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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RTQ035N03TR	0.6500	RFQ	659	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RTQ035		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	54mohm @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.4 NC @ 4.5 V	±12V	285 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
SP8M6FU6TB	-	RFQ	5999	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M6		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				30V	5a，3.5a		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	3.9nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
RSS065N06FRATB	-	RFQ	7929	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS065		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		60 V	6.5A（TA）	4V，10V	37mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	16 NC @ 5 V	±20V	900 pf @ 10 V	-	2W（TA）
R6015knzc8	-	RFQ	8623	Rohm半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6015		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 6.5A，10V	5V @ 1mA	27.5 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RZM001P02T2L	0.2600	RFQ	296	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	RZM001		MOSFET （金属 o化物）		VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000			P通道		20 v	（100mA）（TA）	1.2V，4.5V	3.8OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	15 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
BSS4130AT116	0.4400	RFQ	418	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS4130			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	1 a						100NA（ICBO）		NPN	350mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	400MHz
SP8J2TB	1.3800	RFQ	1	Rohm半导体	*	（CT）	积极的					SP8J2		-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500													-
mp6k13tcr	-	RFQ	2302	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MP6K13		MOSFET （金属 o化物）	2W	MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	2 n 通道（双）				30V	6a		31mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	5NC @ 5V		350pf @ 10V	逻辑级别门
2SK2713	-	RFQ	3673	Rohm半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK27		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		450 v	5A（5A）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA		±30V	600 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SC4102U3T106R	0.1126	RFQ	4822	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4102			200兆	UMT3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SC4102U3T106RTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																							120 v	50 mA						500NA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，1a	390 @ 500mA，6v
RS1E320GNTB	0.5968	RFQ	9833	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	32a（ta）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 32A，10V	2.5V @ 1mA	42.8 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 15 V	-	（3w（ta），34.6W（TC）
RS1E240BNTB	0.7400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	24A（24A）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 15 V	-	（3W）（30W）（30W）TC）
EMD30T2R	0.1084	RFQ	8273	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD30			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																							50V，30V	200mA						500NA		1 pnp预偏，1 npn	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5v / 140 @ 100mA，2V	260MHz	10KOHM，1KOHM	10KOHMS
VT6J1T2CR	0.0832	RFQ	1938年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	VT6J1		MOSFET （金属 o化物）	120MW	VMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	2（p 通道（双）				20V	100mA		3.8OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 100µA	-		15pf @ 10V	逻辑级别门，1.2V驱动器
2SD1468STPR	-	RFQ	8495	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅				300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																							15 v	1 a						500NA（ICBO）		NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，3v	150MHz
R6027ynxc7g	5.5800	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载		（1 （无限）		846-R6027ynxc7g	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		600 v	14A（TC）	10V，12V	135mohm @ 7a，12v	6V @ 2mA	40 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	70W（TC）
DTA113ZE3HZGTL	0.4300	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA113			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA113ZE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma						500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
RGT50TS65DGC11	2.5127	RFQ	8936	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGT50	标准		174 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGT50TS65DGC11	Ear99	8541.29.0095	30				400V，25a，10ohm，15V													58 ns					沟渠场停止	650 v	48 a	75 a	2.1V @ 15V，25a	-	49 NC	27NS/88NS
RCX510N25	3.0468	RFQ	1817年	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RCX510		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RCX510N25	Ear99	8541.29.0095	500			n通道		250 v	51A（ta）	10V	-	-		±30V		-	40W（TC）
UDZLVFHTE-1751	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.88％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	UDZLVFHTE-1751			200兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1 µA @ 39 V													51 v
SCT3040KW7TL	38.8000	RFQ	8346	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT3040		sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		1200 v	56A（TC）		52Mohm @ 20a，18v	5.6V @ 10mA	107 NC @ 18 V	+22V，-4V	1337 PF @ 800 V	-	267W
SCT3160KW7TL	11.2700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT3160		sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		1200 v	17a（TC）		208MOHM @ 5A，18V	5.6V @ 2.5mA	42 NC @ 18 V	+22V，-4V	398 PF @ 800 V	-	100W
R6035knz1c9	-	RFQ	6824	Rohm半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6035		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	35A（TC）	10V	102MOHM @ 18.1a，10V	5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	379W（TC）
RS1E200GNTB	0.8600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	16.8 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 15 V	-	3W（TA），25.1W（TC）
kdzvtr2.4b	0.4300	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.25％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	kdzvtr2.4			1 w	PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		200 µA @ 1 V													2.4 v
R6009KND3TL1	0.9200	RFQ	3599	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-		（1 （无限）					2,500
RBR5RSM40BTFTL1	1.2100	RFQ	4	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn			肖特基		TO-277A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V	530 mv @ 5 a		120 µA @ 40 V	150°C	5a	-
SCT4013DEC11	37.7600	RFQ	14	Rohm半导体	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4013DEC11	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		750 v	105A（TJ）	18V	16.9mohm @ 58a，18v	4.8V @ 30.8mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pf @ 500 V	-	312W
SCT4018KEC11	38.7800	RFQ	457	Rohm半导体	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4018KEC11	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		1200 v	81A（TJ）	18V	23.4mohm @ 42a，18v	4.8V @ 22.2mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4532 PF @ 800 V	-	312W
RBQ5RSM10BTL1	1.0800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn			肖特基		TO-277A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	700 mv @ 5 a		140 µA @ 100 V	150°C	5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²