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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PDZVTR43A | 0.1275 | ![]() | 8670 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.98% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR43 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 33 V | 43 V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZTR12 | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TDZTR12 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 8 V | 12 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS302AP9 | 1.1520 | ![]() | 5172 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS302 | SIC (碳化硅) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 2 A | 0 ns | 10.8 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 2a | 110pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN3BM6SFHTL | 0.8700 | ![]() | 9112 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN3B | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 3 A | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1239TV2 | - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 3-SIP | 1 w | ATV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 40 V | 2 a | 1µA(ICBO) | pnp-达灵顿 | 1.5V @ 1.2mA,600mA | 1000 @ 500mA,2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN2LAM6STFTR | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RFN2LAM6 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 1.5 A | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS208AJTLL | 4.4500 | ![]() | 227 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SCS208 | SIC (碳化硅) | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 8 A | 0 ns | 160 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 8a | 291pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dtc143eubhzgtl | - | ![]() | 1807年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-85 | DTC143 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC023EMT2L | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC023 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 200mv @ 1mA,10mA | 20 @ 20mA,10v | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ450N20TL | 3.3900 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RCJ450 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 200 v | 45A(TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a,10v | 5V @ 1mA | 80 NC @ 10 V | ±30V | 4200 PF @ 25 V | - | 1.56W(ta),40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RFUH10TF6S | 0.8460 | ![]() | 5215 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2 | RFUH10 | 标准 | TO-220NFM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdzvtftr2.2b | 0.4700 | ![]() | 806 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,KDZVTF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.68% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzvtftr2.2 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 700 mV | 2.32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123ECAHZGT116 | 0.2000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTC123 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 20mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XCAHZGT116 | 0.2100 | ![]() | 615 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA124 | 350兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123EEFRATL | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA123 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 20mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umz8ntr | 0.1049 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMZ8 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V,12V | 150mA,500mA | 100NA(ICBO) | NPN,PNP | 400mv @ 5mA,50mA / 250mv @ 10mA,200mA | 120 @ 1MA,6V / 270 @ 10mA,2V | 180MHz,260MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E035XNTCl | 0.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5E035 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.5A(ta) | 4V,10V | 50mohm @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.3 NC @ 5 V | ±20V | 180 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RF071MM2STFTR | 0.4800 | ![]() | 893 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RF071 | 标准 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 850 mv @ 700 mA | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 700mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4115STPQ | - | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 2SC4115 | 400兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 20 v | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,2a | 120 @ 100mA,2V | 290MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70HMT116 | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rfn1lam6stftr | 0.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RFN1LAM6 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.45 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 800mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC015EMT2L | 0.2500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC015 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 20 ma | - | npn-预先偏见 | 100mV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT8U2TCR | - | ![]() | 3621 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8U2 | MOSFET (金属 o化物) | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.4A(TA) | 1.5V,4.5V | 105mohm @ 2.4a,4.5V | 1V @ 1mA | 6.7 NC @ 4.5 V | ±10V | 850 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | dtd513zetl | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTD513 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 5mA,100mA | 140 @ 100mA,2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR502E3TL | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SAR502 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 MA | 200NA(ICBO) | PNP | 400mv @ 10mA,200mA | 200 @ 100mA,2V | 520MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZVTR6.8A | 0.1275 | ![]() | 8490 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5.88% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR6.8 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 3.5 V | 6.8 v | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
mtzjt-7711b | - | ![]() | 1729年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-174.7B | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.15% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzvfhte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 1 V | 4.65 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR010N10HZGTL | 0.7100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RSR010 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 1A(1A) | 4V,10V | 520MOHM @ 1A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.5 NC @ 5 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6LYT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±7.14% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 |
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