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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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MTZJT-7220C	-	RFQ	2404	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7220c	Ear99	8541.10.0050	5,000													20 v
mtzjt-7222b	-	RFQ	3058	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7222b	Ear99	8541.10.0050	5,000												200 na @ 17 V	22 v	30欧姆
mtzjt-7224b	-	RFQ	3588	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7224b	Ear99	8541.10.0050	5,000												200 na @ 19 V	24 V	35欧姆
MTZJT-7227C	-	RFQ	6217	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MTZJT7227C	Ear99	8541.10.0050	5,000												200 na @ 21 V	27 V	45欧姆
mtzjt-7230a	-	RFQ	9186	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7230a	Ear99	8541.10.0050	5,000												200 na @ 23 V	30 V	55欧姆
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MTZJT-724.3A	-	RFQ	5283	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向	MTZJT-72		500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MTZJT724.3A	Ear99	8541.10.0050	5,000												5 µA @ 1 V	4.3 v	100欧姆
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mtzjt-7724d	-	RFQ	9519	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt7724d	Ear99	8541.10.0050	5,000												200 na @ 19 V	24 V	35欧姆
MTZJT-773.0B	-	RFQ	5143	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt773.0b	Ear99	8541.10.0050	5,000													3 V
MTZJT-773.3A	-	RFQ	7766	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			500兆	MSD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mtzjt773.3a	Ear99	8541.10.0050	5,000													3.3 v
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R5009anjtl	1.9610	RFQ	8356	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R5009	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	9a（9a）	10V	720MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	50W（TC）
R5207andtl	1.0419	RFQ	5617	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R5207	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	525 v	7a（ta）	10V	1欧姆 @ 3.5A，10V	4.5V @ 1mA	13 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RCD050N20TL	0.5385	RFQ	3726	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD050	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	5A（5A）	10V	618MOHM @ 2.5A，10V	5.25V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RCD060N25TL	0.6045	RFQ	4666	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD060	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	250 v	6A（TC）	10V	530MOHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	840 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
RCD075N20TL	0.6045	RFQ	4169	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD075	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	7.5A（TC）	10V	325MOHM @ 3.75A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	755 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
RCJ160N20TL	1.7800	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RCJ160	MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	16A（TC）	10V	180mohm @ 8a，10v	5.25V @ 1mA	26 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 25 V	-	1.56W（ta），40W（TC）
RSD080N06TL	0.5586	RFQ	4806	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD080	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	8a（8a）	4V，10V	80mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	9.4 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 10 V	-	15W（TC）
RSD080P05TL	0.5924	RFQ	3678	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD080	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	45 v	8a（8a）	4V，10V	91MOHM @ 8A，10V	3V @ 1mA	93.4 NC @ 5 V	±20V	11000 PF @ 10 V	-	15W（TC）
RSD100N10TL	0.6086	RFQ	2238	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD100	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	10a（10a）	4V，10V	133mohm @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RSD131P10TL	0.6497	RFQ	8158	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD131	MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	100 v	13A（TC）	4V，10V	200mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²