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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RZQ050P01TR	0.8800	RFQ	21	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RZQ050	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	12 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V	±10V	2850 pf @ 6 V	-	600MW（TA）
2SB1424T100Q	0.1982	RFQ	8589	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1424		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																							20 v	3 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，2a	120 @ 100mA，2V	240MHz
RSS100N03HZGTB	1.5800	RFQ	990	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS100	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	10a（10a）	4V，10V	13.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	1070 pf @ 10 V	-	2W（TA）
BAW56HMFHT116	0.2700	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW56	标准		SSD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	80 V	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 80 V	150°C （最大）
kdztr20b	0.5200	RFQ	701	Rohm半导体	KDZ	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	KDZTR20		1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			10 µA @ 15 V							20.8 v
RB228NS-40TL	1.8700	RFQ	984	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RB228	肖特基		LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	30a	770 mv @ 15 A		10 µA @ 40 V	150°C
mtzjt-7220b	-	RFQ	9632	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7220b	Ear99	8541.10.0050	5,000																										20 v
2sara41ct116s	0.4200	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2Sara41		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							120 v	50 mA	500NA（ICBO）			PNP	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz
DTA123EMT2L	0.0615	RFQ	2482	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTA123		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
2SA2030T2L	0.5300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SA2030		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																							12 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
RB168LAM150TFTR	0.5000	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	RB168	肖特基		PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													150 v				2.5 µA @ 150 V	150°C （最大）	1a	-
QS5U12TR	0.6700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U12	MOSFET （金属 o化物）		TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	2A（TA）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.9 NC @ 4.5 V	±12V	175 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
RLZTE-1122B	-	RFQ	6345	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	RLZTE-1122		500兆	llds	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																			200 na @ 17 V							21.2 v	30欧姆
DTC143TMT2L	0.4700	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTC143		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																							50 V	100 ma	500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
QS5U27TR	0.7400	RFQ	128	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U27	MOSFET （金属 o化物）		TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.5A，4.5V	2V @ 1mA	4.2 NC @ 4.5 V	±12V	325 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
2SA1797T100P	0.6500	RFQ	24	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1797		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	350mv @ 50mA，1a	82 @ 500mA，2V	200MHz
2SAR552P5T100	0.5500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR552		500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																							30 V	3 a	1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，1a	200 @ 500mA，2V	330MHz
FMA10AT148	0.1119	RFQ	5817	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SC-74A，SOT-753	FMA10		300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	500NA			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250MHz	1KOHMS	10KOHMS
R8003knxc7g	2.4900	RFQ	477	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R8003	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	800 v	3A（3A）	10V	1.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 2mA	11.5 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 100 V	-	36W（TC）
RS1E301GNTB1	1.9400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E	MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	30a（30a），80a tc（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 1mA	39.8 NC @ 10 V	±20V	2500 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
tt8k1tr	0.2345	RFQ	1093	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8K1	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	2.5a		72MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	3.6nc @ 4.5V		260pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
DTC043EMT2L	0.2400	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTC043		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																							50 V	100 ma	-			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	20 @ 5mA，10v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
rb481yspt2r	-	RFQ	5684	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75-4，SOT-543		肖特基		EMD4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RB481YSPT2RTR	过时的		8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2独立	30 V	100mA	430 mv @ 100 ma		30 µA @ 10 V	125°c （最大）
TT8U2TCR	-	RFQ	3621	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TT8U2	MOSFET （金属 o化物）		8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	2.4A（TA）	1.5V，4.5V	105mohm @ 2.4a，4.5V	1V @ 1mA	6.7 NC @ 4.5 V	±10V	850 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
RB085BGE-40TL	1.2500	RFQ	110	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RB085	肖特基		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	10a	550 mv @ 5 a		200 µA @ 40 V	150°C （最大）
SCS302AP9	1.1520	RFQ	5172	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计			通过洞	TO-220-2	SCS302	SIC （碳化硅）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.5 V @ 2 A	0 ns	10.8 µA @ 650 V	175°c （最大）	2a	110pf @ 1V，1MHz
RB521S-40GTE61	-	RFQ	3051	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					RB521				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RB521S-40GTE61TR	Ear99	8541.10.0070	3,000
2SD2537T100V	0.8400	RFQ	9919	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD2537		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							25 v	1.2 a	300NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，500mA	820 @ 500mA，5V	200MHz
RB075BM40SFHHTL	0.7200	RFQ	7398	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				TO-252	-		（1 （无限）					2,500
BC848BWT106	0.3900	RFQ	8381	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²