电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HP8MA2TB1 | 1.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | HP8MA2 | MOSFET (金属 o化物) | (3W)(TA) | 8-hsop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 18A(18A),(15a)(15A) | 9.6mohm @ 18a,10v,17.9mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 1mA | 22nc @ 10v,25nc @ 10V | 1100pf @ 15V,1250pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6515KNX3C16 | 3.5300 | ![]() | 956 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | R6515 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6515KNX3C16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 15A(TC) | 10V | 315MOHM @ 6.5A,10V | 5V @ 430µA | 27.5 NC @ 10 V | ±20V | 1050 pf @ 25 V | - | 161W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6004CNDTL | 2.3100 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | R6004 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 4A(ta) | 10V | 1.8Ohm @ 2a,10v | 4.5V @ 1mA | 11 NC @ 10 V | ±25V | 280 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088BGE-60TL | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB088 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 830 mv @ 5 a | 3 µA @ 60 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-1111B | - | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | - | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 200 na @ 8 V | 11 V | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ8.2TFHT106 | 0.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.37% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | UMZ8.2 | 200兆 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对普通阴极 | 500 na @ 5 v | 8.2 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65CHRC11 | 12.8100 | ![]() | 8029 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGW60 | 标准 | 178 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGW60TS65CHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,15a,10ohm,15V | 34 ns | - | 650 v | 64 a | 120 a | 1.9V @ 15V,30a | (70µJ)(在),220µJ(((() | 84 NC | 37NS/91NS | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088NS150FHTL | 1.3100 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB088 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 880 mv @ 5 a | 10.7 ns | 15 µA @ 150 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B7V5LYT116 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR2MM30ATFTR | 0.3900 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBR2MM30 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 530 mv @ 2 a | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020YNZ4C13 | 6.5700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | R6020 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-R6020YNZ4C13 | 30 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V,12V | 185mohm @ 6a,12v | 6V @ 1.65mA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1200 pf @ 100 V | - | 182W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-1718B | 0.3000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB480YNPT2R | - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75-4,SOT-543 | 肖特基 | EMD4 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB480YNPT2RTR | 过时的 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 30 V | 100mA | 530 mv @ 100 ma | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS310AHGC9 | 6.5500 | ![]() | 407 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS310 | SIC (碳化硅) | TO-220ACP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 10a | 500pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSAC6.8CST2RA | 0.4500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±4% | - | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RSAC6.8 | 100兆 | VMN2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 30 V | 7.02 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR586D3FRATL | 1.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SAR586 | 10 W | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 80 V | 5 a | 1µA(ICBO) | 320mv @ 100mA,2a | 120 @ 500mA,3v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB238NS150FHTL | 2.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB238 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 40a | 920 mv @ 20 a | 20.2 ns | 30 µA @ 150 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068VWM-40TR | 0.4800 | ![]() | 2305 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RB068 | 肖特基 | PMDE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 790 mv @ 2 a | 500 NA @ 40 V | 175°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBLQ2MM10TR | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBLQ2 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 770 mv @ 2 a | 10 µA @ 100 V | 175°C | 2a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF6E045AJTCR | 0.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | RF6E045 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.5A(ta) | 4.5V | 23.7MOHM @ 4.5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 8.1 NC @ 4.5 V | ±12V | 900 pf @ 15 V | - | 1W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR020P03TL | 0.2284 | ![]() | 4358 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | SC-96 | RSR020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2A(TA) | 4V,10V | 120MOHM @ 2A,10V | - | 4.3 NC @ 5 V | ±20V | 370 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R8003KND3TL1 | 2.3200 | ![]() | 988 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | R8003 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 800 v | 3A(3A) | 10V | 1.8OHM @ 1.5A,10V | 4.5V @ 2mA | 11.5 NC @ 10 V | ±20V | 300 pf @ 100 V | - | 45W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS205kgc | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS205 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 5 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 5a | 270pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3G07CGNC16 | 2.4700 | ![]() | 602 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | RX3G07 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RX3G07CGNC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 70A(TC) | 4.7MOHM @ 70A,10V | 2.5V @ 500µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 2410 pf @ 20 V | - | 78W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6013VND3TL1 | 3.0200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | R6013vn | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 846-R6013VND3TL1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 13A(TC) | 10V,15V | 300mohm @ 3a,15v | 6.5V @ 500µA | 21 NC @ 10 V | ±30V | 900 PF @ 100 V | - | 131W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD150N06TL | 0.5924 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD150 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 15A(TA) | 4V,10V | 40mohm @ 15a,10v | 3V @ 1mA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 930 PF @ 10 V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE258.2A | 0.2014 | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | - | 表面安装 | do-214ac,SMA | PTZTE258.2 | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 20 µA @ 5 V | 8.2 v | 4欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMZ1FHAT2R | 0.0967 | ![]() | 1483 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMZ1FHAT2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | NPN,PNP | 400mv @ 5mA,50mA / 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 180MHz,140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088BGE-40TL | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB088 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 5a | 770 mv @ 5 a | 3 µA @ 40 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZ8HRTE6110B | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZ8HRT | 100兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-EDZ8HRTE6110BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库