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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UT6K3TCR | 0.7700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerudfn | UT6K3 | - | 2W | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 5.5a | 42MOHM @ 5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 4NC @ 4.5V | 450pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160M-40TR | 0.3500 | ![]() | 2366 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-123F | RB160 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 510 MV @ 1 A | 30 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rq1e100xntr | 0.4572 | ![]() | 2461 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RQ1E100 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 10.5mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 12.7 NC @ 5 V | ±20V | 1000 pf @ 10 V | - | 550MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-1120A | - | ![]() | 1353 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | - | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | RLZTE-1120 | 500兆 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 200 na @ 15 V | 19.1 v | 28欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZTR16 | 0.1088 | ![]() | 8606 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±10% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TDZTR16 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 11 V | 16 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HP8M31TB1 | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | HP8M31 | MOSFET (金属 o化物) | (3W)(TA) | 8-hsop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 60V | 8.5a(ta) | 65mohm @ 8.5a,10v,70mohm @ 8.5a,10v | 3V @ 1mA | 12.3nc @ 10v,38nc @ 10v | 470pf @ 30v,2300pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30ZTTE61 | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB520 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB520S-30ZTTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1308T100P | - | ![]() | 4385 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SB1308 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 3 a | 500NA(ICBO) | PNP | 450mv @ 150mA,1.5a | 82 @ 500mA,2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC1741ASTPR | - | ![]() | 4970 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72 | 2SC1741A | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 500 MA | 500NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 15mA,150mA | 120 @ 100mA,3v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7218B | - | ![]() | 1933年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7218b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 13 V | 18 V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R7.5B | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSTA14T146 | 0.1417 | ![]() | 4594 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | SOT-23-6 | MMSTA14 | 200兆 | SOT-23 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 10mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1776TV2Q | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 3-SIP | 2SA1776 | 1 w | ATV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 500 MA | 1µA(ICBO) | PNP | 1V @ 10mA,100mA | 120 @ 50mA,5V | 12MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-115.6B | - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | - | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 13欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SR139-400T-32 | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-41 mini,轴向 | 1SR139 | 标准 | MSR | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
R6530knzc17 | 6.5000 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | R6530 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6530knzc17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 30A(TC) | 10V | 140MOHM @ 14.5A,10V | 5V @ 960µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMH1AT110 | 0.4400 | ![]() | 4855 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | IMH1 | 300MW | SMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5W1TR | 0.7200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | QS5W1 | 1.25W | TSMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30V | 3a | 1µA(ICBO) | 2 NPN (双)常见发射极 | 400mv @ 50mA,1a | 200 @ 500mA,2V | 270MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095B-90GTL | - | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tt8k1tr | 0.2345 | ![]() | 1093 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8K1 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 2.5a | 72MOHM @ 2.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 3.6nc @ 4.5V | 260pf @ 10V | 逻辑级别门,1.5V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858BWT106 | 0.3600 | ![]() | 3850 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC858 | 350兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 210 @ 2mA,5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EUAT106 | - | ![]() | 3281 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA144 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521VM-40TE-17 | 0.3700 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB521 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 540 mv @ 200 ma | 90 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 200mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ZCT116 | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTB113 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 56 @ 50mA,5V | 200 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B24VLYFHT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.08% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 17 V | 24 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DAN217UT106 | 0.3800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | Dan217 | 标准 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 200 na @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E350BNTB1 | 3.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | RS1E | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 35A(ta),80a tc) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 35A,10V | 2.5V @ 1mA | 185 NC @ 10 V | ±20V | 7900 PF @ 15 V | - | (3W(ta),35W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF01VM2STE-17 | 0.3900 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RF01VM2 | 标准 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 250 v | 1.2 V @ 100 ma | 10 µA @ 250 V | 150°C (最大) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99FT116 | - | ![]() | 7310 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | SSD3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BAV99FT116TR | 过时的 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 75 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS306AHGC9 | 3.9100 | ![]() | 6279 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS306 | SIC (碳化硅) | TO-220ACP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 6a | 300pf @ 1V,1MHz |
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