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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB520SM-30T2R | 0.3400 | ![]() | 391 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RB520 | 肖特基 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 580 mv @ 200 ma | 1 µA @ 10 V | 150°C (最大) | 200mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMD2NFHATR | 0.4800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMD2 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-UMD2NFHATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6M2GTR | 0.6700 | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | US6M2 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V,20V | 1.5a,1a | 240MOHM @ 1.5A,4.5V,390MOHM @ 1A,4.5V | 1.5V @ 1MA,2V @ 1MA | 2.2nc @ 4.5V,2.1nc @ 4.5V | 80pf @ 10V,150pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | yfzvfhtr18b | 0.3500 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.55% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | YFZVFHTR18 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 13 V | 17.26 v | 23欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dan217umfhtl | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | Dan217 | 标准 | UMD3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 200 na @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SR139-600T-31 | - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-41 mini,轴向 | 1SR139 | 标准 | MSR | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1SR139600T31 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzwte-1711b | - | ![]() | 5727 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UMD2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVFHTE-1751 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.88% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UDZLVFHTE-1751 | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 39 V | 51 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZGTE6122B | - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | EDZGT | 100兆 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-Edzgte6122btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J2TR | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QS8J2 | MOSFET (金属 o化物) | 550MW | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 4a | 36mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 20NC @ 4.5V | 1940pf @ 6V | 逻辑级别门,1.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS206AGC17 | 3.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220ACFP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCS206AGC17 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 6 A | 0 ns | 120 µA @ 600 V | 175°C | 6a | 219pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS206AMC | 2.1240 | ![]() | 9885 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SCS206 | SIC (碳化硅) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 6 A | 0 ns | 120 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 6a | 219pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
mtzjt-7239b | - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7239b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 30 V | 39 v | 85欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB511SM-30FHT2R | 0.2100 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RB511 | 肖特基 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 370 mv @ 10 mA | 7 µA @ 10 V | 125°c (最大) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB055LA-40TFTR | - | ![]() | 2589 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | RB055 | 肖特基 | PMDT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 846-RB055LA-40TFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 620 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EEBHZGTL | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA144 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB228NS100FHTL | 1.5700 | ![]() | 6286 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB228 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 30a | 870 mv @ 5 a | 8.2 ns | 5 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6035ENZ1C9 | - | ![]() | 7967 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 600 v | 35A(TC) | 10V | 102MOHM @ 18.1a,10V | 4V @ 1mA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2720 PF @ 25 V | - | 120W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN5BM2SFHTL | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN5B | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 980 mv @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB098BM100FHTL | 1.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB098 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 6a | 770 mv @ 3 a | 11.4 ns | 3 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1198KT146R | 0.3900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SB1198 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 V | 500 MA | 500NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 180 @ 100mA,3v | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ10BM65AFHTL | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ10 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 10a | 690 mv @ 5 a | 150 µA @ 65 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123JUAT106 | 0.3100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA123 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M9FU6TB | - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M9 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 9a,5a | 18mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 1mA | 21nc @ 5V | 1190pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr36b | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr36 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 27 V | 39.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5009anjtl | 1.9610 | ![]() | 8356 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R5009 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 9a(9a) | 10V | 720MOHM @ 4.5A,10V | 4.5V @ 1mA | 21 NC @ 10 V | ±30V | 650 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085T-60HZC9 | 1.0900 | ![]() | 7886 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB085 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 580 mv @ 5 a | 9.3 ns | 300 µA @ 60 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umr12ntn | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMR12 | 标准 | UMD6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 100 na @ 80 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDZT15R5.6 | 0.0403 | ![]() | 2057 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | SDZT15 | 100兆 | SMD0603 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63763S-VC | 20.0347 | ![]() | 6247 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63763 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63763S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 1500vrms |
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