTC143ZCAT116 0.2800
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ECAD 3 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 故障码143 200毫W 海温3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 250兆赫 4.7欧姆 4.7欧姆
2SD1862TV2P Rohm Semiconductor 2SD1862TV2P -
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ECAD 4814 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通孔 3-SIP 2SD1862 1W 全方位车 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 846-2SD1862TV2PTR 2,500人 32V 2A 1μA(ICBO) 国民党 400mV@5mA、50mA 120@2mA,1V
2SD1664T100Q Rohm Semiconductor 2SD1664T100Q 0.1694
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ECAD 6906 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SD1664 2W MPT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 32V 1A 500nA(ICBO) NPN 400毫伏@50毫安,500毫安 120@100mA,3V 150兆赫
SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3080KLHRC11 26.6700
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ECAD 第878章 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 管子 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-247-3 SCT3080 SiCFET(碳化硅) TO-247N 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 1200伏 31A(温度) 18V 104mOhm@10A,18V 5.6V@5mA 60nC@18V +22V、-4V 785 pF @ 800 V - 165W
RSJ10HN06TL Rohm Semiconductor RSJ10HN06TL -
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ECAD 3100 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB RSJ10 MOSFET(金属O化物) LPTS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 60V 100A(塔) 4V、10V 4.2毫欧@50A,10V 2.5V@1mA 202nC@10V ±20V 11000pF@10V - 100W(温度)
RB550EAFHTR Rohm Semiconductor RB550EAFHTR 0.4300
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-23-5薄型、TSOT-23-5 RB550 肖特基 TSMD5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 30V 700毫安 490 毫伏 @ 700 毫安 10.7纳秒 30V时为50μA 150℃(最高)
BC847BU3T106 Rohm Semiconductor BC847BU3T106 0.3500
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ECAD 1306 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC847 200毫W UMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 200兆赫
SST2222AHZGT116 Rohm Semiconductor SST2222AHZGT116 0.2100
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ECAD 3 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 不锈钢2222 200毫W 海温3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 100nA(ICBO) NPN 1V@50mA、500mA 100@150mA,10V 300兆赫
DTA023JEBTL Rohm Semiconductor DTA023JEBTL 0.1900
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ECAD 第580章 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-89、SOT-490 DTA023 150毫W EMT3F(SOT-416FL) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 - PNP - 预偏置 150mV@500μA,5mA 80@5mA,10V 250兆赫 2.2欧姆 47欧姆
2SC3838KT146N Rohm Semiconductor 2SC3838KT146N 0.3600
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ECAD 508 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2SC3838 200毫W SMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 11伏 50毫安 500nA(ICBO) NPN 500mV@5mA、10mA 56@5mA,10V 3.2GHz
2SB1326TV2R Rohm Semiconductor 2SB1326TV2R -
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ECAD 4720 0.00000000 罗姆半导体 - 切带 (CT) 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SIP 2SB1326 1W 全方位车 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 2,500人 20V 5A 500nA(ICBO) 国民党 1V@100mA,4A 180@500mA,2V 120兆赫
YFZVFHTR6.8B Rohm Semiconductor YFZVFHTR6.8B 0.4300
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±2.55% 150°C(太焦) 表面贴装 2-SMD,写入 YFZVFHTR6.8 500毫W TUMD2M 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 2μA@3.5V 6.66V 8欧姆
RB481YSPT2R Rohm Semiconductor RB481YSPT2R -
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ECAD 5684 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75-4、SOT-543 肖特基 EMD4 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 846-RB481YSPT2RTR 过时的 8,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 2 独立 30V 100毫安 430 毫伏 @ 100 毫安 10V时为30μA 125℃(最高)
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库