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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RD3P01BATTL1	1.2400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		RD3P01		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					100 v	10a（10a）	6V，10V	240MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	19.4 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	25W（TA）
ES6U3T2CR	-	RFQ	4984	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅				MOSFET （金属 o化物）		6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000			n通道					30 V	1.4a（ta）	4V，10V	240MOHM @ 1.4A，10V	2.5V @ 1mA	1.4 NC @ 5 V	±20V	70 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	800MW（TA）
RB238T-60NZC9	2.0100	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		RB238		肖特基		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	60 V	40a	860 mv @ 20 a		12 µA @ 60 V	150°C （最大）
RSY500N04FRATL	-	RFQ	3136	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-		RSY500		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			-						-		-	-				-	-
SP8K1FU6TB	-	RFQ	4626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		SP8K1		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							30V	5a		51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V		230pf @ 10V	逻辑级别门
RB706UM-40FHTL	0.3900	RFQ	7766	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SC-85		RB706		肖特基		UMD3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																1对系列连接	40 V	30mA	370 mv @ 1 mA		1 µA @ 30 V	125°c （最大）
RRQ030P03TR	0.6300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		RRQ030		MOSFET （金属 o化物）		TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					30 V	3A（3A）	4V，10V	75MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	480 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
US6M1TR	0.6700	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		US6M1		MOSFET （金属 o化物）	1W	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							30V，20V	1.4a，1a		240MOHM @ 1.4A，10V	2.5V @ 1mA	2NC @ 5V		70pf @ 10V	逻辑级别门
RDD020N50TL	0.6086	RFQ	8105	Rohm半导体	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计						RDD020					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
RGCL80TS60DGC11	5.2400	RFQ	9242	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		RGCL80	标准		148 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，40a，10ohm，15V																		58 ns					沟渠场停止	600 v	65 a	160 a	1.8V @ 15V，40a	1.11mj（在）上，1.68mj off）	98 NC	53NS/227NS
QS8J2TR	0.9600	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		QS8J2		MOSFET （金属 o化物）	550MW	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							12V	4a		36mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	20NC @ 4.5V		1940pf @ 6V	逻辑级别门，1.5V
R6020ENXC7G	5.3400	RFQ	956	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		R6020		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6020ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					600 v	20A（TA）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	4V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	68W（TC）
RB521G-30T2R	-	RFQ	6149	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-723		RB521		肖特基		VMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	30 V		350 mv @ 10 mA		10 µA @ 10 V	125°c （最大）	100mA	-
RGCL60TK60GC11	4.9900	RFQ	55	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3		RGCL60	标准		54 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V																							沟渠场停止	600 v	30 a	120 a	1.8V @ 15V，30a	（770µJ）（在），1.11mj（）	68 NC	44NS/186NS
QSX7TR	0.2279	RFQ	1468	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		QSX7			500MW	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												12V	1.5a						100NA（ICBO）			2 NPN （双）	200mv @ 25mA，500mA	270 @ 200ma，2V	400MHz
RR1LAM6STFTR	0.5700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOD-128		RR1LAM6		标准		PMDT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RR1LIM6STFTRDKR	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	600 v		1.1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V	150°C	1a	-
TFZGTR30B	0.0886	RFQ	4105	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	-55°C〜150°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅		TFZGTR30			500兆	TUMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							200 na @ 23 V													30 V	55欧姆
RSJ250P10FRATL	1.8800	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		RSJ250		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					100 v	25A（TA）	4V，10V	63mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	50W（TA）
BM63373S-VA	21.4000	RFQ	56	Rohm半导体	-	管子	积极的			通过洞	25-PowerDip 模块（1.134英寸，28.80mm）	IGBT	BM63373					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-BM63373S-VA	Ear99	8542.39.0001	60	3相逆变器				10 a	600 v	1500vrms
RB058LAM150TR	0.5300	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128		RB058		肖特基		PMDTM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	150 v		840 mv @ 3 a		3 µA @ 150 V	150°C （最大）	3a	-
RSJ400N06TL	2.6700	RFQ	133	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		RSJ400		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					60 V	40a（ta）	10V	16mohm @ 40a，10v	3V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 10 V	-	50W（TC）
RRH040P03TB1	0.9800	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		RRH040		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道					30 V	4A（ta）	4V，10V	75MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	5.2 NC @ 5 V	±20V	480 pf @ 10 V	-	650MW（TA）
DTA015EEBTL	0.0351	RFQ	1768年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490		DTA015			150兆	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	20 ma						-			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	100 kohms	100 kohms
RCX511N25	3.1700	RFQ	450	Rohm半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		RCX511		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					250 v	51A（TC）	10V	65mohm @ 25.5A，10V	5V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	2.23W（ta），40W（TC）
umh4ntn	0.4700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		UMH4			150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50V	100mA						500NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
RTF015P02TL	0.7500	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅		RTF015		MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	135mohm @ 1.5A，4.5V	2V @ 1mA	5.2 NC @ 4.5 V	±12V	560 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DTC115GKAT146	0.0561	RFQ	6691	Rohm半导体	DTC115G	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		DTC115			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50 V	100 ma						500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms
2SD2033AT114E	-	RFQ	7690	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	HRT		2SD2033			1.8 w	HRT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																												160 v	1.5 a						1µA（ICBO）			NPN	2V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	80MHz
RS1E240GNTB	0.9600	RFQ	22	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		RS1E		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	24A（24A）	4.5V，10V	3.3MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	3W（TA），27.4W（TC）
RP1E090XNTCR	-	RFQ	8243	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		RP1E090		MOSFET （金属 o化物）		MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					30 V	9a（9a）	4V，10V	17mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	6.8 NC @ 5 V	±20V	440 pf @ 10 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²