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离散半导体产品（（13379）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SDT20A60VCT	0.6988	RFQ	1469	二极管合并	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	SDT20	肖特基		TO-220-3	下载			到达不受影响	31-SDT20A60VCT	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	10a	570 mv @ 10 A		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
DDZ8V2BSF-7	0.2100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	DDZ8V2		500兆	SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		7.5 µA @ 7.39 V							7.99 v	30欧姆
AC847BWQ-7	0.2200	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	AC847		200兆	SOT-323	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45 v	100 ma	20NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
BAS40W-5-7-F	-	RFQ	1630	二极管合并	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40	肖特基		SOT-323	-				31-BAS40W-5-7-F			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	40 V	200mA	1 V @ 40 mA	5 ns	200 na @ 30 V	-55°C〜125°C
MMBZ5236BTS-7-F	0.1300	RFQ	5355	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMBZ5236		200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6 V							7.5 v	6欧姆
DMN2058UW-7	0.3800	RFQ	135	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2058	MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	3.5A（ta）	1.8V，10V	42MOHM @ 3A，10V	1.2V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±12V	281 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
MBR735	-	RFQ	2907	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	MBR735	肖特基		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	MBR735DI	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													35 v		840 mv @ 15 A		100 µA @ 35 V	-55°C〜150°C	7.5a	400pf @ 4V，1MHz
DMN2024UFX-7	0.1962	RFQ	3850	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-vfdfn暴露垫	DMN2024	MOSFET （金属 o化物）	920MW	V-DFN2050-4	下载			到达不受影响	31-DMN2024UFX-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	8A（TC）		22mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	14.8nc @ 10V		647pf @ 10V	-
DMN16M9UCA6-7	0.3560	RFQ	7231	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	DMN16	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	X3-DSN2718-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			-	-		-	1.3V @ 1mA	35.2NC @ 4.5V		2360pf @ 6V	-
BCP5616TTA	0.4000	RFQ	950	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP5616		2.5 w	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							80 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	150MHz
DMP6110SVTQ-7	0.7000	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMP6110	MOSFET （金属 o化物）		TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	60 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	105MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	969 PF @ 30 V	-	1.8W（TA）
DMP22D4UFO-7B	0.4400	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMP22	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN0604-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	20 v	530ma（ta）	1.5V，4.5V	1.9OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±8V	28.7 pf @ 15 V	-	820MW（TA）
DXT696BK-13	0.6000	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DXT696		3.9 w	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																							180 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，200mA	150 @ 200ma，5v	70MHz
DMN2500UFB4-7B	-	RFQ	7480	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2500	MOSFET （金属 o化物）		X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2500UFB4-7BDI	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	20 v	810mA（ta）	1.8V，4.5V	400mohm @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.737 NC @ 4.5 V	±6V	60.67 pf @ 16 V	-	460MW（TA）
DMN6140LQ-13	0.3700	RFQ	7	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN6140	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	60 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 40 V	-	700MW（TA）
PD3S140-7-2477	-	RFQ	5849	二极管合并	-	大部分	上次购买			表面安装	PowerDi™323		肖特基		PowerDi™323	-				31-PD3S140-7-2477			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		550 mv @ 1 a		50 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	1a	32pf @ 10V，1MHz
FZT705QTA	0.3600	RFQ	3580	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FZT705		200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-FZT705QTATR	Ear99	8541.21.0075	1,000																							120 v	50 mA	500NA（ICBO）			PNP	500mv @ 1mA，10mA	180 @ 2mA，6v	140MHz
DMTH10H032LFVWQ-13	0.2533	RFQ	7722	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	-				31-DMTH10H032LFVWQ-13	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	100 v	26a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 V	±20V	683 PF @ 50 V	-	1.7W（TA）
MMBT3904-7-F-52	0.0253	RFQ	5850	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			310 MW	SOT-23-3	下载				31-MMBT3904-7-F-52	Ear99	8541.21.0075	3,000																							40 V	200 ma	50NA			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
DMN67D8LT-7	0.0644	RFQ	1607年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN67	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	210mA（ta）	5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	821 NC @ 10 V	±20V	22 pf @ 25 V	-	260MW（TA）
BZT52C30平方英尺	0.0359	RFQ	9888	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.67％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BZT52		200兆	SOD-323	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V							30 V	80欧姆
ADC114YUQ-7	0.3200	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	ADC114		270MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA	-			2 NPN- 预偏（双重）	-	-	250MHz	10KOHMS，47KOHMS	10KOHMS，47KOHMS
BZT52B5V6-7-F	-	RFQ	1366	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BZT52				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-BZT52B5V6-7-FTR	Ear99	8541.10.0050	10,000
DMTH4004SPSQ-13	1.2400	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH4004	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	（31a）（TA），100A （TC）	10V	2.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	68.6 NC @ 10 V	±20V	4305 PF @ 25 V	-	3.6W（TA），167W（tc）
DDTC113ZKA-7-F	-	RFQ	3355	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTC113		200兆	SC-59-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 5mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
BZT52HC27WF-7	0.0439	RFQ	6777	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7.04％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V							27 V	40欧姆
1N4003-B	-	RFQ	1493	二极管合并	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4003	标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1 V @ 1 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
DCX114th-7	0.0945	RFQ	9135	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	DCX114		150MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA	500NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 100µA，1mA	100 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
MBR1660	-	RFQ	5164	二极管合并	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	MBR1660	肖特基		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	MBR1660DI	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		750 MV @ 16 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C	16a	450pf @ 4V，1MHz
BAS40-04T-7-F-36	-	RFQ	3799	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-523	BAS40	肖特基		SOT-523	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	40 V	200ma（dc）	1 V @ 40 mA	5 ns	200 na @ 30 V	-55°C〜125°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（13379）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²