RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	噪声图（ db typ @ f）
DMN2310UW-13	0.0347	RFQ	1479年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2310	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载			到达不受影响	31-DMN2310UW-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道		20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	200mohm @ 300mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	38 pf @ 10 V	-	450MW（TA）
DMN63D8LDW-13	0.3100	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN63	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）				30V	220mA		2.8ohm @ 250mA，10v	1.5V @ 250µA	0.87NC @ 10V		22pf @ 25V	逻辑级别门
MMSZ5239B-7	-	RFQ	5766	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ5239B		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 7 V							9.1 v	10欧姆
SBL1640PT	-	RFQ	5263	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SBL1640	肖特基		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	40 V	16a	550 mv @ 8 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C
DMTH10H010SPSQ-13	0.7371	RFQ	3121	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	11.8A（TA），100A（tc）	6V，10V	8.8mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	56.4 NC @ 10 V	±20V	4468 PF @ 50 V	-	1.5W（TA），166W（tc）
DMT6005LFG-13	0.3746	RFQ	4595	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT6005	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		60 V	18A（18A），100a（tc）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 30 V	-	1.98W（TA），62.5W（TC）
DDTC143TCA-7	-	RFQ	5930	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTC143		200兆	SOT-23-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma	500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，2.5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
SBR140S1F-7-52	0.0656	RFQ	7027	二极管合并	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123F	SBR140	超级障碍		SOD-123F	下载				31-SBR140S1F-7-7-7-52	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														40 V		510 MV @ 1 A		100 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
DMN3061SVT-13	0.1185	RFQ	6668	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN3061	MOSFET （金属 o化物）	880MW	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMN3061SVT-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）				30V	3.4a（ta）		60mohm @ 3.1a，10v	1.8V @ 250µA	6.6nc @ 10V		278pf @ 15V	-
SD1A180A	0.4000	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					SD1A180				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000
RS1MB-13-F	0.4300	RFQ	622	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	1m卢比	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1000 v		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
SR304-TF	-	RFQ	3812	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			通过洞	DO-201 AD，轴向	SR304	肖特基		Do-201 AD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1200		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V		550 mv @ 3 a		1 mA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	300pf @ 4V，1MHz
DMN33D8LVQ-13	0.4500	RFQ	10	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN33	MOSFET （金属 o化物）	430MW（TA）	SOT-563	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）				30V	350mA（ta）		2.4OHM @ 250mA，10V	1.5V @ 100µA	1.23nc @ 10V		48pf @ 5V	标准
BZX84B24-7-F	0.1900	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 16.8 V							24 V	70欧姆
DFLZ24-7	0.3700	RFQ	46	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	PowerDi®123	DFLZ24		1 w	PowerDi™123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 18 V							24 V	15欧姆
FMMT494QTC	0.4200	RFQ	10	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			500兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								120 v	1 a	100NA			NPN	300mv @ 50mA，500mA	100 @ 250mA，10V	100MHz
MMBT6427-7-F	0.2400	RFQ	41	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT6427		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								40 V	500 MA	1µA			npn-达灵顿	1.5V @ 500µA，500mA	20000 @ 100mA，5V	-
DDTC122LU-7	0.3900	RFQ	104	二极管合并	*	（CT）	积极的					DDTC122				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC857C-7-F-50	0.0204	RFQ	1395年	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		310 MW	SOT-23-3	下载				31-BC857C-7-F-50	Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	100 ma	15NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	200MHz
BC847BFZ-7B	0.4100	RFQ	1624年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BC847		435 MW	X2-DFN0606-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								45 v	100 ma	15NA			NPN	300mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
ZXTN2038FTA	0.3800	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTN2038		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								60 V	1 a	100NA			NPN	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，5V	150MHz
DMC3400SDW-13	0.4100	RFQ	18	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMC3400	MOSFET （金属 o化物）	310MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道				30V	650mA，450mA		400MOHM @ 590mA，10V	1.6V @ 250µA	1.4NC @ 10V		55pf @ 15V	-
BFQ31ATA	-	RFQ	8729	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFQ31		330MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000				-																				15V	100mA				NPN		100 @ 3mA，1V	600MHz		6DB @ 60MHz
B230-13-F	0.4600	RFQ	121	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	B230	肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														30 V		500 mv @ 2 a		500 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	2a	200pf @ 4V，1MHz
DMTH10H025LK3Q-13	1.0200	RFQ	8246	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	51.7A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1477 PF @ 50 V	-	3.1W（TA）
PDS3200Q-13	1.7000	RFQ	703	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerDi™5	PDS3200	肖特基		PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		880 mv @ 6 a		10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	3a	-
ZVN2120ASTZ	-	RFQ	6035	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道		200 v	180mA（TA）	10V	10ohm @ 250mA，10v	3V @ 1mA		±20V	85 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
DXTN22040DFG-7	0.6400	RFQ	2085	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			1.1 w	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																								40 V	2 a	50NA			NPN	600mv @ 300mA，3a	300 @ 500mA，2V	198MHz
ZHB6790TC	-	RFQ	1671年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-223-8	ZHB6790		1.25W	SM8	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																								40V	2a	100NA（ICBO）			2 NPN，2 pnp（h桥）	750mv @ 50mA，2a	200 @ 1A，2V	100MHz
DMN3010LSS-13	0.2741	RFQ	7226	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN3010	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	16A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	43.7 NC @ 10 V	±20V	2096 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²