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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PTZTE2522A	0.2014	RFQ	7867	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±5.38％	150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA	PTZTE2522			1 w	PMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500																				10 µA @ 17 V													23.25 v	14欧姆
DTC015TEBTL	0.1900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490	DTC015			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						500NA（ICBO）			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，10v	250 MHz	100 kohms
RGTH80TS65DGC11	2.9139	RFQ	3193	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTH80	标准		234 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V															58 ns					沟渠场停止	650 v	70 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	-	79 NC	34NS/120NS
IMT18T110	0.1676	RFQ	1051	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	IMT18			300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									12V	500mA						100NA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
RP1E100RPTR	-	RFQ	1906年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RP1E0100		MOSFET （金属 o化物）		MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道		30 V	10a（10a）	10V	12.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	39 NC @ 5 V	±20V	3600 PF @ 10 V	-	2W（TA）
kdztr36b	0.5200	RFQ	2	Rohm半导体	KDZ	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	kdztr36			1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 27 V													39.2 v
2SAR514PFRAT100	0.5000	RFQ	156	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR514			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																									80 V	700 MA						1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 15mA，300mA	120 @ 100mA，3v	380MHz
2SCR542PFRAT100	0.6500	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SCR542			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																									30 V	5 a						1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，2V	250MHz
DTC024EMT2L	0.2400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTC024			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																									50 V	30 ma						-			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	60 @ 5mA，10v	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
RSF015N06TL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF015		MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		60 V	1.5A（TA）	4V，10V	290MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	±20V	110 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
RF4L040ATTCR	0.9100	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	RF4L040		MOSFET （金属 o化物）		HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		60 V	4A（ta）	4.5V，10V	89mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	17.3 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 30 V	-	2W（TA）
DTA144EEBHZGTL	0.2000	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SC-89，SOT-490	DTA144			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										100 ma						-			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
R6010ANX	2.3862	RFQ	7247	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6010		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		600 v	10a（10a）	10V	-	-		±30V		-	50W（TC）
RB098BM-40FNSTL	1.1000	RFQ	9231	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			肖特基		TO-252	-		3（168））					2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	40 V	3a	770 mv @ 3 a		1.5 µA @ 40 V	175°C
EMX1T2R	0.4000	RFQ	9	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX1T2			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																									50V	150mA						100NA（ICBO）			2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
EDZ8HRTE6112B	-	RFQ	2665	Rohm半导体	Edz	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-55°C〜125°C	表面安装	SC-79，SOD-523	EDZ8HRT			100兆	EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-EDZ8HRTE6112BTR	Ear99	8541.10.0050	3,000
PDZVTFTR22B	0.4400	RFQ	7	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101，PDZVTF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.68％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	PDZVTFTR22			1 w	PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 17 V													23.25 v	14欧姆
DTD113ZUT106	0.4700	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	DTD113			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	500 MA						500NA			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	82 @ 50mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
PDZVTFTR10B	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101，PDZVTF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	PDZVTFTR10			1 w	PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 7 V													10.6 v	6欧姆
RS1E170GNTB	0.6300	RFQ	6593	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			n通道		30 V	（17a）（TA），40A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 17A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	720 PF @ 15 V	-	（3W）（23W）（23W）TC）
2SD1760TLR	0.3381	RFQ	7765	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1760			15 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																									50 V	3 a						1µA（ICBO）			NPN	1V @ 200mA，2a	180 @ 500mA，3v	90MHz
tfzgtr11b	0.0886	RFQ	5094	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	-55°C〜150°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅	TFZGTR11			500兆	TUMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				200 na @ 8 V													11 V	10欧姆
RBQ3RSM10BTL1	0.9000	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn			肖特基		TO-277A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		700 mv @ 3 a		80 µA @ 100 V	150°C	3a	-
RSD050N10TL	0.4733	RFQ	7552	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD050		MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	5A（5A）	4V，10V	190MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	15W（TC）
BA12004BF-E2	-	RFQ	3056	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BA12004			620MW	16 SOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500																									60V	500mA						-			7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
FMG1AT148	0.1479	RFQ	2579	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74A，SOT-753	FMG1			300MW	SMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																									50V	100mA						500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
DTC143TE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTC143TE3HZGTLTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
MTZJT-774.7C	-	RFQ	6764	Rohm半导体	mtz j	（TB）	过时的	±3％	-	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向				500兆	MSD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																				5 µA @ 1 V													4.7 v	80欧姆
SH8M41GZETB	1.4800	RFQ	5107	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M41		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				80V	3.4a，2.6a		130MOHM @ 3.4A，10V	2.5V @ 1mA	9.2nc @ 5V		600pf @ 10V	逻辑水平门，4V驱动器
EDZVFHT2R22B	0.3400	RFQ	23	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.11％	150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	EDZVFHT2			150兆	EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				100 na @ 17 V													22 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²