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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RRE07VTM4SFHTR | 0.4000 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RRE07 | 标准 | TUMD2SM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 700 mA | 1 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 700mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E060ATTCR | 0.8000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RQ6E060 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 6a(6a) | 4.5V,10V | 26.4mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 1mA | 25.9 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 15 V | - | 950MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
RSS070P05TB1 | - | ![]() | 5881 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RSS070P05TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 45 v | 7a(ta) | 4V,10V | 27mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 47.6 NC @ 5 V | ±20V | 4100 PF @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR533PFRAT100 | 0.4400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SAR533 | 500兆 | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 3 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 50mA,1a | 120 @ 50mA,3v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR375PHZGT100Q | 0.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 500兆 | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 v | 1.5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 80mA,800mA | 120 @ 200ma,5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E150GNTB | 0.6200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3E150 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 15A(TA) | 4.5V,10V | 6.1MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 1mA | 15.3 NC @ 10 V | ±20V | 850 pf @ 15 V | - | 2W(TA),17.2W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YDZVFHTR6.2 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±9.68% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | YDZVFHTR6.2 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 3 V | 6.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8M41TB1 | 1.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8M41 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 80V | 3.4a,2.6a | 130MOHM @ 3.4A,10V | 2.5V @ 1mA | 9.2nc @ 5V | 600pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RT1A040ZPTR | 0.3749 | ![]() | 5670 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RT1A040 | MOSFET (金属 o化物) | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 4A(ta) | 1.5V,4.5V | 30mohm @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 30 NC @ 4.5 V | ±10V | 2350 pf @ 6 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-174.7B | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.15% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzvfhte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 1 V | 4.65 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZSTE-1720B | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzste | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 85欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | emx1fhat2r | 0.0611 | ![]() | 7439 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMX1FHAT2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XU3T106 | 0.2000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA124 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | - | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB715ZT2L | - | ![]() | 6196 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-723 | RB715Z | 肖特基 | VMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 30mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
RLS4448TE-11 | - | ![]() | 3423 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | RLS4448 | 标准 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C 〜200°C | 150mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RT1E040RPTR | 0.2100 | ![]() | 3295 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RT1E040 | MOSFET (金属 o化物) | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 4A(ta) | 4V,10V | 45mohm @ 4A,10V | 2.5V @ 1mA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 1000 pf @ 10 V | - | 550MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30ZTTE61 | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB520 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB520S-30ZTTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMB8NTR | 0.0848 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMB8 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 PNP-) | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ15BM45AFHTL | 1.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ15 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 590 MV @ 7.5 A | 140 µA @ 45 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA143 | 200兆 | SMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB513ZMT2L | 0.4400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTB513 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 5mA,100mA | 140 @ 100mA,2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA4.7B | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,CDZFH | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2.15% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-923 | CDZFHT2 | 100兆 | VMN2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µA @ 1 V | 4.65 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umg1ntr | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMG1 | 300MW | UMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCD040N25TL | - | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RCD040 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 250 v | 4A(ta) | 10V | - | - | ±30V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E035XNTCl | 0.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RQ5E035 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.5A(ta) | 4V,10V | 50mohm @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 3.3 NC @ 5 V | ±20V | 180 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B16VLFHT116 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±1.88% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 11 V | 16 V | 40欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EBT2L | - | ![]() | 9640 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-923F | DTC114 | 150兆 | VMN3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63575S-VC | 28.6300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63575 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63575S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 1500vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZTR22 | 0.1088 | ![]() | 6622 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±10% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TDZTR22 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 16 V | 22 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVFHT2R27B | 0.3400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.48% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVFHT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 150欧姆 |
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