SIC
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6960）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 电流 -最大 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 电阻 @ if，f 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RD3G400GNTL Rohm Semiconductor RD3G400GNTL 1.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3G400 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 40a（ta） 4.5V，10V 7.5mohm @ 40a，10v 2.5V @ 1mA 19 nc @ 10 V ±20V 1410 PF @ 20 V - 26W（TA）
RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor RQ6A045APTCR 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6A045 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 4.5A（ta） 1.5V，4.5V 30mohm @ 4.5A，4.5V 1V @ 1mA 40 NC @ 4.5 V ±8V 4200 PF @ 6 V - 950MW（TA）
RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor RS1E260ATTB1 2.9600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 26a（26a），80A（tc） 4.5V，10V 3.1MOHM @ 26a，10V 2.5V @ 1mA 175 NC @ 10 V ±20V 7850 pf @ 15 V - （3W）（TA）
RS1E301GNTB1 Rohm Semiconductor RS1E301GNTB1 1.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 30a（30a），80a tc（TC） 4.5V，10V 2.2MOHM @ 30a，10V 2.5V @ 1mA 39.8 NC @ 10 V ±20V 2500 pf @ 15 V - （3W）（TA）
RBR10T30ANZC9 Rohm Semiconductor RBR10T30ANZC9 0.9400
RFQ
 ECAD 910 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RBR10 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RBR10T30ANZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 550 mv @ 5 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 10a -
SP8K3FRATB Rohm Semiconductor SP8K3FRATB 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K3 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7a（ta） 24mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 11.8nc @ 5V 600pf @ 10V -
KDZLVTR100 Rohm Semiconductor kdzlvtr100 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 KDZLV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F kdzlvtr100 1 w PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 76 V 100 v
SCT3060ARC14 Rohm Semiconductor SCT3060ARC14 24.2700
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 SCT3060 sicfet （碳化硅） TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 39A（TC） 18V 78mohm @ 13a，18v 5.6V @ 6.67mA 58 NC @ 18 V +22V，-4V 852 PF @ 500 V - 165W
UFZVTE-1730B Rohm Semiconductor UFZVTE-1730B 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2.53％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F UFZVTE 500兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 23 V 30 V 55欧姆
BAT54CHMT116 Rohm Semiconductor BAT54CHMT116 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAT54 肖特基 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对普通阴极 30 V 200ma（dc） 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大）
BZX84B24VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B24VLT116 -
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±2.08％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 17 V 24 V 70欧姆
RB751Y-40T2R Rohm Semiconductor RB751Y-40T2R -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 RB751 - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-RB751Y-40T2RTR 过时的 8,000
RGT60TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT60TS65DGC11 2.3755
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGT60 标准 194 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGT60TS65DGC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 55 a 90 a 2.1V @ 15V，30a - 58 NC 29n/100ns
RTL020P02TR Rohm Semiconductor RTL020P02TR 0.2893
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RTL020 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 2.5V，4.5V 135mohm @ 2A，4.5V 2V @ 1mA 4.9 NC @ 4.5 V ±12V 430 pf @ 10 V - 1W（ta）
RN242CST2RA Rohm Semiconductor RN242CST2RA 0.0935
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） SOD-923 RN242 VMN2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 100 ma 0.35pf @ 1V，1MHz PIN-单 30V 1.5OHM @ 10mA，100MHz
RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor RSQ020N03HZGTR 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RSQ020 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2A（TA） 4V，10V 134mohm @ 2a，10v 2.5V @ 1mA 3.1 NC @ 5 V ±20V 110 pf @ 10 V - 950MW（TA）
EMB3T2R Rohm Semiconductor EMB3T2R 0.0801
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 EMB3T2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA - 2 PNP-） 300mv @ 2.5mA，5mA 100 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
DTC124GKAT146 Rohm Semiconductor DTC124GKAT146 0.0463
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTC124 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
DTA023YUBTL Rohm Semiconductor DTA023YUBTL 0.0536
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Rohm半导体 DTA023Y 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-85 DTA023 200兆 UMT3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp- +二极管 150MV @ 500µA，5mA 35 @ 5mA，10v 250 MHz 2.2 kohms
2SAR375P5T100Q Rohm Semiconductor 2SAR375P5T100Q 0.6600
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SAR375 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µA（ICBO） PNP 320mv @ 80mA，800mA 120 @ 200ma，5v 280MHz
RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor RS1E281BNTB1 1.9300
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 28a（28a）（80A）（80a tc） 4.5V，10V 2.3MOHM @ 28A，10V 2.5V @ 1mA 94 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 15 V - （3W）（TA）
RLZTE-1122B Rohm Semiconductor RLZTE-1122B -
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±3％ - 表面安装 DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80 RLZTE-1122 500兆 llds 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 17 V 21.2 v 30欧姆
YDZVFHTR8.2 Rohm Semiconductor YDZVFHTR8.2 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±9.76％ 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 YDZVFHTR8.2 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 4.9 V 8.2 v
UDZVFHTE-1715B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1715B 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2.13％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F udzvfhte 200兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 11 V 15 v 42欧姆
BZX84B16VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B16VLFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±1.88％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 11 V 16 V 40欧姆
YDZVFHTR24 Rohm Semiconductor YDZVFHTR24 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 YDZVFHTR24 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 17 V 24 V
TFZVTR2.2B Rohm Semiconductor tfzvtr2.2b 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 150°C 表面安装 2-SMD，平坦的铅 tfzvtr2.2 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 700 mV 2.2 v 120欧姆
BZX84C3V0LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V0LFHT116 0.1600
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±6.67％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
PDZVTR18B Rohm Semiconductor PDZVTR18B 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 PDZV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6.01％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-128 PDZVTR18 1 w PMDTM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 13 V 18 V 12欧姆
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor RQ6C065BCTCR 0.8000
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RQ6C065 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6.5A（TC） 4.5V 21mohm @ 6.5a，4.5V 1.2V @ 1mA 22 NC @ 4.5 V ±8V 1520 pf @ 10 V - 1.25W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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