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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RVQ040N05HZGTR	0.9600	RFQ	6	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		RVQ040	MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				45 v	4A（ta）	4V，10V	53MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	8.8 NC @ 5 V	±21V	530 pf @ 10 V	-	950MW（TA）
RSR030N06TL	0.4700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-96		RSR030	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				60 V	3A（3A）	4V，10V	85mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	380 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
BM63363S-VC	20.5800	RFQ	2716	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	25-PowerDip 模块（1.327英寸，33.70mm）	IGBT	BM63363				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	3相逆变器			10 a	600 v	1500vrms
DTA123ECAT116	0.2700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		DTA123		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
BZX84B27VLFHT116	0.2700	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±1.85％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84		250兆	SSD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						100 na @ 19 V							27 V	80欧姆
BZX84C33VLFHT116	0.1600	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±6.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84		250兆	SSD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						100 na @ 23 V							33 V	80欧姆
SCS210AMC	5.6300	RFQ	248	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计			通过洞	TO-220-2		SCS210	SIC （碳化硅）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.55 V @ 10 A	0 ns	200 µA @ 600 V	175°c （最大）	10a	365pf @ 1V，1MHz
UMD5NTR	0.4500	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		UMD5		150MW，120MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5v / 30 @ 10mA，5V	250MHz	47KOHM，4.7KOHM	47KOHM，10KOHM
2SAR513PT100	1.0600	RFQ	279	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2SAR513		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																										50 V	1 a	1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	400MHz
RB160LAM-40TFTR	0.5100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128		RB160	肖特基		PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																40 V				100 µA @ 40 V	150°C （最大）	1a	-
EMH3T2R	0.3900	RFQ	568	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666		EMH3T2		150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																										50V	100mA	-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
EDZVFHT2R2.2B	0.3400	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±4.32％	150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523		EDZVFHT2		150兆	EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																						120 µA @ 700 mV							2.2 v	100欧姆
mtzjt-7720b	-	RFQ	6037	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向				500兆	MSD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																						200 na @ 15 V							20 v	30欧姆
RFNL10TJ6SGC9	1.5200	RFQ	3	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		RFNL10	标准		TO-220ACFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v		1.3 V @ 10 A	150 ns	10 µA @ 600 V	150°C （最大）	10a	-
VDZT2R36B	-	RFQ	2180	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-723		vdzt2		100兆	VMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																						100 na @ 27 V							36 V	300欧姆
RFUH30TS6SGC11	-	RFQ	1929年	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计			通过洞	TO-247-3		RFUH30	标准		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	450		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v		2.8 V @ 30 A	35 ns	10 µA @ 600 V	150°C （最大）	15a	-
2SD2118TLR	0.3412	RFQ	2487	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		2SD2118		10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																										20 v	5 a	500NA（ICBO）			NPN	1V @ 100mA，4a	180 @ 500mA，2V	150MHz
dtd523yetl	0.4800	RFQ	223	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		DTD523		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										12 v	500 MA	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	2.2 kohms	10 kohms
RB160LAM-90TR	0.4000	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128		RB160	肖特基		PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																90 v		730 MV @ 1 A		100 µA @ 90 V	150°C （最大）	1a	-
mtzjt-7736b	-	RFQ	6521	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向				500兆	MSD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																						200 na @ 27 V							36 V	75欧姆
DTA143TKAT146	0.3100	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		DTA143		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma	500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
DTC014EUBTL	0.3000	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-85		DTC014		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	50 mA	-			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	35 @ 5mA，10v	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RB085T-90	-	RFQ	3513	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计			通过洞	TO-220-3完整包		RB085	肖特基		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	RB085T90	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	90 v	5a	830 mv @ 5 a		150 µA @ 90 V	150°C （最大）
RB050LAM-60TR	0.4800	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128		RB050	肖特基		PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																60 V		560 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	150°C （最大）	3a	-
DTA024EUBTL	0.3000	RFQ	704	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-85		DTA024		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	30 ma	-			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	60 @ 5mA，10v	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2SA2029T2LQ	0.4000	RFQ	49	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723		2SA2029		150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																										50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
US6X4TR	0.2120	RFQ	2882	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		US6X4		400兆	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										30 V	2 a	100NA（ICBO）			NPN	370MV @ 75mA，1.5a	270 @ 200ma，2V	280MHz
RXR035N03TCL	0.2392	RFQ	3372	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-96		RXR035	MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				30 V	3.5A（ta）	4V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.3 NC @ 5 V	±20V	180 pf @ 10 V	-	1W（ta）
R8002ANX	-	RFQ	5448	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		R8002	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				800 v	2A（TC）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	5V @ 1mA	12.7 NC @ 10 V	±30V	210 pf @ 25 V	-	35W（TC）
UDZSTE-175.6B	0.3900	RFQ	18	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F		Udzste		200兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						1 µA @ 2.5 V							5.6 v	60欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²