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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RRL035P03TR | 0.4500 | ![]() | 936 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | RRL035 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.5A(ta) | 4V,10V | 50mohm @ 3.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 8 nc @ 5 V | ±20V | 800 pf @ 10 V | - | 320MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4E11111BNTR | 0.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (金属 o化物) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 11.1mohm @ 11a,10v | 2V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
RLS139TE-11 | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | RLS139 | 标准 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 50 ns | 20 na @ 30 V | 175°c (最大) | 130mA | 5pf @ 0.5V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RE1E002SPTCL | 0.3600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | RE1E002 | MOSFET (金属 o化物) | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 250mA(ta) | 4V,10V | 1.4OHM @ 250mA,10V | 2.5V @ 1mA | ±20V | 30 pf @ 10 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6014YND3TL1 | 2.9100 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | R6014 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 2,500 | n通道 | 600 v | 14A(TC) | 10V,12V | 260MOHM @ 5A,12V | 6V @ 1.4mA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 890 pf @ 100 V | - | 132W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6MA2TCR | 0.6500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerudfn | UT6MA2 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | HUML2020L8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4A(ta) | 46mohm @ 4A,10V,70MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 1mA | 4.3nc @ 10v,6.7nc @ 10V | 180pf @ 15V,305pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4004AT-82 | - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4004 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 175°c (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX330N25 | 3.5500 | ![]() | 474 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RCX330 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 250 v | 33A(TA) | 10V | - | - | ±30V | - | 2.23W(ta),40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L140SPFRATL | 1.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RD3L140 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 60 V | 14A(TA) | 4V,10V | 84mohm @ 14a,10v | 3V @ 1mA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 1900 pf @ 10 V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30UMTE61 | - | ![]() | 3122 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB520 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB520S-30UMTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS240KE2HRC11 | 24.0400 | ![]() | 5410 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS240 | SIC (碳化硅) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 20A(DC) | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS310AHGC9 | 6.5500 | ![]() | 407 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS310 | SIC (碳化硅) | TO-220ACP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 10a | 500pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr3.9b | 0.1836 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr3.9 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 40 µA @ 1 V | 4.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S-30UNTE61 | - | ![]() | 4281 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB521 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB521S-30UNTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63577S-VA | 30.6800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.134英寸,28.80mm) | IGBT | BM63577 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63577S-VA | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 30 a | 600 v | 1500vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R3.9B | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMG5T2R | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | EMG5T2 | 150MW | EMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 68 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8M13GZETB | 0.4645 | ![]() | 8959 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8M13 | - | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 6a,7a | 29mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 1mA | 18NC @ 5V | 1200pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCD075N20TL | 0.6045 | ![]() | 4169 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RCD075 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 7.5A(TC) | 10V | 325MOHM @ 3.75A,10V | 5.25V @ 1mA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 755 pf @ 25 V | - | 850MW(TA),20W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZGTR22B | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZGTR22 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 17 V | 22 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA044EEBTL | 0.1900 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | DTA044 | 150兆 | EMT3F(SOT-416FL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 30 ma | - | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 80 @ 5mA,10v | 250 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tfzvtr3.3b | 0.3700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | tfzvtr3.3 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 3.3 v | 70欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RAQ045P01MGTCR | 0.1693 | ![]() | 7544 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | RAQ045 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR533PT100 | 0.6000 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SCR533 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 V | 3 a | 1µA(ICBO) | NPN | 350mv @ 50mA,1a | 180 @ 50mA,3v | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143TCAT116 | 0.0488 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA143 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 250 MHz | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2662T100 | 0.6700 | ![]() | 455 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD2662 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1.5 a | 100NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 50mA,1a | 270 @ 100mA,2V | 330MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC044TUBTL | 0.0536 | ![]() | 1470 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | DTC044 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 60 ma | 500NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,5mA | 100 @ 5mA,10v | 250 MHz | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R10B | 0.2700 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 7 V | 10 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R24B | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.21% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-923 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 19 V | 24 V | 120欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YDZVFHTR27 | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | YDZVFHTR27 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 19 V | 27 V |
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