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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DMN4009LK3-13	-	RFQ	7240	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN4009	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	18A（18A）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V	2072 PF @ 20 V	-	2.19W（TA）
DMG1016UDW-7	0.4500	RFQ	146	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMG1016	MOSFET （金属 o化物）	330MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	1.07a，845mA		450MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.74NC @ 4.5V		60.67pf @ 10V	逻辑级别门
DMG1013UW-7	0.3500	RFQ	423	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMG1013	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	820mA（ta）	1.8V，4.5V	750MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.622 NC @ 4.5 V	±6V	59.76 pf @ 16 V	-	310MW（TA）
DMG4800LK3-13	0.5800	RFQ	9337	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMG4800	MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	17mohm @ 9a，10v	1.6V @ 250µA	8.7 NC @ 5 V	±25V	798 pf @ 10 V	-	1.71W（TA）
DMN26D0UFB4-7	-	RFQ	2494	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN26	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	230ma（ta）	1.5V，4.5V	3ohm @ 100mA，4.5V	1.1V @ 250µA		±10V	14.1 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
MMSZ5263B-7-F	0.2400	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ5263		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	100 na @ 43 V									56 v	150欧姆
DMG3415UFY4-7	-	RFQ	8712	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMG3415	MOSFET （金属 o化物）		DFN2015H4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	16 V	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	39mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	281.9 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
PD3S230H-7	0.4400	RFQ	79	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™323	PD3S230	肖特基		PowerDi™323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	600 mv @ 2 a	100 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	2a	40pf @ 10V，1MHz
PD3S220L-7	0.4800	RFQ	8941	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™323	PD3S220	肖特基		PowerDi™323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												20 v	490 mv @ 2 a	160 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	2a	46pf @ 10V，1MHz
DMG6968UDM-7	0.4600	RFQ	70	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMG6968	MOSFET （金属 o化物）	850MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	6.5a		24mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	8.8nc @ 4.5V		143pf @ 10V	逻辑级别门
DSS4140U-7	0.4300	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DSS4140		400兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	1 a			100NA			NPN	500mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	150MHz
DJT4031N-13	0.4800	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DJT4031		1.2 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				40 V	3 a			100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	105MHz
DMG9926UDM-7	0.5100	RFQ	47	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMG9926	MOSFET （金属 o化物）	980MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	4.2a		28mohm @ 8.2a，4.5V	900mv @ 250µA	8.3nc @ 4.5V		856pf @ 10V	逻辑级别门
MMBZ5226BT-7-F	0.4000	RFQ	8	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOT-523	MMBZ5226		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	25 µA @ 1 V									3.3 v	28欧姆
SBR05M60BLP-7	0.7900	RFQ	13	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-Powerudfn	SBR05M60	超级障碍		U-DFN3030-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000															490 mv @ 500 mA	100 µA @ 60 V		500 MA				单相	60 V
ZXMHC3A01N8TC	1.0400	RFQ	26	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMHC3A01	MOSFET （金属 o化物）	870MW	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2n和2p通道（半桥）			30V	2.17a，1.64a		125MOHM @ 2.5A，10V	3V @ 250µA	3.9nc @ 10V		190pf @ 25V	逻辑级别门
2W005G	-	RFQ	4197	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	2W005	标准		沃格	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	2W005GDI	Ear99	8541.10.0080	1,000															1.1 V @ 2 A	5 µA @ 50 V		2 a				单相	50 V
2W02G	-	RFQ	8257	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	2W02	标准		沃格	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	2W02GDI	Ear99	8541.10.0080	1,000															1.1 V @ 2 A	5 µA @ 200 V		2 a				单相	200 v
2W06G	-	RFQ	1080	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	2W06	标准		沃格	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	2W06GDI	Ear99	8541.10.0080	1,000															1.1 V @ 2 A	5 µA @ 600 V		2 a				单相	600 v
GBPC15005W	-	RFQ	2776	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC15005	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC15005WDI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 50 V		15 a				单相	50 V
GBPC1508W	-	RFQ	4003	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1508	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC1508WDI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 800 V		15 a				单相	800 v
GBPC1510W	-	RFQ	2166	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1510	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC1510WI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 1000 V		15 a				单相	1 kV
GBPC25005	-	RFQ	7968	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC25005	标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC25005DI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 50 V		25 a				单相	50 V
GBPC25005W	-	RFQ	5164	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC25005	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC25005WDI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 50 V		25 a				单相	50 V
GBPC2504W	-	RFQ	8880	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2504	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	gbpc2504wdi	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 400 V		25 a				单相	400 v
GBPC2508W	-	RFQ	4513	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2508	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC2508WDI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 800 V		25 a				单相	800 v
GBPC2510W	-	RFQ	9502	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2510	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC2510WI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 1000 V		25 a				单相	1 kV
GBPC35005	-	RFQ	2165	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC35005	标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC35005DI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 50 V		35 a				单相	50 V
GBPC3504W	-	RFQ	2742	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3504	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	gbpc3504wdi	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 400 V		35 a				单相	400 v
GBPC3508W	-	RFQ	8462	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3508	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC3508WDI	Ear99	8541.10.0080	100															1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 800 V		35 a				单相	800 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²