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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
DMN2005UFGQ-13	0.3938	RFQ	8795	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN2005	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2005UFGQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	18A（18A），50A（50A）（TC）	2.5V，4.5V	4.6mohm @ 13.5A，4.5V	1.2V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±12V	6495 pf @ 10 V	-	1.05W（TA）
DMN2050LQ-7	0.1722	RFQ	3876	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2050	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2050LQ-7DI	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	5.9a（ta）	2V，4.5V	29mohm @ 5A，4.5V	1.4V @ 250µA	6.7 NC @ 4.5 V	±12V	532 PF @ 10 V	-	1.4W
DMN31D5UDA-7B	0.0298	RFQ	4643	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	DMN31	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN0806-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN31D5UDA-7BDI	Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）				400mA（TA）		1.5OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA				-
DMN3401LDW-7	0.4200	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN3401	MOSFET （金属 o化物）	290MW（TA）	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	800mA（ta）		400MOHM @ 590mA，10V	1.6V @ 250µA	1.2NC @ 10V		50pf @ 15V	-
DMN4035L-7	0.0993	RFQ	9970	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN4035	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN4035L-7DI	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	40 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±20V	574 PF @ 20 V	-	720MW
DMN6022SSS-13	0.2435	RFQ	4341	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN6022	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN6022SSS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	6.9a（ta）	6V，10V	29MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	2110 PF @ 30 V	-	2.1W（TA）
DMNH4006SPS-13	0.5968	RFQ	3369	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装		DMNH4006	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMNH4006SPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	110A（TC）	10V	7mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	50.9 NC @ 10 V	20V	2280 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
DMP2079LCA3-7	0.1027	RFQ	5282	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMP2079	MOSFET （金属 o化物）		X4-DSN1006-3（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMP2079LCA3-7DI	Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	20 v	3.4a（ta）	1.8V，8V	78mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	-12V	152 PF @ 10 V	-	810MW
DMP2109UVT-13	0.0874	RFQ	6996	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMP2109	MOSFET （金属 o化物）		TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMP2109UVT-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000			P通道	20 v	3.7a（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
DMP3007SCGQ-13	0.5835	RFQ	5273	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3007	MOSFET （金属 o化物）		V-DFN3333-8（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMP3007SCGQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±25V	2826 PF @ 15 V	-	1W（ta）
DMP3007SCGQ-7	1.3800	RFQ	980	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3007	MOSFET （金属 o化物）		V-DFN3333-8（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±25V	2826 PF @ 15 V	-	1W（ta）
DMP4011SK3Q-13	0.5555	RFQ	8804	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4011	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMP4011SK3Q-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	40 V	（14a）（ta），74a tc（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9.8a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2747 PF @ 20 V	-	1.8W（ta），5W（tc）
DMT10H009LH3	0.8644	RFQ	8310	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT10H009LH3DI	Ear99	8541.29.0095	75			n通道	100 v	84A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	20.2 NC @ 4.5 V	±20V	2309 PF @ 50 V	-	96W（TC）
DMT10H009LPS-13	0.9100	RFQ	6685	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	10A（10A），90A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	40.2 NC @ 10 V	±20V	2309 PF @ 50 V	-	1.3W（TA）
DMT10H015SK3-13	0.4122	RFQ	1151	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT10H015SK3-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	54A（TC）	6V，10V	14mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30.1 NC @ 10 V	±20V	2343 PF @ 50 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
DMT3006LPB-13	0.2533	RFQ	4085	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT3006	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi5060-8（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMT3006LPB-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				（11a）（35a ta）（35a tc），14a（ta（50a tc）（TC）（TC）		11.1MOHM @ 11.5A，10V，6MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA				-
DMT47M2SFVWQ-13	0.3546	RFQ	9283	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT47	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMT47M2SFVWQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	40 V	15.4A（TA），49.1A （TC）	10V	7.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	12.1 NC @ 10 V	±20V	897 PF @ 20 V	-	2.67W（TA），27.1W（tc）
DMT6012LFV-13	0.2478	RFQ	2623	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT6012	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMT6012LFV-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	60 V	43.3a（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1522 PF @ 30 V	-	1.95W（TA），33.78W（tc）
DMTH41M8SPSQ-13	1.8200	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH41	MOSFET （金属 o化物）		POWERDI5060-8（k型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	100A（TC）	10V	1.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	79.5 NC @ 10 V	±20V	6968 PF @ 20 V	-	3.03W
DMTH43M8LFG-13	0.4035	RFQ	2701	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMTH43	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMTH43M8LFG-13DI	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	40 V	（24A）（TA），100A （TC）	5V，10V	3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	40.1 NC @ 10 V	±20V	2798 PF @ 20 V	-	2.62W（TA），65.2W（tc）
SD101AWS-7-F-79	-	RFQ	4649	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-76，SOD-323		肖特基		SOD-323	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-SD101AW-7-F-79TR	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												60 V	1 V @ 15 mA	1 ns	200 na @ 50 V	-65°C〜125°C	15mA	2pf @ 0v，1MHz
BAV21W-7-G	-	RFQ	2517	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123	BAV21	标准		SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BAV21W-7-GTR	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												200 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	-65°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
DDZX10CQ-7	-	RFQ	3685	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2.5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDZX10		300兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DDZX10CQ-7TR	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				10 v	8欧姆
BZX84C39Q-13-F	-	RFQ	8080	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5.13％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZX84C39Q-13-FTR	Ear99	8541.10.0050	10,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 27.3 V				39 v	130欧姆
BZX84C20-7-F-79	-	RFQ	6739	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZX84C20-7-F-79TR	Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V				20 v	55欧姆
DFLZ3V9-7	-	RFQ	6943	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					DFLZ3				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DFLZ3V9-7TR	Ear99	8541.10.0050	3,000
MMBZ5248BW-13-F	-	RFQ	7702	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-MMBZ5248BW-13-FTR	Ear99	8541.10.0050	10,000															900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V				18 V	21欧姆
SD101CW-7-F-79	-	RFQ	7686	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123		肖特基		SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-SD101CW-7-F-79TR	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												40 V	900 mv @ 15 ma	1 ns	200 na @ 30 V	-65°C〜125°C	15mA	2.2pf @ 0v，1MHz
SD103AWS-7-F-79	-	RFQ	9439	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-123		肖特基		SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-SD103AWS-7-F-79TR	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	350mA	28pf @ 0v，1MHz
SDM10K45-7-F-79	-	RFQ	3926	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-76，SOD-323	SDM10	肖特基		SOD-323	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-SDM10K45-7-F-79TR	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												45 v	450 mv @ 10 mA		1 µA @ 10 V	-40°C〜150°C	100mA	6pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²