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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SCT3105KLHRC11 | 22.1100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT3105 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 24A(TC) | 18V | 137MOHM @ 7.6A,18V | 5.6V @ 3.81mA | 51 NC @ 18 V | +22V,-4V | 574 PF @ 800 V | - | 134W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | pdzvtftr3.9b | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,PDZVTF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.41% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtftr3.9 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 40 µA @ 1 V | 4.15 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dtd143estp | - | ![]() | 4676 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | SC-72形成铅 | DTD143 | 300兆 | spt | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-DTD143ESTPTR | 5,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | npn- +二极管 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 47 @ 50mA,5V | 200 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||
RLS245TE-11 | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | RLS245 | 标准 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 220 v | 1.5 V @ 200 ma | 75 ns | 10 µA @ 220 V | -65°C〜175°C | 200mA | 3pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ035N06HZGTR | 0.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 3.5A(TC) | 4V,10V | 70MOHM @ 3.5A,10V | 3V @ 1mA | 6.5 NC @ 5 V | ±20V | 430 pf @ 10 V | - | 950MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RZR040P01TL | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RZR040 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 4A(ta) | 1.5V,4.5V | 30mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 30 NC @ 4.5 V | ±10V | 2350 pf @ 6 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B33VLFHT116 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2.12% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 23 V | 33 V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6007JNXC7G | 2.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6007 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 15V | 780MOHM @ 3.5A,15V | 7V @ 1mA | 17.5 NC @ 15 V | ±30V | 475 PF @ 100 V | - | 46W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
SP8M6FRATB | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M6 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 5A(5A),3.5a ta(3.5A) | 51MOHM @ 5A,10V,90MOHM @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.9nc @ 5v,5.5nc @ 5V | 230pf @ 10V,490pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzvte-175.1b | 0.2700 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 1.5 V | 5.1 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088RSM15STFTL1 | 1.6100 | ![]() | 4353 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 880 mv @ 10 a | 4.5 µA @ 150 V | 175°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR10NS30ATL | 0.6690 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR10NS30ATLCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 5a | 550 mv @ 5 a | 100 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8M31TR | 0.8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QS8M31 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W(TA) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 60V | (3A)(2a ta)(2a ta) | 112MOHM @ 3A,10V,210MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1MA,3V @ 1MA | 4NC @ 5V,7.2NC @ 5V | 270pf @ 10V,750pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3065T100 | 0.7600 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SK3065 | MOSFET (金属 o化物) | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 2A(TA) | 2.5V,4V | 320MOHM @ 1A,4V | 1.5V @ 1mA | ±20V | 160 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB530VM-30TE-17 | 0.3400 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB530 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 10 mA | 500 NA @ 10 V | 150°C (最大) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E025ATTCL | 0.5100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5E025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.5a(ta) | 10V | 91MOHM @ 2.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 2.7 NC @ 4.5 V | ±20V | 220 pf @ 15 V | - | 1W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095B-40TL | - | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB095B-40 | 肖特基 | CPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 3a | 550 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rv3c002unt2cl | 0.4900 | ![]() | 197 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XFDFN | RV3C002 | MOSFET (金属 o化物) | VML0604 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 20 v | 150mA(ta) | 1.5V,4.5V | 2ohm @ 150mA,4.5V | 1V @ 100µA | ±10V | 12 pf @ 10 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS230AE2HRC | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS230 | SIC (碳化硅) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 15A(DC) | 1.55 V @ 15 A | 300 µA @ 600 V | 175°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ15BM65ATL | 0.6468 | ![]() | 8550 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ15 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 15a | 630 MV @ 7.5 A | 140 µA @ 45 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR583D3TL1 | 1.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 50 V | 7 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 150mA,3a | 180 @ 1A,3V | 230MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHK003N06T146 | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RHK003 | MOSFET (金属 o化物) | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 300mA(TA) | 4V,10V | 1欧姆 @ 300mA,10V | 2.5V @ 1mA | 6 NC @ 10 V | ±20V | 33 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6070JNZ4C13 | 16.6100 | ![]() | 597 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6070 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6070JNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 70A(TC) | 15V | 58mohm @ 35a,15v | 7V @ 3mA | 165 NC @ 15 V | ±30V | 6000 pf @ 100 V | - | 770W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS230KE2C | - | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS230 | SIC (碳化硅) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 15A(DC) | 1.6 V @ 15 A | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZFJTE616.2B | - | ![]() | 4428 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | EDZFJT | 100兆 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-Edzfjte616.2btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFUH20NS6STL | 1.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RFUH20 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pdzvtr4.3b | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.49% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtr4.3 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 4.55 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1484KT146R | 0.4100 | ![]() | 716 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2SD1484 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 15mA,150mA | 180 @ 10mA,3v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5866TLQ | 0.4700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | 2SC5866 | 500兆 | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 120 @ 100mA,2V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
RRH100P03GZETB | 1.6800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RRH100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 12.6mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 10 V | - | 650MW(TA) |
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