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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84B5V1LYFHT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.96% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521SM-40T2R | 0.3900 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RB521 | 肖特基 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 540 mv @ 200 ma | 90 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 200mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF101LAM4STFTR | 0.4100 | ![]() | 7883 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RF101 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 25 ns | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M21FRATB | 1.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8M21 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 45V | 6a(6a),4a ta(4a ta) | 25mohm @ 6a,10v,46mohm @ 4a,10v | 2.5V @ 1mA | 21.6nc @ 5v,28nc @ 5v | 1400pf @ 10V,2400pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS240KE2GC11 | 23.3200 | ![]() | 2944 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS240 | SIC (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCS240KE2GC11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 20A(DC) | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA @ 1200 V | 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMY5T148 | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | FMY5 | 300MW | SMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120V | 50mA | 500NA(ICBO) | NPN,PNP (发射器耦合) | 500mv @ 1mA,10mA | 180 @ 100mA,2V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA014YEBTL | 0.1900 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA014 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 70 MA | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 10 kohms | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||
RLS4448TE-11 | - | ![]() | 3423 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | RLS4448 | 标准 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C 〜200°C | 150mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EM6K6T2R | 0.5000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EM6K6 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 300mA | 1欧姆 @ 300mA,4V | 1V @ 1mA | - | 25pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RU1L002SNTL | 0.4000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-85 | RU1L002 | MOSFET (金属 o化物) | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 250mA(ta) | 2.5V,10V | 2.4OHM @ 250mA,10V | 2.3V @ 1mA | ±20V | 15 pf @ 25 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT1AT110 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | IMT1 | 300MW | SMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 917 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA123 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 5mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
SH8MC5TB1 | 1.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8MC5 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 60V | 6.5a(6),7a ta(7a ta) | 32mohm @ 6.5a,10v,33mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 7.6nc @ 10V,50NC @ 10V | 460pf @ 30v,2630pf @ 30V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR522EBTL | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 2SAR522 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 200 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 1mA,2V | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB530SM-40T2R | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | RB530 | 肖特基 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 710 MV @ 100 mA | 15 µA @ 40 V | 150°C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR40NS30ATL | 2.7700 | ![]() | 391 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR40 | 肖特基 | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 20a | 520 mv @ 20 a | 600 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6008FNX | 2.5064 | ![]() | 7182 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6008 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6008FNX | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 8A(TC) | 10V | 950MOHM @ 4A,10V | 4V @ 1mA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 580 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ220N25TL | 3.0500 | ![]() | 988 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RCJ220 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 22a(TC) | 10V | 140mohm @ 11a,10v | 5V @ 1mA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 3200 PF @ 25 V | - | 1.56W(ta),40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | dta144eubhzgtl | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTA144 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | r8002anjfrgtl | 2.7200 | ![]() | 7191 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R8002 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 2A(TC) | 10V | 4.3OHM @ 1A,10V | 5V @ 1mA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 250 pf @ 25 V | - | 62W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115ECAHZGT116 | 0.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC115 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
RSS050P03FU6TB | - | ![]() | 9113 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS050 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 5A(5A) | 4V,10V | 42MOHM @ 5A,10V | 2.5V @ 1mA | 13 NC @ 5 V | ±20V | 1200 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | vdzt2r2.2b | - | ![]() | 9692 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-723 | vdzt2 | 100兆 | VMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2.2 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YFZVFHTR30B | 0.4300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.52% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | YFZVFHTR30 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 23 V | 28.42 v | 55欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
R6020JNZC8 | 7.0000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 15V | 234mohm @ 10a,15v | 7V @ 3.5mA | 45 NC @ 15 V | ±30V | 1500 pf @ 100 V | - | 76W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C4V3LFHT116 | 0.1600 | ![]() | 546 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.98% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF05VA2STR | 0.1038 | ![]() | 2609 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RF05VA2 | 标准 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 980 mv @ 500 mA | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
rlzte-113.6a | - | ![]() | 3685 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | - | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04HYT116 | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB058LAM-60TFTR | 0.4900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB058 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 640 mv @ 3 a | 35.3 ns | 4 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 3a | - |
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