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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB088NS100FHTL | 1.4000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB088 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 870 mv @ 5 a | 11.8 ns | 5 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CHZGT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 400mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBS3LAM40CTR | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBS3LAM40 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 400 mv @ 3 a | 800 µA @ 20 V | 125°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2160KeHRC11 | 21.9300 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SCT2160 | sicfet (碳化硅) | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT2160KEHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 22a(TC) | 18V | 208MOHM @ 7A,18V | 4V @ 2.5mA | 62 NC @ 18 V | +22V,-6V | 1200 PF @ 800 V | - | 165W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8K31TB1 | - | ![]() | 1302 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SP8K31 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 3.5a | 120MOHM @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 5.2nc @ 5V | 250pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH3FHAT2R | 0.3600 | ![]() | 655 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMH3FHAT2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA(ICBO) | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250MHz | 4.7kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVFHT2R16B | 0.3400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.06% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVFHT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 12 V | 16 V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RSS090P03FU7TB | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS090 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9a(9a) | 4V,10V | 14mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 1mA | 39 NC @ 5 V | ±20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW50TK65DGVC11 | 6.3100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3PFM,SC-93-3 | 标准 | 67 W | to-3pfm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,25a,10ohm,15V | 92 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 30 a | 100 a | 1.9V @ 15V,25a | (390µJ)(在430µJ上) | 73 NC | 35NS/102NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTU002P02T106 | 0.1579 | ![]() | 5711 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | RTU002 | MOSFET (金属 o化物) | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 250mA(ta) | 2.5V,4.5V | 1.5OHM @ 250mA,4.5V | 2V @ 1mA | ±12V | 50 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1774EBTLS | 0.0683 | ![]() | 2250 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 2SA1774 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVFHTE-1756 | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.25% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UDZLVFHTE-1756 | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 43 V | 56 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EETL | 0.2300 | ![]() | 1038 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | DTA124 | 150兆 | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2661T100 | 0.2667 | ![]() | 7604 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD2661 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 12 v | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 180MV @ 50mA,1a | 270 @ 200ma,2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdzvtr8.2b | 0.3900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdzvtr8.2 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 5 V | 8.75 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C4V7LYT116 | 0.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.38% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZT2RA6.2B | 0.0841 | ![]() | 8045 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZT2 | 100兆 | VMN2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4013DRC15 | 42.4300 | ![]() | 881 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | SCT4013 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCT4013DRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 750 v | 105A(TC) | 18V | 16.9mohm @ 58a,18v | 4.8V @ 30.8mA | 170 NC @ 18 V | +21V,-4V | 4580 pf @ 500 V | - | 312W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030knx | 3.8700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 130MOHM @ 14.5A,10V | 5V @ 1mA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6K33NTN | 0.3800 | ![]() | 887 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UM6K33 | MOSFET (金属 o化物) | 120MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 50V | 200mA | 2.2OHM @ 200mA,4.5V | 1V @ 1mA | - | 25pf @ 10V | 逻辑级别门,1.2V驱动器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-174.3B | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±3.16% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVFHTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 40欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE258.2B | 0.2014 | ![]() | 7812 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | - | 表面安装 | do-214ac,SMA | PTZTE258.2 | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 20 µA @ 5 V | 8.7 v | 4欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZTE6124B | - | ![]() | 7010 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZTE6124 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 19 V | 24 V | 120欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E045BNTCR | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | RQ6E045 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT6(SC-95) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.5A(TJ) | 4.5V,10V | 30mohm @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 8.4 NC @ 10 V | ±20V | 330 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzwte-179.1b | - | ![]() | 1519年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UMD2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD201N10TL | - | ![]() | 2012 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD201 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 4V,10V | 46mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 1mA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 850MW(TA),20W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN5BM6SFHTL | 1.0300 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN5B | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-40FHTE61 | - | ![]() | 4291 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB520 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB520S-40FHTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VDZT2R22B | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-723 | vdzt2 | 100兆 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 17 V | 22 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768STPQ | - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | SC-72形成铅 | 300兆 | spt | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80 V | 1 a | 1µA(ICBO) | NPN | 400mv @ 20mA,500mA | 120 @ 500mA,3v | 100MHz |
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