SIC
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6960）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
RSS090P03MB3TB1 Rohm Semiconductor RSS090P03MB3TB1 -
RFQ
 ECAD 2149 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-RSS090P03MB3TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 14mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 V ±20V 4000 pf @ 10 V - 2W（TA）
RB521ZS-30ZT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-30ZT2R -
RFQ
 ECAD 1909年 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 0201（0603公制） RB521 肖特基 GMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB521ZS-30ZT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 370 mv @ 10 mA 7 µA @ 10 V 150°C 100mA -
RB521ZS-306EPT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-306EPT2R -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 0201（0603公制） RB521 肖特基 GMD2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB521ZS-306EPT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 370 mv @ 10 mA 7 µA @ 10 V 150°C 100mA -
RB520ZS-40T2R Rohm Semiconductor RB520ZS-40T2R -
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 0201（0603公制） RB520 肖特基 GMD2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB520ZS-40T2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 40 V 480 mv @ 10 mA 2 µA @ 40 V 150°C 100mA -
GDZ8EPT2R8.2 Rohm Semiconductor GDZ8EPT2R8.2 -
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-GDZ8EPT2R8.2Tr Ear99 8541.10.0050 8,000
GDZ8EPT2R6.8B Rohm Semiconductor gdz8ept2r6.8b -
RFQ
 ECAD 9434 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-GDZ8EPT2R6.8BTR Ear99 8541.10.0050 8,000
BSM400D12P3G002 Rohm Semiconductor BSM400D12P3G002 1.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM400 （SIC） 1570W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSM400D12P3G002 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 400A（TC） - 5.6V @ 109.2mA - 17000pf @ 10V -
RF201L4SDDTE25 Rohm Semiconductor RF201L4SDDTE25 0.7600
RFQ
 ECAD 644 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA RF201 标准 PMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.2 V @ 1.5 A 30 ns 1 µA @ 400 V 150°C 1.5a -
RRU1LAM4STFTR Rohm Semiconductor rru1lam4stftr 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOD-128 RRU1LAM4 标准 PMDT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-rru1lam4stfct Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 800 mA 400 ns 10 µA @ 400 V 150°C 1a -
RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor RJU003N03FRAT106 0.4100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 RJU003 MOSFET （金属 o化物） UMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 300mA（TA） 2.5V，4.5V 1.1OHM @ 300mA，4.5V 1.5V @ 1mA ±12V 24 pf @ 10 V - 200mw（ta）
RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor RTQ025P02HZGTR 0.7400
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RTQ025 MOSFET （金属 o化物） TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.5a（ta） 2.5V，4.5V 100mohm @ 2.5a，4.5V 2V @ 1mA 6.4 NC @ 4.5 V ±12V 580 pf @ 10 V - 950MW（TA）
BCX19HZGT116 Rohm Semiconductor BCX19HZGT116 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BCX19 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA（ICBO） 620mv @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，1V
PTZTFTE2536B Rohm Semiconductor ptztfte2536b 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5.56％ 150°C（TJ） 表面安装 do-214ac，SMA PTZTFTE2536 1 w PMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µA @ 27 V 38 v 20欧姆
RS1E280GNTB Rohm Semiconductor RS1E280GNTB 1.0000
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 28a（28a） 4.5V，10V 2.6mohm @ 28a，10v 2.5V @ 1mA 36 NC @ 10 V ±20V 2300 pf @ 15 V - （3W）（31W）（31W tc）
RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E130MNTB1 0.5072
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E130 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 8.1MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 1mA 14 NC @ 10 V ±20V 840 pf @ 15 V - 2W（TA）
RCJ120N25TL Rohm Semiconductor RCJ120N25TL 0.9561
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RCJ120 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 250 v 12A（TC） 10V 235mohm @ 6a，10v 5V @ 1mA 35 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 1.56W（ta），107W（tc）
UMZ1NFHATR Rohm Semiconductor UMZ1NFHATR 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMZ1 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA 120 @ 1mA，6v 180MHz，140MHz
UFZVTE-1710B Rohm Semiconductor UFZVTE-1710B 0.3000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2.77％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F UFZVTE 500兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 V 10 v 8欧姆
RB541VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-40TE-17 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-90，SOD-323F RB541 肖特基 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 40 V 610 MV @ 100 mA 100 µA @ 40 V 125°c （最大） 200mA -
BZX84B20VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B20VLT116 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±2％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 V 20 v 55欧姆
BZX84C27VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C27VLT116 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±7.04％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 19 V 27 V 80欧姆
SP8K1FRATB Rohm Semiconductor SP8K1FRATB 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K1 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5A（5A） 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 5.5nc @ 5V 230pf @ 10V -
R6547KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6547KNZ4C13 15.3400
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6547 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6547KNZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 47A（TC） 10V 80mohm @ 25.8a，10v 5V @ 1.72mA 100 nc @ 10 V ±20V 4100 PF @ 25 V - 480W（TC）
R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6076KNZ4C13 20.3900
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6076 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6076KNZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 76A（TC） 10V 42MOHM @ 44.4a，10V 5V @ 1mA 165 NC @ 10 V ±20V 7400 PF @ 25 V - 735W（TC）
R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6047KNZ4C13 14.2000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 R6047 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6047KNZ4C13 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 47A（TC） 10V 72MOHM @ 25.8A，10V 5V @ 1mA 100 nc @ 10 V ±20V 4300 PF @ 25 V - 481W（TC）
RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC11 2.5127
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGT50 标准 174 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGT50TS65DGC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，25a，10ohm，15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V，25a - 49 NC 27NS/88NS
RCX510N25 Rohm Semiconductor RCX510N25 3.0468
RFQ
 ECAD 1817年 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 RCX510 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RCX510N25 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 250 v 51A（ta） 10V - - ±30V - 40W（TC）
SCT3040KW7TL Rohm Semiconductor SCT3040KW7TL 38.8000
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3040 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 56A（TC） 52Mohm @ 20a，18v 5.6V @ 10mA 107 NC @ 18 V +22V，-4V 1337 PF @ 800 V - 267W
SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor SCT3160KW7TL 11.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3160 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 17a（TC） 208MOHM @ 5A，18V 5.6V @ 2.5mA 42 NC @ 18 V +22V，-4V 398 PF @ 800 V - 100W
UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1751 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5.88％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F UDZLVFHTE-1751 200兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 39 V 51 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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