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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RV4E031RPHZGTCR1 | 0.8300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装,可润湿的侧面 | 6 PowerWFDFN | RV4E031 | MOSFET (金属 o化物) | DFN1616-6W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RV4E031RPHZGTCR1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.1a(ta) | 105MOHM @ 3.1A,10V | 2.5V @ 1mA | 4.8 NC @ 5 V | ±20V | 460 pf @ 10 V | - | 1.5W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16HMT116 | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | 215ma | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFV8BM6STL | 1.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFV8BM6 | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 8 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pdzvtftr3.3b | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,PDZVTF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.06% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtftr3.3 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 80 µA @ 1 V | 3.5 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZ9HUTE613.9B | - | ![]() | 4255 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | Edz9hut | 100兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-EDZ9HUTE613.9BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-725.1A | - | ![]() | 6815 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt725.1a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1.5 V | 5.1 v | 70欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMT4401U3HZGT106 | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | UMT4401 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 846-UMT4401U3HZGT106TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 600 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 750mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC044TMT2L | 0.0382 | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTC044T | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC044 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 60 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 100 @ 5mA,10v | 250 MHz | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX201VAM30TR | 0.4400 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RSX201 | 肖特基 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 420 mv @ 1 A | 300 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTQ020N03TR | 0.5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RTQ020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2A(TA) | 2.5V,4.5V | 125MOHM @ 2A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 3.3 NC @ 4.5 V | ±12V | 135 pf @ 10 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMX26T2R | 0.4900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMX26 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150mA | 300NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 300mv @ 5mA,50mA | 820 @ 50mA,5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ECAHZGT116 | 0.1900 | ![]() | 850 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA143 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1698T100 | 0.2667 | ![]() | 8924 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SB1698 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1.5 a | 100NA(ICBO) | PNP | 370mv @ 50mA,1a | 270 @ 100mA,2V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DA204KT146 | 0.4000 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DA204 | 标准 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 20 v | 100mA | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 15 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-1727B | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.48% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzvfhte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 150欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB063L-30TE25 | 0.9100 | ![]() | 126 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RB063 | 肖特基 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 395 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | 125°c (最大) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TCAT116 | 0.2800 | ![]() | 904 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC114 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E025SNTL | 0.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5E025 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.5a(ta) | 4V,10V | 70MOHM @ 2.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 4.1 NC @ 5 V | ±20V | 165 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5C030TPTL | 0.6000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5C030 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3A(3A) | 2.5V,4.5V | 75MOHM @ 3A,4.5V | 2V @ 1mA | 9.3 NC @ 4.5 V | ±12V | 840 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1427T100U | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SB1427 | 2 w | MPT3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-2SB1427T100UTR | 1,000 | 20 v | 2 a | 500NA(ICBO) | NPN | 450mv @ 150mA,1.5a | 180 @ 500mA,2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMF5T2R | 0.4300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMF5T2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V,12V | 100mA,500mA | 500NA | 1 NPN预偏,1 pnp | 300mv @ 500µA,10mA / 250mv @ 10mA,200ma | 68 @ 5mA,5v / 270 @ 10mA,2V | 250MHz,260MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST3904T116 | 0.3300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST3904 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2018TL | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SA2018 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 10mA,200mA | 270 @ 10mA,2V | 260MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521ZS8A30TE61 | - | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 8-xfdfn | RB521 | 肖特基 | 8-HMD(1.6x0.8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 4独立 | 30 V | 100mA | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6520knjtl | 6.2900 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6520 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 205mohm @ 9.5A,10V | 5V @ 630µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 25 V | - | 231W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4505T100P | - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SC4505 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 v | 100 ma | 10µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 82 @ 10mA,10v | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080ALGC11 | 12.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT3080 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 30A(TC) | 18V | 104mohm @ 10a,18v | 5.6V @ 5mA | 48 NC @ 18 V | +22V,-4V | 571 PF @ 500 V | - | 134W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7718C | - | ![]() | 3631 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 13 V | 18 V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C15VLFHT116 | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.12% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 10 V | 14.7 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8KC6TCR | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QH8KC6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W(TA) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 5.5A(ta) | 30mohm @ 5.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 7.6nc @ 10V | 460pf @ 30V | - |
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