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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BAV70DWQ-7-F	0.0638	RFQ	5586	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BAV70	标准		SOT-363	-			到达不受影响	31-BAV70DWQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2对普通阴极	80 V	150mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
DMN61D9UDWQ-13	0.0381	RFQ	5620	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN61	MOSFET （金属 o化物）	370MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMN61D9UDWQ-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）			60V	318ma（ta）		2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		39pf @ 30V	-
DMT10H9M9SH3	0.8644	RFQ	3393	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMT10	MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载			到达不受影响	31-DMT10H9M9SH3	Ear99	8541.29.0095	75			n通道	100 v	84A（TC）	6V，10V	9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2085 PF @ 50 V	-	114W（TC）
DMTH47M2SPSWQ-13	0.3045	RFQ	6286	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH47	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	下载			到达不受影响	31-DMTH47M2SPSPSPSWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	73A（TC）	10V	7.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	12.1 NC @ 10 V	±20V	897 PF @ 20 V	-	3.3W（TA），68W（tc）
DFLR1600Q-7	0.0961	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi®123	DFLR1600	标准		PowerDi™123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DFLR1600Q-7TR	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.1 V @ 1 A		3 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 4V，1MHz
1N4448HWSQ-7-F	0.0439	RFQ	7975	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	1N4448	标准		SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	31-1N444448HWSQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 80 V	-65°C〜150°C	250mA	3.5pf @ 0v，1MHz
MMDT5451Q-7	0.4100	RFQ	3862	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMDT5451		200MW	SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							160V，150V	200mA			50NA（iCBO）			NPN，PNP	200mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5v / 60 @ 10mA，5V	300MHz
DFLR1600Q-7-2559	0.0961	RFQ	1167	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					DFLR1600				-			到达不受影响	31-DFLR1600Q-7-2559TR			3,000
DMTH8030LPDW-13	0.3559	RFQ	7470	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH8030	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（ta），41W（TC）	PowerDI5060-8（type UXD）	下载			到达不受影响	31-DMTH8030LPDW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			80V	28.5A（TC）		26mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	10.4NC @ 10V		631pf @ 40V	-
SBR8U60P5Q-13D	0.8900	RFQ	3939	二极管合并	汽车，AEC-Q101，SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5		超级障碍		PowerDi™5	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													60 V		530 mv @ 8 a		330 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	8a	-
GBP808N	0.5449	RFQ	7469	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，英镑		标准		英镑	下载			到达不受影响	31-GBP808N	Ear99	8541.10.0080	35																	1.05 V @ 4 A		1 µA @ 800 V		8 a				单相	800 v
DMN6069SFVW-13	0.1885	RFQ	9300	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMN6069	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMN6069SFVW-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	60 V	（4A）（14A）（14A （TC）	4.5V，10V	69mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 30 V	-	2.5W（TA）
BZX84B10Q-7-F	0.0382	RFQ	1944年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31 BZX84B10Q-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V									10 v	20欧姆
GBJ2508-LS	-	RFQ	8049	二极管合并	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ2508	标准		GBJ	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	31-GBJ2508-LS	Ear99	8541.10.0080	15																	1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 800 V		25 a				单相	800 v
LZ52C5V1W	-	RFQ	5438	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	1206 （3216公制）	LZ52C		500兆	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V									5.1 v	50欧姆
LZ52C6V2W	-	RFQ	7650	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	1206 （3216公制）	LZ52C		500兆	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		100 na @ 2 V									6.2 v	10欧姆
SBR1M100BLP-7	0.7200	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-Powerudfn		标准		U-DFN3030-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	3,000																	820 mv @ 1 A		25 µA @ 100 V		1 a				单相	100 v
DMJ70H600HK3-13	1.7000	RFQ	4648	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMJ70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	700 v	7.6A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	90W（TC）
LZ52C20W	-	RFQ	8256	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	1206 （3216公制）	LZ52C		500兆	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		100 na @ 15 V									20 v	55欧姆
DMJ70H600HCT	-	RFQ	9609	二极管合并	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DMJ70	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB（TH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMJ70H600HCT	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	700 v	8.5A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	2.3W（TA），104W（tc）
SBL3045CT-LS	-	RFQ	4628	二极管合并	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	SBL3045	肖特基		TO-220AB	下载				31-SBL3045CT-LS	过时的		1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	30a	550 mv @ 15 A		500 µA @ 45 V	-55°C〜125°C
BAV99-7-F-31	-	RFQ	2962	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV99	标准		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	31-BAV99-7-F-31TR	过时的		3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	75 v	300mA（DC）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
BAV70-7-F-31	-	RFQ	9906	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	31-BAV70-7-F-31TR	过时的		3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	75 v	150mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
MMBD7000-7-F-31	-	RFQ	9470	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	31-MMBD7000-7-F-31TR	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	75 v	300mA（DC）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	3 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
BZX84C6V8-7-F-31	-	RFQ	3564	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5.88％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	31-BZX84C6V8-7-F-31TR	Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V									6.8 v	15欧姆
BAT64-7-F	0.0520	RFQ	4797	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BAT64-7-FDI	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		750 mv @ 100 ma	3 ns	2 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	250mA	6pf @ 1V，1MHz
SBR8U60P5-13D	0.2194	RFQ	5577	二极管合并	SBR®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5	SBR8U60	超级障碍		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	SBR8U60P5-13DDI	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													60 V		530 mv @ 8 a		600 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	8a	-
ZXMN3B01FTC	0.1721	RFQ	3752	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXMN3	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ZXMN3B01FTCDI	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	30 V	1.7A（TA）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.7A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	2.93 NC @ 4.5 V	±12V	258 pf @ 15 V	-	625MW（TA）
DMC3401LDW-7	0.4200	RFQ	55	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMC3401	MOSFET （金属 o化物）	290MW（TA）	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补			30V	800mA（ta），550mA（ta）		400MOHM @ 590mA，10v，900MOHM @ 420mA，10V	1.6V @ 250µA，2.6V @ 250µA	1.2nc @ 10V，800pc @ 10V		50pf @ 15V，19pf @ 15V	-
DMG1023UVQ-13	0.0805	RFQ	4456	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMG1023	MOSFET （金属 o化物）	530MW（TA）	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMG1023UVQ-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）			20V	1.03A（TA）		750MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.622NC @ 4.5V		59pf @ 16V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²