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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RX3L18BBGC16 | 7.6800 | ![]() | 7327 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | RX3L18 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-RX3L18BBGC16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 60V | 240A(Ta)、180A(Tc) | 4.5V、10V | 1.84毫欧@90A,10V | 2.5V@1mA | 160nC@10V | ±20V | 11000pF@30V | - | 192W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520SM-40FHT2R | 0.4700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | RB520 | 肖特基 | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 550 毫伏 @ 100 毫安 | 40V时为10μA | 150℃(最高) | 200毫安 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MTZJT-777.5C | - | ![]() | 7695 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | MTZ J | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通孔 | DO-204AG、DO-34、矫正 | 500毫W | 默沙东 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500nA@4V | 7.5V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR583D3FRATL | 2.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 10W | TO-252 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | 50V | 7A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 400mV@150mA,3A | 180@1mA,3V | 230兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB298NS100TL | 1.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | RB298 | 肖特基 | LPDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 30A | 870 毫伏 @ 15 安 | 10μA@100V | 150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | DTA124 | 150毫W | 紧急救治3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-DTA124XE3HZGTLCT | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 68@5mA,5V | 250兆赫 | 22欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 云台TTE2527B | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5.26% | 150℃ | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,500人 | 10μA@21V | 28.5V | 16欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUF025N02FRATL | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 3-SMD,写入 | RUF025 | MOSFET(金属O化物) | TUMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N沟道 | 20V | 2.5A(塔) | 1.5V、4.5V | 54毫欧@2.5A,4.5V | 1.3V@1mA | 5nC@4.5V | ±10V | 370pF@10V | - | 800毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020PNJFRATL | 6.4800 | ![]() | 第693章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | R6020 | MOSFET(金属O化物) | LPTS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 600伏 | 20A(温度) | 10V | 250mOhm@10A,10V | 4.5V@1mA | 65nC@10V | ±30V | 2040pF@25V | - | 304W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ5.6KFHTL | 0.0659 | ![]() | 5013 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | ±2.14% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-82A、SOT-343 | UMZ5.6 | 200毫W | UMD4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 独立 | 1μA@2.5V | 5.61V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZTE6116B | 0.3500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | EDZTE6116 | 150毫W | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 12V时为100nA | 16V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L40CDDTE25 | 0.6300 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | RBR3L40 | 肖特基 | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏 @ 3安 | 40V时为100μA | 150℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RR1VWM6STFTR | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | RR1VWM6 | 标准 | PMDE | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@1A | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6504KNXC7G | 2.5300 | ![]() | 995 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | R6504 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-R6504KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 650伏 | 4A(塔) | 10V | 1.05欧姆@1.5A,10V | 5V@130μA | 10nC@10V | ±20V | 270pF@25V | - | 40W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RB205T-60NZC9 | 2.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全包 | RB205 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-RB205T-60NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 15A | 580毫伏@7.5安 | 60V时为600μA | 150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB225T100 | 1.2437 | ![]() | 9181 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通孔 | TO-220-3全包 | RB225 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 110V | 15A | 860 毫伏 @ 15 安 | 100V时为400μA | 150℃(最高) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-1715B | 0.3100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2.63% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 超滤ZVFHTE | 500毫W | UMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 11V时为200nA | 15V | 16欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW156HYT116 | 0.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAW156 | 标准 | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 80V | 215毫安(直流) | 1.25V@150mA | 3微秒 | 5nA@75V | 150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3040KRC14 | 54.0100 | ![]() | 917 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-4 | SCT3040 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 55A(温度) | 18V | 52毫欧@20A,18V | 5.6V@10mA | 107nC@18V | +22V、-4V | 800V时为1337pF | - | 262W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S-30G9JTE61 | - | ![]() | 5761 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | RB521 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-RB521S-30G9JTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS3E130ATTB1 | 2.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | RS3E | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | P沟道 | 30V | 13A(塔) | 4.5V、10V | 8.5毫欧@13A,10V | 2.5V@2mA | 83nC@10V | ±20V | 15V时为3730pF | - | 1.4W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||
| R6535ENZC8 | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3全包 | R6535 | MOSFET(金属O化物) | TO-3PF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 846-R6535ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 650伏 | 35A(温度) | 10V | 115毫欧@18.1A,10V | 4V@1.21mA | 110nC@10V | ±20V | 2600pF@25V | - | 102W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS210KGC17 | 8.3200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220ACFP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-SCS210KGC17 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@10A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | 175℃ | 10A | 550pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1L120GNTB | 1.7500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | RS1L | MOSFET(金属O化物) | 8-HSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 60V | 12A(Ta)、36A(Tc) | 4.5V、10V | 12.7毫欧@12A,10V | 2.7V@200μA | 26nC@10V | ±20V | 1330pF@30V | - | 3W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | YFZVFHTR7.5B | 0.4300 | ![]() | 986 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2.62% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | YFZVFHTR7.5 | 500毫W | TUMD2M | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500nA@4V | 7.26V | 8欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN3B6STL | - | ![]() | 6233 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR554PHZGT100 | 0.6800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 500毫W | SOT-89 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80V | 1.5A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 400毫伏@25毫安、500毫安 | 120@100mA,3V | 340兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF05VAM1STR | 0.3900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | RF05VAM1 | 标准 | TUMD2S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 980毫伏@500毫安 | 25纳秒 | 10μA@100V | 150℃(最高) | 500毫安 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-1112C | - | ![]() | 4399 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±3% | - | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | LLDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 9V时为200nA | 12V | 12欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZWTE-1722B | - | ![]() | 7651 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | UMD2 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 |

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