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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 电流 -最大 | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压-峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGW00TS65HRC11 | 6.8500 | ![]() | 4064 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGW00 | 标准 | 254 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGW00TS65HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,25a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 96 a | 200 a | 1.9V @ 15V,50a | 141 NC | 48NS/186NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS80TS65DGC13 | 6.5200 | ![]() | 7126 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGWS80 | 标准 | 202 w | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGWS80TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,40a,10ohm,15V | 88 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 71 a | 120 a | 2V @ 15V,40a | (700µJ)(在660µJ上) | 83 NC | 40NS/114NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS60TS65DGC13 | 5.8900 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGWS60 | 标准 | 156 w | TO-247G | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGWS60TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,10ohm,15V | 88 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 51 a | 90 a | 2V @ 15V,30a | (500µJ)(在450µJ上) | 58 NC | 32NS/91NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DRC15 | 14.8500 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | SCT4045 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT4045DRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 750 v | 34A(TC) | 18V | 59mohm @ 17a,18v | 4.8V @ 8.89mA | 63 NC @ 18 V | +21V,-4V | 1460 pf @ 500 V | - | 115W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ7L055BGTCR | 1.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | RQ7L055 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 5.5A(ta) | 4.5V,10V | 29mohm @ 5.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 7.6 NC @ 10 V | ±20V | 460 pf @ 30 V | - | 1.1W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088LAM-40TFTR | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB088 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB088LAM-40TFTRCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 710 MV @ 5 A | 3.6 µA @ 40 V | 150°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BT116 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 120 MA | 15NA(icbo) | NPN | 400mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWX5TS65GC11 | 6.7700 | ![]() | 4802 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGWX5TS65 | 标准 | 348 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGWX5TS65GC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,75A,10欧姆,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 132 a | 300 a | 1.9V @ 15V,75a | - | 213 NC | 64NS/229NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DA221WMTL | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DA221 | 标准 | EMD3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 20 v | 100mA | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 15 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH00TS65GC13 | 6.2300 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | rgth00 | 标准 | 277 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGTH00TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 85 a | 200 a | 2.1V @ 15V,50a | - | 94 NC | 39NS/143NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ptztfte258.2b | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.29% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 20 µA @ 5 V | 8.75 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ptztfte2511b | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.58% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 8 V | 11.65 v | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84WT106 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Optimos® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | UMT3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 210mA(ta) | 4.5V,10V | 5.3OHM @ 210mA,10V | 2.5V @ 200µA | ±20V | 34 pf @ 30 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD543XE3TL | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTD543 | 150兆 | EMT3 | 下载 | (1 (无限) | 846-DTD543XE3TLDKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 500NA | npn- +二极管 | 300mv @ 5mA,100mA | 140 @ 100mA,2V | 260 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3G03BBGTL1 | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 35A(TC) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 35A,10V | 2.5V @ 1mA | 18.2 NC @ 10 V | ±20V | 1170 pf @ 20 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080ARHRC15 | 2000年12月12日 | ![]() | 4373 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | SCT3080 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-4L | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 846-SCT3080ARHRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 650 v | 30A(TC) | 18V | 104mohm @ 10a,18v | 5.6V @ 5mA | 48 NC @ 18 V | +22V,-4V | 571 PF @ 500 V | - | 134W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB886ASAFHT2RB | 0.5300 | ![]() | 3451 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | SOD-882 | RB886 | DFN1006-2W | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 8,000 | 10 MA | 0.8pf @ 1V,1MHz | 肖特基 -单身 | 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4620TV2Q | - | ![]() | 6906 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 3-SIP | 2SC4620 | 1 w | ATV | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 846-2SC4620TV2QTR | 2,500 | 400 v | 100 ma | 10µA(ICBO) | PNP | 500mv @ 1mA,10mA | 180 @ 2mA,6v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | DTA123E | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTC123 | 150兆 | EMT3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp- +二极管 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3P070ATTB1 | 2.6400 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RS3P070 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 100 v | 7a(ta) | 4.5V,10V | 36mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 115 NC @ 10 V | ±20V | 5150 PF @ 50 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6004KNXC7G | 2.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6004 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-R6004KNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 4A(ta) | 10V | 980MOHM @ 1.5A,10V | 5V @ 1mA | 10.2 NC @ 10 V | ±20V | 280 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN142ZST2R | - | ![]() | 3908 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 0201(0603公制) | RN142ZST2 | GMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 50 mA | 0.45pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN262GT2R | - | ![]() | 7895 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | SOD-723 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 100 ma | 100兆 | 0.4pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN141GT2R | - | ![]() | 2414 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | SOD-723 | RN141 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 100 ma | 0.8pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 50V | 2ohm @ 3mA,100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN779DT146 | 0.4300 | ![]() | 5885 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RN779 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 mA | 0.9pf @ 35V,1MHz | 引脚-1对系列连接 | 50V | 7ohm @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020FNX | 7.9600 | ![]() | 487 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6020 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 250mohm @ 10a,10v | 5V @ 1mA | 65 NC @ 10 V | ±30V | 2040 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6M11TCR | - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MP6M11 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | MPT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n和p通道 | 30V | 3.5a | 98MOHM @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 1.9nc @ 5V | 85pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TMFHAT2L | 0.0668 | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-723 | DTC114 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTFTR47A | 0.4500 | ![]() | 750 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.38% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTFTR47 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 36 V | 47 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L60BDDTE25 | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RBR3L60 | 肖特基 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 560 mv @ 3 a | 150 µA @ 60 V | 150°C | 3a | - |
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