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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SBR05M60BLP-7	0.7900	RFQ	13	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-Powerudfn	SBR05M60	超级障碍		U-DFN3030-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																	490 mv @ 500 mA	100 µA @ 60 V		500 MA		单相	60 V
2W005G	-	RFQ	4197	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	2W005	标准		沃格	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	2W005GDI	Ear99	8541.10.0080	1,000																	1.1 V @ 2 A	5 µA @ 50 V		2 a		单相	50 V
2W02G	-	RFQ	8257	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	2W02	标准		沃格	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	2W02GDI	Ear99	8541.10.0080	1,000																	1.1 V @ 2 A	5 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
2W06G	-	RFQ	1080	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	2W06	标准		沃格	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	2W06GDI	Ear99	8541.10.0080	1,000																	1.1 V @ 2 A	5 µA @ 600 V		2 a		单相	600 v
GBPC1508W	-	RFQ	4003	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1508	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC1508WDI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 800 V		15 a		单相	800 v
GBPC25005W	-	RFQ	5164	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC25005	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC25005WDI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
GBPC2504W	-	RFQ	8880	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2504	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	gbpc2504wdi	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
GBPC2508W	-	RFQ	4513	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2508	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC2508WDI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
GBPC35005	-	RFQ	2165	二极管合并	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC35005	标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC35005DI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 50 V		35 a		单相	50 V
GBPC3508W	-	RFQ	8462	二极管合并	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3508	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	GBPC3508WDI	Ear99	8541.10.0080	100																	1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 800 V		35 a		单相	800 v
ZXSBMR16PT8TA	-	RFQ	7021	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-223-8	SBMR16PT8	肖特基		SM8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0070	1,000																	750 MV @ 1 A	10 µA @ 30 V		400 MA		单相	40 V
BZX84B7V5-7-F	0.1900	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	1 µA @ 5 V						7.5 v	15欧姆
1SMB5936B-13	0.1257	RFQ	6309	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5936		550兆	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1SMB5936B-13DI	Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V						30 V	28欧姆
1SMB5937B-13	0.4400	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5937		550兆	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 25.1 V						33 V	33欧姆
BZT585B3V3T-7	0.2300	RFQ	25	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.1 V @ 100 mA	5 µA @ 1 V						3.3 v	95欧姆
BZT585B4V3T-7	0.2300	RFQ	17	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V						4.3 v	150欧姆
BZT585B12T-7	0.2300	RFQ	5048	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT585		350兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.1 V @ 100 mA	100 na @ 8 V						12 v	10欧姆
DMC1028UFDB-13	0.2730	RFQ	2365	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMC1028	MOSFET （金属 o化物）	1.36W	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMC1028UFDB-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000	n和p通道			12V，20V	6a，3.4a		25mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	18.5nc @ 8v		787pf @ 6V	-
SBRT10U50SP5-13D	0.7100	RFQ	4	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5	SBRT10	超级障碍		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V		450 MV @ 10 A	300 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	10a	-
DMP3008SFGQ-13	1.2100	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3008	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	30 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	900MW（TA）
BSS138Q-7-F	0.2900	RFQ	21	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	50 V	200ma（ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
DMG2302UQ-7	0.4000	RFQ	3996	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 50µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	594.3 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMG2302UQ-13	0.4000	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 50µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	594.3 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMN3023L-13	0.0930	RFQ	8065	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3023	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN3023L-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	30 V	6.2a（ta）	2.5V，10V	25mohm @ 4A，10V	1.8V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±20V	873 PF @ 15 V	-	900MW（TA）
DMJ70H1D3SI3	-	RFQ	7861	二极管合并	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMJ70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（TH3 3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	700 v	4.6A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	13.9 NC @ 10 V	±30V	351 PF @ 50 V	-	41W（TC）
BZT52C4V3TQ-7-F	0.0605	RFQ	4864	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZT52		300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	3 µA @ 1 V						4.3 v	90欧姆
DDZ13BQ-7	-	RFQ	8914	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	DDZ13		310 MW	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 10 V						12.88 v	14欧姆
DFLZ30Q-7	0.1417	RFQ	8060	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	PowerDi®123	DFLZ30		1 w	PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 22 V						30 V	8欧姆
DFLZ39Q-7	0.1417	RFQ	7965	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	PowerDi®123	DFLZ39		1 w	PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 30 V						39 v	5欧姆
SBRT40V100CTE	1.7100	RFQ	2716	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SBRT40	超级障碍		TO-262	下载	rohs3符合条件	不适用	到达受影响	SBRT40V100CTEDI-5	Ear99	8541.10.0080	50		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	100 v	20a	730 mv @ 20 a	300 µA @ 100 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²