SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
UMZ16KFHTL Rohm Semiconductor UMZ16KFHTL 0.0659
RFQ
ECAD 6153 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 ±2.04% 150°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 UMZ16 200兆 UMD4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 2独立 100 na @ 12 V 16.18 v
BC857BU3T106 Rohm Semiconductor BC857BU3T106 0.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC857 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 210 @ 2mA,5V 250MHz
2SCR544PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR544PFRAT100 0.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2SCR544 500兆 MPT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 80 V 2.5 a 1µA(ICBO) NPN 300mv @ 50mA,1a 120 @ 100mA,3v 280MHz
RBR2MM30ATFTR Rohm Semiconductor RBR2MM30ATFTR 0.3900
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F RBR2MM30 肖特基 PMDU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 530 mv @ 2 a 50 µA @ 30 V 150°C (最大) 2a -
SSTA13T116 Rohm Semiconductor SSTA13T116 0.1434
RFQ
ECAD 9957 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SSTA13 200兆 SST3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 300 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 10000 @ 100mA,5V 125MHz
UDZWTE-176.8B Rohm Semiconductor UDZWTE-176.8B -
RFQ
ECAD 5960 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-90,SOD-323F UMD2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000
SCS240AE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS240AE2HRC11 13.5700
RFQ
ECAD 414 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS240 SIC (碳化硅) TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-SCS240AE2HRC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 20A(DC) 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°C
2SA2088U3T106 Rohm Semiconductor 2SA2088U3T106 0.3800
RFQ
ECAD 3988 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SA2088 200兆 UMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 500 MA 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 10mA,100mA 120 @ 50mA,2V 400MHz
RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65DGC11 5.9200
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGW60 标准 178 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,10ohm,15V 92 ns 沟渠场停止 650 v 60 a 120 a 1.9V @ 15V,30a 480µJ(在)上,490µj() 84 NC 37NS/114NS
EMB6T2R Rohm Semiconductor EMB6T2R 0.0801
RFQ
ECAD 6023 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 SOT-563,SOT-666 EMB6T2 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 30mA 500NA 2 PNP-) 300mv @ 500µA,10mA 68 @ 5mA,5V 250MHz 47kohms 47kohms
RSS065N06FW6TB1 Rohm Semiconductor RSS065N06FW6TB1 -
RFQ
ECAD 9949 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 846-RSS065N06FW6TB1TR 过时的 2,500 6.5a
2SC5161TLB Rohm Semiconductor 2SC5161TLB 0.4560
RFQ
ECAD 8659 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC5161 1 w CPT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400 v 2 a 10µA(ICBO) NPN 1V @ 200mA,1a 25 @ 100mA,5v 10MHz
2SD1898T100P Rohm Semiconductor 2SD1898T100P 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2SD1898 2 w MPT3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 a 1µA(ICBO) NPN 400mv @ 20mA,500mA 82 @ 500mA,3v 100MHz
RB215T-60 Rohm Semiconductor RB215T-60 -
RFQ
ECAD 2644 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 通过洞 TO-220-3完整包 RB215 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 RB215T60 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 580 mv @ 10 a 600 µA @ 60 V 150°C (最大)
BAS40-06HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS40-06HYFHT116 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 10 µA @ 40 V 150°C
R6015FNX Rohm Semiconductor R6015FNX 4.2704
RFQ
ECAD 2546 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 R6015 MOSFET (金属 o化物) TO-220FM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-R6015FNX Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 15A(TA) 10V 350MOHM @ 7.5A,10V 5V @ 1mA 42 NC @ 10 V ±30V 1660 pf @ 25 V - 50W(TC)
UMZ30NT106 Rohm Semiconductor UMZ30NT106 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.5% 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 UMZ30 200兆 UMD3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1对公共阳极 100 na @ 23 V 30 V
UFZVTE-1722B Rohm Semiconductor UFZVTE-1722B 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.69% 150°C(TJ) 表面安装 SC-90,SOD-323F 500兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 17 V 21.35 v 30欧姆
PDZVTFTR18B Rohm Semiconductor PDZVTFTR18B 0.4400
RFQ
ECAD 3295 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101,PDZVTF 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6.39% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-128 PDZVTFTR18 1 w PMDTM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 13 V 19.15 v 12欧姆
TDZTR8.2 Rohm Semiconductor TDZTR8.2 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 ±10% -55°C〜150°C 表面安装 2-SMD,平坦的铅 TDZTR8.2 500兆 TUMD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 4.9 V 8.2 v
2SB1427T100E Rohm Semiconductor 2SB1427T100E 0.6400
RFQ
ECAD 257 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2SB1427 2 w MPT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 20 v 2 a 500NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 390 @ 500mA,6v 90MHz
DTC123EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123EE3HZGTL 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 DTC123 150兆 EMT3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 846-DTC123EE3HZGTLCT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 20 @ 20mA,5V 250 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005 441.3200
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 模块 BSM120 (SIC) 780W 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7641253 Ear99 8541.29.0095 12 2 n 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 120A(TC) - 2.7V @ 22mA - 14000pf @ 10V -
QS8J13TR Rohm Semiconductor QS8J13TR 0.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 QS8J13 MOSFET (金属 o化物) 1.25W TSMT8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 12V 5.5a 22mohm @ 5.5a,4.5V 1V @ 1mA 60nc @ 4.5V 6300pf @ 6V 逻辑级别门
YDZVFHTR6.8 Rohm Semiconductor YDZVFHTR6.8 0.3600
RFQ
ECAD 651 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 ±8.82% 150°C(TJ) 表面安装 2-SMD,平坦的铅 YDZVFHTR6.8 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 3.5 V 6.8 v
R6515KNXC7G Rohm Semiconductor R6515knxc7g 3.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 R6515 MOSFET (金属 o化物) TO-220FM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-R6515KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 15A(TA) 10V 315MOHM @ 6.5A,10V 5V @ 430µA 27.5 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 60W(TC)
EDZVT2R22B Rohm Semiconductor EDZVT2R22B 0.2800
RFQ
ECAD 263 0.00000000 Rohm半导体 EDZV 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 EDZVT2 150兆 EMD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 17 V 22 v 100欧姆
R6020ENJTL Rohm Semiconductor R6020 Enjtl 2.7900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB R6020 MOSFET (金属 o化物) LPT 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 20A(TC) 10V 196mohm @ 9.5a,10V 4V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 40W(TC)
UDZWTE-173.3B Rohm Semiconductor Udzwte-173.3b -
RFQ
ECAD 7586 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-90,SOD-323F UMD2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000
RFN6T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN6T2DNZC9 1.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RFN6 标准 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RFN6T2DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 6a 980 mv @ 3 a 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库