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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RFUH25TB3SNZC9	1.7000	RFQ	914	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2完整包	RFUH25		标准		TO-220FN-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RFUH25TB3SNZC9	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															350 v		1.45 V @ 20 A	30 ns	10 µA @ 350 V	150°C	20a	-
RFUH25NS3STL	2.0100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RFUH25		标准		LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															350 v		1.45 V @ 20 A	30 ns	10 µA @ 350 V	150°C	20a	-
kdzvtr43a	0.4700	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.98％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	KDZVTR43			1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				5 µA @ 33 V															43 V
RF601T2DNZC9	1.2400	RFQ	983	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包	RF601		标准		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RF601T2DNZC9	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	200 v	6a	930 MV @ 3 A	25 ns	10 µA @ 200 V	150°C
DZ2405600L	-	RFQ	6022	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-DZ2405600LTR	Ear99	8541.10.0050	3,000
ES6U42FU7T2CR	-	RFQ	3891	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-ES6U42FU7T2CRTR	过时的		8,000
ES6U41FU7T2R	-	RFQ	6205	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-ES6U41FU7T2RTR	过时的		8,000
RD3G03BATTL1	1.5100	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3G03		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			40 V	35A（TA）	4.5V，10V	19.1mohm @ 35a，10v	2.5V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	56W（ta）
RD3G01BATTL1	1.1600	RFQ	50	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3G01		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			40 V	15A（TA）	4.5V，10V	39mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	19.3 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 20 V	-	25W（TA）
RBQ20BGE45ATL	2.1500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RBQ20		肖特基		TO-252GE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	45 v	20a	590 mv @ 10 A		200 µA @ 45 V	150°C
RGS80TSX2GC11	10.6500	RFQ	21	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGS80	标准		555 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGS80TSX2GC11	Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，10ohm，15V																				沟渠场停止	1200 v	80 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	3MJ（在）上，3.1MJ（3.1MJ）	104 NC	49NS/199N
RGS30TSX2HRC11	6.9300	RFQ	3931	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGS30	标准		267 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGS30TSX2HRC11	Ear99	8541.29.0095	30				600V，15a，10ohm，15V																				沟渠场停止	1200 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	（740µJ）（在600µJ上）	41 NC	30NS/70NS
RGTV80TS65GC11	5.6000	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		234 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V																				沟渠场停止	650 v	78 a	160 a	1.9V @ 15V，40a	1.02MJ（在）上（710µJ off）	81 NC	39NS/113NS
DTB123Tchzgt116	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB123			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									40 V	500 MA								500NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
2SCR587D3TL1	1.5300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				10 W	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-2SCR587D3TL1CT	Ear99	8541.29.0095	2,500																									120 v	3 a								1µA（ICBO）				NPN	120mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，5V	250MHz
RGS30TSX2GC11	6.3500	RFQ	1436年	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		267 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				600V，15a，10ohm，15V																				沟渠场停止	1200 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	（740µJ）（在600µJ上）	41 NC	30NS/70NS
RGT20NL65GTL	2.2200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		106 w	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，10a，10ohm，15V																				沟渠场停止	650 v	20 a	30 a	2.1V @ 15V，10a	-	22 NC	12NS/32NS
DTA115EMFHAT2L	0.0668	RFQ	9384	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOT-723	DTA115			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																									50 V	100 ma								500NA				pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
PDZVTR12B	0.4100	RFQ	14	Rohm半导体	PDZV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.88％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	PDZVTR12			1 w	PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 9 V															12.75 v	8欧姆
pdzvtr3.9a	0.4500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±5.13％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	pdzvtr3.9			1 w	PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				40 µA @ 1 V															3.9 v	15欧姆
yfzvfhtr10b	0.4300	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.54％	150°C（TJ）	表面安装	2-SMD，平坦的铅	yfzvfhtr10			500兆	tumd2m	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				200 na @ 7 V															9.66 v	8欧姆
MTZJT-772.0B	-	RFQ	1313	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向				500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MTZJT772.0B	Ear99	8541.10.0050	5,000																																			2 v
RN142VTE-17	0.1026	RFQ	7587	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）		SC-90，SOD-323F	RN142				UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			100 ma																				0.45pf @ 1V，1MHz									PIN-单	60V				3欧姆 @ 3mA，100MHz
RGTH60TS65GC11	3.7200	RFQ	14	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTH60	标准		197 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V																				沟渠场停止	650 v	58 a	120 a	2.1V @ 15V，30a	-	58 NC	27NS/105NS
GNP1070TC-ZE2	18.7000	RFQ	974	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerdfn	GNP1070		ganfet（n化岩）		DFN8080K	下载		3（168））			Ear99	8541.29.0095	3,500		n通道			650 v	20A（TC）	5V，5.5V	98mohm @ 1.9a，5.5V	2.4V @ 18mA	5.2 NC @ 6 V	+6V，-10V	200 pf @ 400 V	-	56W（TC）
R6061YNZ4C13	11.1300	RFQ	2333	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6061		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载		（1 （无限）		846-R6061YNZ4C13			30		n通道			600 v	61A（TC）	10V，12V	60mohm @ 13a，12v	6V @ 3.5mA	76 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 100 V	-	568W（TC）
R5205CNDTL	0.9710	RFQ	8123	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R5205		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			525 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 1mA	10.8 NC @ 10 V	±30V	320 pf @ 25 V	-	40W（TC）
GDZT2R5.1	-	RFQ	6480	Rohm半导体	GDZ	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	表面安装	0201（0603公制）	GDZT2R			100兆	GMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				2 µA @ 1.5 V															5.1 v
DTA143TKAT146	0.3100	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA143			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma								500NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
2SK2731T146	0.3900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SK2731		MOSFET （金属 o化物）		SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			30 V	200ma（ta）	4V，10V	2.8ohm @ 100mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	25 pf @ 10 V	-	200mw（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²