电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 额定电压 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SAR375P5T100Q | 0.6600 | ![]() | 第435章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SAR375 | 500毫W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120V | 1.5A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 320mV@80mA、800mA | 120@200mA,5V | 280兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UML4NTR | 0.1504 | ![]() | 5632 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | UML4 | 120毫W | UMT5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | PNP + 隔离(隔离) | 250mV@10mA、200mA | 270@10mA,2V | 260兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMF6NTR | 0.1434 | ![]() | 5208 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 12V PNP、30V N 沟道 | 通用型 | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | UMF6 | UMT6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 500mA PNP、100mA N沟道 | PNP、N沟道 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX101VAM30TR | 0.4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | RSX101 | 肖特基 | TUMD2M | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 470 毫伏 @ 1 安 | 30V时为200μA | 150℃(最高) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR372P5T100R | 0.6300 | ![]() | 第975章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SAR372 | 500毫W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120V | 700毫安 | 1μA(ICBO) | 国民党 | 360毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,5V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5866TLQ | 0.4700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-96 | 2SC5866 | 500毫W | TSMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60V | 2A | 1μA(ICBO) | NPN | 500mV@100mA,1A | 120@100mA,2V | 200兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EEBTL | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-89、SOT-490 | DTA144 | 150毫W | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 30毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 68@5mA,5V | 250兆赫 | 47欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EMT2L | 0.3900 | ![]() | 511 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-723 | DTA143 | 150毫W | VMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 30@10mA,5V | 250兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR372PHZGT100Q | 0.8000 | ![]() | 8341 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 500毫W | SOT-89 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120V | 700毫安 | 1μA(ICBO) | NPN | 300毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,5V | 220兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L30BTE25 | 0.2311 | ![]() | 3834 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | RBR3L30 | 肖特基 | PMDS | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 530毫伏 @ 3安 | 30V时为80μA | 150℃(最高) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| R6515ENZC8 | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3全包 | R6515 | MOSFET(金属O化物) | TO-3PF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 846-R6515ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 650伏 | 15A(温度) | 10V | 315毫欧@6.5A,10V | 4V@430μA | 40nC@10V | ±20V | 910pF@25V | - | 60W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 故障码123YETL | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | 故障码123 | 150毫W | 紧急救治3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 33@10mA,5V | 250兆赫 | 2.2欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG4AT148 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | FMG4 | 300毫W | SMT5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | - | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@1mA、10mA | 100 @ 1mA,5V | 250兆赫 | 10k欧姆 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG8AT148 | 0.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | FMG8 | 300毫W | SMT5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 250兆赫 | 4.7k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1468STPS | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | SC-72 成型结构 | 300毫W | SPT | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 15V | 1A | 500nA(ICBO) | NPN | 400毫伏@50毫安,500毫安 | 120@100mA,3V | 150兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B24VLYFHT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2.08% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 17V时为100nA | 24V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-1122B | - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±3% | - | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | RLZTE-1122 | 500毫W | LLDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 17V时为200nA | 21.2V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JUAT106 | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 故障码123 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 250兆赫 | 2.2欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF103L2STE25 | 0.4900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 射频103 | 标准 | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 920毫伏@1安 | 20纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1424T100Q | 0.1982 | ![]() | 8589 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2SB1424 | 500毫W | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 20V | 3A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500mV@100mA,2A | 120@100mA,2V | 240兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2444KT146R | 0.5500 | ![]() | 第586章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 2SD2444 | 200毫W | SMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15V | 1A | 500nA(ICBO) | NPN | 300毫伏@20毫安、400毫安 | 180@50mA,2V | 200兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR5RSM40BTL1 | 1.0600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | 肖特基 | TO-277A | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 530 毫伏 @ 5 安 | 40V时为120μA | 150℃ | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E040RPTL | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-96 | RQ5E040 | MOSFET(金属O化物) | TSMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P沟道 | 30V | 4A(塔) | 4V、10V | 45mOhm@4A,10V | 2.5V@1mA | 10.5nC@5V | ±20V | 1000pF@10V | - | 700毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5731T100R | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 表面贴装 | TO-243AA | 2SC5731 | MPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 30V | 2A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123EMT2L | 0.0615 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOT-723 | DTA123 | 150毫W | VMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 20@5mA,5V | 250兆赫 | 2.2欧姆 | 2.2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA854STPR | - | ![]() | 4915 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | SC-72 成型结构 | 300毫W | SPT | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 32V | 500毫安 | 1μA(ICBO) | 国民党 | 600毫伏@50毫安,500毫安 | 180@100mA,3V | 200兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX081N20 | 1.1200 | ![]() | 173 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | RCX081 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N沟道 | 200V | 8A(温度) | 10V | 770毫欧@4A,10V | 5.25V@1mA | 10V时为8.5nC | ±30V | 330pF@25V | - | 2.23W(Ta)、40W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EU3T106 | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | DTA114 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100毫安 | - | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 30@5mA,5V | 250兆赫 | 10欧姆 | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1760TLP | 0.3412 | ![]() | 9097 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 2SD1760 | 15W | CPT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500人 | 50V | 3A | 1μA(ICBO) | NPN | 1V@200mA,2A | 82@500mA,3V | 90兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | DTA114 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 50毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 30@5mA,5V | 250兆赫 | 10欧姆 | 10欧姆 |

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库