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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RUP1301ZST2R	-	RFQ	6283	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RUP1301ZST2RTR	过时的		3,000
UMZ36NT106	0.4100	RFQ	450	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	-	表面安装	SC-70，SOT-323	UMZ36		200兆	UMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1对公共阳极																									36 V
2SC5824T100Q	0.6600	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC5824		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							60 V	3 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 200mA，2a	120 @ 100mA，2V	200MHz
rup1301umtl	-	RFQ	4606	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					RUP1301				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RUP1301UMTLTR			3,000
R6030JNZC8	9.0800	RFQ	29	Rohm半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6030	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360			n通道	600 v	30A（TC）	15V	143mohm @ 15a，15v	7V @ 5.5mA	74 NC @ 15 V	±30V	2500 PF @ 100 V	-	93W（TC）
RSS065N03TB	0.5072	RFQ	3745	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS065	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	6.5A（TA）	4V，10V	26mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	6.1 NC @ 5 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	2W（TA）
MTZJT-7718C	-	RFQ	3631	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																			200 na @ 13 V							18 V	30欧姆
2SB1243TV2R	-	RFQ	2322	Rohm半导体	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SB1243		1 w	ATV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																							50 V	3 a	1µA（ICBO）			PNP	1V @ 200mA，2a	180 @ 500mA，3v	70MHz
R6046ANZ1C9	15.7900	RFQ	448	Rohm半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6046ANZ1C9	Ear99	8541.29.0095	450			n通道	600 v	46A（TC）	10V	90MOHM @ 23A，10V	4.5V @ 1mA	150 NC @ 10 V	±30V	6000 pf @ 25 V	-	120W（TC）
UDZVFHTE-1727B	0.3900	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.48％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	udzvfhte		200兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			100 na @ 21 V							27 V	150欧姆
DTC143XEBTL	0.0488	RFQ	3792	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143		150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
RFN1L6STE25	0.1409	RFQ	9980	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	do-214ac，SMA	RFN1L6	标准		PMD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.45 V @ 800 mA	35 ns	1 µA @ 600 V	150°C （最大）	800mA	-
SCS315AMC	6.7700	RFQ	179	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2完整包	SCS315	SIC （碳化硅）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.5 V @ 15 A	0 ns	75 µA @ 650 V	175°c （最大）	15a	750pf @ 1V，1MHz
VMNZ6.8CST2RA	0.0760	RFQ	7005	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±2％	-55°C〜150°C	-	-	VMNZ6.8		100兆	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000	1对普通阴极																7.82 V @ 1 mA		500 NA @ 3.5 V							6.8 v
UMZ30KFHTL	0.0659	RFQ	8727	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±2.51％	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	UMZ30		200兆	UMD4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	2独立																		100 na @ 23 V							29.94 v
EDZVFHT2R13B	0.3400	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.23％	150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	EDZVFHT2		150兆	EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																			100 na @ 10 V							13 V	37欧姆
DTD543ZE3TL	0.4000	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTD543		150兆	EMT3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																							12 v	500 MA	500NA			npn- +二极管	300mv @ 5mA，100mA	140 @ 100mA，2V	260 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
DTC943TUBTL	0.0784	RFQ	9338	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-85	DTC943		200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																							20 v	400 MA	500NA（ICBO）			npn-预先偏见	100mv @ 3mA，30mA	820 @ 10mA，5V	35 MH	4.7科姆斯
SCT3040KRC15	27.1400	RFQ	2661	Rohm半导体	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3040	SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3040KRC15	Ear99	8541.29.0095	450			n通道	1200 v	55A（TJ）	18V	52Mohm @ 20a，18v	5.6V @ 10mA	107 NC @ 18 V	+22V，-4V	1337 PF @ 800 V	-	262W
UMZ22KFHTL	0.3500	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±2.11％	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	UMZ22		200兆	UMD4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	2独立																		100 na @ 17 V							22.01 v
2SD2675TL	0.5200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SD2675		500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	350mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
2SD2701TL	0.5700	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	2SD2701		800兆	Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							12 v	2 a	100NA（ICBO）			NPN	350mv @ 50mA，1a	270 @ 100mA，2V	300MHz
2SAR512PHZGT100	0.6200	RFQ	808	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																							30 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 35mA，700mA	200 @ 100mA，2V	430MHz
RB751S-40GJTE61	-	RFQ	3791	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					RB751				-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RB751S-40GJTE61TR	过时的		3,000
MTZJT-776.2B	-	RFQ	6126	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																			5 µA @ 3 V							6.2 v	30欧姆
DTD123EKT146	0.4500	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTD123		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	500 MA	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	39 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
SP8K22FU6TB	-	RFQ	6739	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K22	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			45V	4.5a		46mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	9.6nc @ 5V		550pf @ 10V	逻辑级别门
RB055LA-40GTR	-	RFQ	5661	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-128	RB055	肖特基		PMDT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	846-RB055LA-40GTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		620 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	150°C	3a	-
DTC614TKT146	0.4800	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC614		200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							20 v	600 MA	500NA（ICBO）			npn-预先偏见	150mv @ 2.5mA，50mA	820 @ 50mA，5V	150 MHz	10 kohms
DAP202KT146	0.4100	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DAP202	标准		SMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 NA @ 70 V	150°C （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²