分立半导体产品(6960)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SA2088T106Q	0.3800	询价	3	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA2088			200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									60V	500毫安						1μA（ICBO）			国民党	500毫伏@10毫安，100毫安	120@50mA，2V	400兆赫
2SCR553PT100	0.5800	询价	83	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SCR553			2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																									50V	2A						1μA（ICBO）			NPN	350mV@35mA、700mA	180@50mA，2V	360兆赫
2SB1275TLP	1.0500	询价	第653章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SB1275			10W	CPT3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																									160伏	1.5安						1μA（ICBO）			国民党	2V@100mA，1A	82@100mA，5V	50兆赫
DTA143EKAT146	0.2700	询价	40	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DTA143			200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安						500纳安			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SAR502EBTL	0.3000	询价	8349	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-89、SOT-490	2SAR502			150毫W	EMT3F（SOT-416FL）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									30V	500毫安						200nA（ICBO）			国民党	400毫伏@10毫安、200毫安	200@100mA，2V	520兆赫
RGTV80TK65DGVC11	7.1000	询价	450	罗姆半导体	-	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3PFM、SC-93-3	RGTV80	标准		85W	TO-3PFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-RGTV80TK65DGVC11	EAR99	8541.29.0095	30				400V、40A、10欧姆、15V															101纳秒					沟渠场站	650伏	39A	160A	1.9V@15V，40A	1.02mJ（开），710μJ（关）	81nC	39纳秒/113纳秒
1SS400CMT2R	0.2500	询价	23	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	1SS400		标准		VMN2M	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为100nA	150℃	100毫安	3pF@500mV，1MHz
2SB1132T100Q	0.1730	询价	7700	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SB1132			2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																									32V	1A						500nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，3V	150兆赫
2SB1241TV2Q	-	询价	8606	罗姆半导体	-	切带 (CT)	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SIP	2SB1241			1W	全方位车	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																									80V	1A						1μA（ICBO）			国民党	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，3V	100兆赫兹
2SD2704KT146	0.3800	询价	51	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SD2704			200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																									20V	300毫安						100nA（ICBO）			NPN	100毫伏@3毫安，30毫安	820@4ma，2V	35兆赫
DTB743EMT2L	0.1035	询价	5216	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			表面贴装	SOT-723	DTB743			150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																									30V	200毫安						500纳安			PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	115@100mA，2V	260兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SCR523MT2L	0.3500	询价	15	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SCR523			150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																									50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	120@1mA，6V	350兆赫
2SD1862TV2P	-	询价	4814	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	通孔	3-SIP	2SD1862			1W	全方位车	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	846-2SD1862TV2PTR			2,500人																									32V	2A						1μA（ICBO）			国民党	400mV@5mA、50mA	120@2mA，1V
SCT3080KLHRC11	26.6700	询价	第878章	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SCT3080		SiCFET（碳化硅）		TO-247N	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		1200伏	31A（温度）	18V	104mOhm@10A，18V	5.6V@5mA	60nC@18V	+22V、-4V	785 pF @ 800 V	-	165W
RSJ10HN06TL	-	询价	3100	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	RSJ10		MOSFET（金属O化物）		LPTS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道		60V	100A（塔）	4V、10V	4.2毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	202nC@10V	±20V	11000pF@10V	-	100W（温度）
RB550EAFHTR	0.4300	询价	2	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	RB550		肖特基		TSMD5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	30V	700毫安	490 毫伏 @ 700 毫安	10.7纳秒	30V时为50μA	150℃（最高）
BC847BU3T106	0.3500	询价	1306	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC847			200毫W	UMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									45V	100毫安						15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	200兆赫
SST2222AHZGT116	0.2100	询价	3	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	不锈钢2222			200毫W	海温3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									40V	600毫安						100nA（ICBO）			NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫
DTA023JEBTL	0.1900	询价	第580章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-89、SOT-490	DTA023			150毫W	EMT3F（SOT-416FL）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安						-			PNP - 预偏置	150mV@500μA，5mA	80@5mA，10V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
2SC3838KT146N	0.3600	询价	508	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3838			200毫W	SMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									11伏	50毫安						500nA（ICBO）			NPN	500mV@5mA、10mA	56@5mA，10V	3.2GHz
YFZVFHTR6.8B	0.4300	询价	1	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	±2.55%	150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	YFZVFHTR6.8			500毫W	TUMD2M	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																				2μA@3.5V													6.66V	8欧姆
RB481YSPT2R	-	询价	5684	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75-4、SOT-543			肖特基		EMD4	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	846-RB481YSPT2RTR	过时的		8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													2 独立	30V	100毫安	430 毫伏 @ 100 毫安		10V时为30μA	125℃（最高）
BAS40-04HYT116	0.5200	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BAS40		肖特基		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对中央	40V	120毫安（直流）	1V@40mA		40V时为10μA	150℃
IMB11AT110	0.4000	询价	1	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	IMB11			300毫W	SMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安						500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
2SAR513PT100	1.0600	询价	第279章	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SAR513			2W	MPT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																									50V	1A						1μA（ICBO）			国民党	400毫伏@25毫安、500毫安	180@50mA，2V	400兆赫
DTA015TMT2L	0.0382	询价	1908年	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	DTA015			150毫W	VMT3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																									50V	100毫安						500nA（ICBO）			PNP - 预偏置	250mV@250μA，5mA	100@5mA，10V	250兆赫	100欧姆
RB480Y-90FHT2R	-	询价	4725	罗姆半导体	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75-4、SOT-543	RB480		肖特基		EMD4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													2 独立	90V	100毫安	690 毫伏 @ 100 毫安		90V时为5μA	150℃（最高）
SP8M4HZGTB	2.4400	询价	2	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SP8M4		MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道				30V	9A（塔）、7A（塔）		18毫欧@9A、10V、28毫欧@7A、10V	2.5V@1mA	15nC@5V，25nC@5V		1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V	-
VT6Z1T2R	0.5000	询价	15	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD	VT6Z1			150毫W	VMT6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																									20V	200毫安						100μA（ICBO）			NPN、PNP	300毫伏@10毫安，100毫安	120@1mA，2V	400兆赫
DTD523YETL	0.4800	询价	223	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	DTD523			150毫W	紧急救治3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																									12V	500毫安						500纳安			NPN - 预偏置	300毫伏@5毫安、100毫安	140@100mA，2V	260兆赫	2.2欧姆	10欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²