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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor RX3L18BBGC16 7.6800
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ECAD 7327 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 RX3L18 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 1(无限制) REACH 不出行 846-RX3L18BBGC16 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 60V 240A(Ta)、180A(Tc) 4.5V、10V 1.84毫欧@90A,10V 2.5V@1mA 160nC@10V ±20V 11000pF@30V - 192W(温度)
RB520SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB520SM-40FHT2R 0.4700
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ECAD 24 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-79、SOD-523 RB520 肖特基 EMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 8,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 40V 550 毫伏 @ 100 毫安 40V时为10μA 150℃(最高) 200毫安 -
MTZJT-777.5C Rohm Semiconductor MTZJT-777.5C -
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ECAD 7695 0.00000000 罗姆半导体 MTZ J 胶带和盒子 (TB) 过时的 ±3% - 通孔 DO-204AG、DO-34、矫正 500毫W 默沙东 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000 500nA@4V 7.5V 20欧姆
2SAR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR583D3FRATL 2.5500
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 10W TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 50V 7A 1μA(ICBO) 国民党 400mV@150mA,3A 180@1mA,3V 230兆赫
RB298NS100TL Rohm Semiconductor RB298NS100TL 1.9800
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB RB298 肖特基 LPDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 30A 870 毫伏 @ 15 安 10μA@100V 150℃
DTA124XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA124XE3HZGTL 0.4100
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ECAD 3 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-75、SOT-416 DTA124 150毫W 紧急救治3 下载 1(无限制) REACH 不出行 846-DTA124XE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300mV@500μA,10mA 68@5mA,5V 250兆赫 22欧姆 47欧姆
PTZTFTE2527B Rohm Semiconductor 云台TTE2527B 0.6100
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5.26% 150℃ 表面贴装 DO-214AC、SMA 1W PMDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1,500人 10μA@21V 28.5V 16欧姆
RUF025N02FRATL Rohm Semiconductor RUF025N02FRATL 0.4100
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ECAD 6 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-SMD,写入 RUF025 MOSFET(金属O化物) TUMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 20V 2.5A(塔) 1.5V、4.5V 54毫欧@2.5A,4.5V 1.3V@1mA 5nC@4.5V ±10V 370pF@10V - 800毫W(塔)
R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor R6020PNJFRATL 6.4800
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ECAD 第693章 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB R6020 MOSFET(金属O化物) LPTS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 600伏 20A(温度) 10V 250mOhm@10A,10V 4.5V@1mA 65nC@10V ±30V 2040pF@25V - 304W(温度)
UMZ5.6KFHTL Rohm Semiconductor UMZ5.6KFHTL 0.0659
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ECAD 5013 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 不适合新设计 ±2.14% 150°C(太焦) 表面贴装 SC-82A、SOT-343 UMZ5.6 200毫W UMD4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 2 独立 1μA@2.5V 5.61V
EDZTE6116B Rohm Semiconductor EDZTE6116B 0.3500
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ECAD 25 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-79、SOD-523 EDZTE6116 150毫W EMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 12V时为100nA 16V 50欧姆
RBR3L40CDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L40CDDTE25 0.6300
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ECAD 85 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA RBR3L40 肖特基 PMDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 550毫伏 @ 3安 40V时为100μA 150℃ 3A -
RR1VWM6STFTR Rohm Semiconductor RR1VWM6STFTR 0.3900
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ECAD 3 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 2-SMD,写入 RR1VWM6 标准 PMDE 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.2V@1A 600V时为10μA 175℃(最高) 1A -
R6504KNXC7G Rohm Semiconductor R6504KNXC7G 2.5300
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ECAD 995 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 R6504 MOSFET(金属O化物) TO-220FM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 846-R6504KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 4A(塔) 10V 1.05欧姆@1.5A,10V 5V@130μA 10nC@10V ±20V 270pF@25V - 40W(温度)
RB205T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB205T-60NZC9 2.6200
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全包 RB205 肖特基 TO-220FN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 846-RB205T-60NZC9 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 15A 580毫伏@7.5安 60V时为600μA 150℃
RB225T100 Rohm Semiconductor RB225T100 1.2437
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ECAD 9181 0.00000000 罗姆半导体 - 大部分 不适合新设计 通孔 TO-220-3全包 RB225 肖特基 TO-220FN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 110V 15A 860 毫伏 @ 15 安 100V时为400μA 150℃(最高)
UFZVFHTE-1715B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1715B 0.3100
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ECAD 5 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±2.63% 150°C(太焦) 表面贴装 SC-90、SOD-323F 超滤ZVFHTE 500毫W UMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 11V时为200nA 15V 16欧姆
BAW156HYT116 Rohm Semiconductor BAW156HYT116 0.3700
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ECAD 5 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BAW156 标准 SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共阳极 80V 215毫安(直流) 1.25V@150mA 3微秒 5nA@75V 150℃
SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SCT3040KRC14 54.0100
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ECAD 917 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-247-4 SCT3040 SiCFET(碳化硅) TO-247-4L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 1200伏 55A(温度) 18V 52毫欧@20A,18V 5.6V@10mA 107nC@18V +22V、-4V 800V时为1337pF - 262W
RB521S-30G9JTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30G9JTE61 -
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ECAD 5761 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 RB521 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 846-RB521S-30G9JTE61TR EAR99 8541.10.0070 3,000
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) RS3E MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 30V 13A(塔) 4.5V、10V 8.5毫欧@13A,10V 2.5V@2mA 83nC@10V ±20V 15V时为3730pF - 1.4W(塔)
R6535ENZC8 Rohm Semiconductor R6535ENZC8 -
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ECAD 4858 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 R6535 MOSFET(金属O化物) TO-3PF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 846-R6535ENZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 650伏 35A(温度) 10V 115毫欧@18.1A,10V 4V@1.21mA 110nC@10V ±20V 2600pF@25V - 102W(温度)
SCS210KGC17 Rohm Semiconductor SCS210KGC17 8.3200
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ECAD 500 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220ACFP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 846-SCS210KGC17 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@10A 0纳秒 1200V时为200μA 175℃ 10A 550pF@1V、1MHz
RS1L120GNTB Rohm Semiconductor RS1L120GNTB 1.7500
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ECAD 9 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN RS1L MOSFET(金属O化物) 8-HSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 60V 12A(Ta)、36A(Tc) 4.5V、10V 12.7毫欧@12A,10V 2.7V@200μA 26nC@10V ±20V 1330pF@30V - 3W(塔)
YFZVFHTR7.5B Rohm Semiconductor YFZVFHTR7.5B 0.4300
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ECAD 986 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±2.62% 150°C(太焦) 表面贴装 2-SMD,写入 YFZVFHTR7.5 500毫W TUMD2M 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 500nA@4V 7.26V 8欧姆
RFN3B6STL Rohm Semiconductor RFN3B6STL -
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ECAD 6233 0.00000000 罗姆半导体 * 卷带式 (TR) 过时的 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 过时的 0000.00.0000 2,500人
2SAR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR554PHZGT100 0.6800
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ECAD 800 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 500毫W SOT-89 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 1.5A 1μA(ICBO) 国民党 400毫伏@25毫安、500毫安 120@100mA,3V 340兆赫
RF05VAM1STR Rohm Semiconductor RF05VAM1STR 0.3900
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ECAD 47 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD,写入 RF05VAM1 标准 TUMD2S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 980毫伏@500毫安 25纳秒 10μA@100V 150℃(最高) 500毫安 -
RLZTE-1112C Rohm Semiconductor RLZTE-1112C -
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ECAD 4399 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 ±3% - 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 500毫W LLDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 2,500人 9V时为200nA 12V 12欧姆
UDZWTE-1722B Rohm Semiconductor UDZWTE-1722B -
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ECAD 7651 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-90、SOD-323F UMD2 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库