RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RB078BM10SFNSTL	1.6500	RFQ	3612	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-plcc	RB078		肖特基		2-SMD	-		（1 （无限）					2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		740 mv @ 5 a		6.4 µA @ 100 V	175°C	5a	-
UT6KE5TCR	0.6800	RFQ	3681	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6KE5		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	HUML2020L8	-		（1 （无限）					3,000	2 n通道				100V	2A（TA）		207MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	2.8NC @ 10V		90pf @ 50V	标准
RGTVX6TS65GC11	7.1000	RFQ	319	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTVX6	标准		404 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，80a，10ohm，15V																				沟渠场停止	650 v	144 a	320 a	1.9V @ 15V，80a	（2.65mj）（在），1.8MJ OFF）	171 NC	45NS/201NS
RCJ160N20TL	1.7800	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RCJ160		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		200 v	16A（TC）	10V	180mohm @ 8a，10v	5.25V @ 1mA	26 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 25 V	-	1.56W（ta），40W（TC）
SP8M3FU6TB	-	RFQ	9317	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M3		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				30V	5A，4.5A		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
SH8M3TB1	1.0500	RFQ	594	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8M3		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				30V	5A，4.5A		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	3.9nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
RB088BM-30FHTL	1.2000	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RB088		肖特基		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	30 V	10a	720 MV @ 5 A		3 µA @ 30 V	150°C （最大）
dtc043zubtl	0.3000	RFQ	25	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-85	DTC043			200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						-			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
PDZVTFTR18B	0.4400	RFQ	3295	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101，PDZVTF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.39％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	PDZVTFTR18			1 w	PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 13 V													19.15 v	12欧姆
2SB1427T100E	0.6400	RFQ	257	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1427			2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																									20 v	2 a						500NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	390 @ 500mA，6v	90MHz
RSR020P03TL	0.2284	RFQ	4358	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-	表面安装	SC-96	RSR020		MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		30 V	2A（TA）	4V，10V	120MOHM @ 2A，10V	-	4.3 NC @ 5 V	±20V	370 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SAR293P5T100	0.3900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR293			500兆	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																									30 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	350mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
DTC123EE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC123			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTC123EE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
UDZSTE-1711b	0.3900	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	Udzste			200兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				100 na @ 8 V													11 V	30欧姆
QST2TR	0.7000	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	QST2			1.25 w	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																									12 v	6 a						100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 60mA，3a	270 @ 500mA，2V	250MHz
rj1l08cgntll	2.5800	RFQ	40	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RJ1L08		MOSFET （金属 o化物）		lptl	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		60 V	80a（ta）	4.5V，10V	7.7MOHM @ 80A，10V	2.5V @ 50µA	55 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 30 V	-	96w（ta）
RB058L-40DDTE25	0.6400	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	do-214ac，SMA	RB058		肖特基		PMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V		700 mv @ 3 a		5 µA @ 40 V	150°C （最大）	3a	-
TDZTR8.2	0.3800	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅	TDZTR8.2			500兆	TUMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 4.9 V													8.2 v
RB088NS150FHTL	1.3100	RFQ	112	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RB088		肖特基		LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	150 v	10a	880 mv @ 5 a	10.7 ns	15 µA @ 150 V	150°C （最大）
SCS210AGC17	5.2700	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2			SIC （碳化硅）		TO-220ACFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCS210AGC17	Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.55 V @ 10 A	0 ns	200 µA @ 600 V	175°C	10a	365pf @ 1V，1MHz
PDZVTR16A	0.4500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±5.56％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	PDZVTR16			1 w	PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 12 V													16.2 v	12欧姆
DTA114TMFHAT2L	0.0668	RFQ	9056	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOT-723	DTA114			150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																									50 V	100 ma						500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
EDZFTE6133B	-	RFQ	7233	Rohm半导体	Edz	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-55°C〜125°C	表面安装		Edzft			100兆		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-Edzfte6133btr	Ear99	8541.10.0050	3,000
RQ3E100GNTB	0.4500	RFQ	1727年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RQ3E100		MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	10a（10a）	4.5V，10V	11.7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	7.9 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 15 V	-	2W（TA），15W（TC）
GDZ8EPT2R14	-	RFQ	3714	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-GDZ8EPT2R14TR	Ear99	8541.10.0050	8,000
VDZT2R9.1B	-	RFQ	7391	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-723				100兆	VMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				500 na @ 6 V													9.1 v	30欧姆
RBR1L40ADDTE25	0.5900	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	RBR1L40		肖特基		PMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V		520 mv @ 1 A		50 µA @ 40 V	150°C	1a	-
2SB1412TLR	1.0500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1412			1 w	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																									20 v	5 a						500NA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，4a	180 @ 500mA，2V	120MHz
DTA123EKAT146	0.3100	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA123			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma						500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
PTZTE2530B	0.2014	RFQ	3016	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±6％	-	表面安装	do-214ac，SMA	PTZTE2530			1 w	PMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500																				10 µA @ 23 V													31.6 v	18欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²