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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCX17HZGT116 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BCX17 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | 620mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDZT15R5.1 | 0.0403 | ![]() | 9775 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | SDZT15 | 100兆 | SMD0603 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2 µA @ 1.5 V | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE257.5B | 0.2014 | ![]() | 9422 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | - | 表面安装 | do-214ac,SMA | PTZTE257.5 | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 20 µA @ 4 V | 7.9 v | 4欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB218BM200TL | 1.9200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB218 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 880 mv @ 10 a | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ptztfte2512b | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 9 V | 12.75 v | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S-30GJTE61 | - | ![]() | 3332 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB521 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB521S-30GJTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFV12TJ6SGC9 | 1.5400 | ![]() | 927 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFV12 | 标准 | TO-220ACFP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 12 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C | 12a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdzvtftr6.8b | 0.4700 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,KDZVTF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.62% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzvtftr6.8 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 3.5 V | 7.25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6018anjtl | 3.5001 | ![]() | 9501 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | R6018 | MOSFET (金属 o化物) | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 18A(18A) | 10V | 270MOHM @ 9A,10V | 4.5V @ 1mA | 55 NC @ 10 V | ±30V | 2050 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZFJTE6120B | - | ![]() | 1933年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | EDZFJT | 100兆 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-Edzfjte6120btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTFTR30B | 0.4700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101,KDZVTF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTFTR30 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 23 V | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH11NFHATN | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMH11 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 10KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6007enx | 2.4600 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6007 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 620MOHM @ 2.4a,10V | 4V @ 1mA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 390 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC043XMT2L | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTC043 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 35 @ 5mA,10v | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3P045ATTB1 | 1.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | RQ3P045 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hsmt(3.2x3) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 100 v | 4.5A(ta),14.5A(TC) | 4.5V,10V | 86mohm @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 49 NC @ 10 V | ±20V | 1990 pf @ 50 V | - | 2W(TA),20W(20W)TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZLVTFTR150 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | KDZLVTFTR150 | 1 w | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 120 V | 150 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143TE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA123J | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC143 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp- +二极管 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6X1T2R | 0.4800 | ![]() | 9449 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD | VT6X1 | 150MW | VMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 1mA,2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115GU3HZGT106 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC115 | 200兆 | UMT3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 82 @ 5mA,5V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3105KRHRC15 | 12.5400 | ![]() | 1715年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | SCT3105 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-4L | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 846-SCT3105KRHRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 1200 v | 24A(TC) | 18V | 137MOHM @ 7.6A,18V | 5.6V @ 3.81mA | 51 NC @ 18 V | +22V,-4V | 574 PF @ 800 V | - | 134W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR1LAM30ATFTR | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBR1LAM30 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB225NS-40FHTL | 1.5500 | ![]() | 370 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB225 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 30a | 630 MV @ 15 A | 27.4 ns | 500 µA @ 40 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V6LT116 | 0.2300 | ![]() | 595 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5.56% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ015N06HZGTR | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RSQ015 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 1.5A(TA) | 4V,10V | 290MOHM @ 1.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 2 NC @ 5 V | ±20V | 110 pf @ 10 V | - | 950MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ10RSM65BTFTL1 | 1.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 65 v | 670 mv @ 10 a | 150 µA @ 65 V | 150°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63373S-VC | 21.4000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63373 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63373S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 1500vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6011END3TL1 | 3.0400 | ![]() | 371 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | R6011 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 390MOHM @ 3.8A,10V | 4V @ 1mA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 670 pf @ 25 V | - | 124W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD200N10TL | - | ![]() | 5729 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD200 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 20A(TA) | 4V,10V | 52MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 48.5 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088NS-60TL | 1.2900 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB088 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 830 mv @ 5 a | 3 µA @ 60 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4P025ATTCR | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerudfn | RF4P025 | MOSFET (金属 o化物) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 100 v | 2.5a(ta) | 4.5V,10V | 260MOHM @ 2.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 19.7 NC @ 10 V | ±20V | 590 pf @ 50 V | - | 2W(TA) |
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