SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
SB1100-A52 Diodes Incorporated SB1100-A52 -
RFQ
ECAD 2454 0.00000000 二极管合并 - (TB) 过时的 下载 31-SB1100-A52TB Ear99 8541.10.0080 1
DMC6070LFDH-7 Diodes Incorporated DMC6070LFDH-7 -
RFQ
ECAD 4209 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn DMC6070 MOSFET (金属 o化物) 1.4W V-DFN3030-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 3.1a,2.4a 85MOHM @ 1.5A,10V 3V @ 250µA 11.5NC @ 10V 731pf @ 20V 逻辑级别门
ZMM5254B-7 Diodes Incorporated ZMM5254B-7 -
RFQ
ECAD 3150 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 ZMM5254 500兆 迷你梅尔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 27 V 41欧姆
DDZ9694-7 Diodes Incorporated DDZ9694-7 0.2800
RFQ
ECAD 73 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 DDZ9694 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 6.2 V 8.2 v
BZT52C3V0LP-7B-79 Diodes Incorporated BZT52C3V0LP-7B-79 -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 BZT52 - (1 (无限) 到达不受影响 BZT52C3V0LP-7B-79DI Ear99 8541.10.0050 3,000
B1100B-13-F Diodes Incorporated B1100B-13-F 0.4300
RFQ
ECAD 106 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB B1100 肖特基 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 790 mv @ 1 a 500 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 80pf @ 4V,1MHz
ZTX576STOA Diodes Incorporated ZTX576STOA -
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 200°C(TJ) 通过洞 e-line-3,形成的铅 ZTX576 1 w to-92兼容) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 200 v 1 a 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 50 @ 300mA,10v 100MHz
DZ23C9V1-7-F Diodes Incorporated DZ23C9V1-7-F 0.3700
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DZ23 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1对普通阴极 9.1 v 10欧姆
DMN3730UFB4-7 Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7 0.4600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN DMN3730 MOSFET (金属 o化物) X2-DFN1006-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 750mA(TA) 1.8V,4.5V 460MOHM @ 200MA,4.5V 950mv @ 250µA 1.6 NC @ 4.5 V ±8V 64.3 pf @ 25 V - 470MW(TA)
ZX5T851GQTC Diodes Incorporated ZX5T851GQTC 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA 1.2 w SOT-223-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4,000 60 V 6 a 20NA NPN 260mv @ 300mA,6a 100 @ 2a,1V 130MHz
APT13005SU-G1 Diodes Incorporated APT13005SU-G1 -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 APT13005 20 w TO-126 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 450 v 3.2 a - NPN 1V @ 750mA,3a 8 @ 2a,5v 4MHz
DDZ30BSF-7 Diodes Incorporated DDZ30BSF-7 -
RFQ
ECAD 2613 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.52% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-90,SOD-323F DDZ30 500兆 SOD-323F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 70 NA @ 26 V 28.42 v 80欧姆
ZXMN3A02X8TC Diodes Incorporated ZXMN3A02X8TC -
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) ZXMN3 MOSFET (金属 o化物) 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 5.3a(ta) 4.5V,10V 25mohm @ 12a,10v 1V @ 250µA 26.8 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 1.1W(TA)
BZT52C18-13 Diodes Incorporated BZT52C18-13 -
RFQ
ECAD 3249 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 ±6% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52 500兆 SOD-123 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 12.6 V 18 V 45欧姆
DDA114EU-7-F Diodes Incorporated DDA114EU-7-F 0.4100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DDA114 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-) 300mv @ 500µA,10mA 30 @ 5mA,5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
DDTA122LE-7-F Diodes Incorporated DDTA122LE-7-F 0.3200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 DDTA122 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
DFLZ18-7 Diodes Incorporated DFLZ18-7 0.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% -55°C〜150°C 表面安装 PowerDi®123 DFLZ18 1 w PowerDi™123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 13 V 18 V 15欧姆
DDA124EK-7-F Diodes Incorporated DDA124EK-7-F -
RFQ
ECAD 6653 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-23-6 DDA124 300MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 PNP-) 300mv @ 500µA,10mA 56 @ 5mA,5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
UF3003-BU Diodes Incorporated UF3003-BU -
RFQ
ECAD 1496年 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 31-UF3003-BU 过时的 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 3 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 3a 75pf @ 4V,1MHz
FZT849TC Diodes Incorporated FZT849TC -
RFQ
ECAD 5194 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA FZT849 3 W SOT-223-3 下载 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 4,000 30 V 7 a 50NA(iCBO) NPN 350mv @ 300mA,6.5a 100 @ 1A,1V 100MHz
PD3Z284C5V1-7 Diodes Incorporated PD3Z284C5V1-7 0.4100
RFQ
ECAD 47 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 ±6% -65°C〜150°C 表面安装 PowerDi™323 PD3Z284 500兆 PowerDi™323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 2 µA @ 2 V 5.1 v 60欧姆
BAV21 Diodes Incorporated BAV21 -
RFQ
ECAD 6684 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BAV21 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 200 v 1 V @ 100 ma 50 ns 100 na @ 200 V 200mA -
ZMM5225B-7 Diodes Incorporated ZMM5225B-7 -
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa ZMM5225 500兆 迷你梅尔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 50 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
MMBZ5229BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5229BW-7-F 0.0630
RFQ
ECAD 5345 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±4.99% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5229 200兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
MMBD4148-7-F Diodes Incorporated MMBD4148-7-F 0.1300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBD4148 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µA @ 75 V -65°C〜150°C 300mA 2pf @ 0v,1MHz
UF1502S-B Diodes Incorporated UF1502S-B -
RFQ
ECAD 5248 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1.5a 35pf @ 4V,1MHz
BZX84B11Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B11Q-7-F 0.0382
RFQ
ECAD 9758 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84 300兆 SOT-23-3 下载 到达不受影响 31 BZX84B11Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 11 V 20欧姆
BZX84B2V4-7-F Diodes Incorporated BZX84B2V4-7-F -
RFQ
ECAD 8507 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84 SOT-23-3 - (1 (无限) 到达不受影响 BZX84B2V4-7-FDI Ear99 8541.10.0050 3,000
MMBZ5248BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5248BW-7-F 0.3400
RFQ
ECAD 8606 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-70,SOT-323 MMBZ5248 200兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 14 V 18 V 21欧姆
DDTA114WE-7-F Diodes Incorporated DDTA114WE-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-523 DDTA114 150兆 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 24 @ 10mA,5v 250 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库